公开(公告)号：CN114664786A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202110953825.5

申请日：2021-08-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 亚历山大卡尔尼斯基 ,  刘铭棋 ,  李汝谅 ,  李升展 ,  陈升照

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

摘要： 在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片及其形成方法。所述集成芯片包括设置在衬底上方的介电堆叠。所述介电堆叠具有交错在第二多个层之间的第一多个层。所述介电堆叠具有一个或多个表面，所述一个或多个表面界定在对应于所述第二多个层的不同垂直高度处凹入所述介电堆叠一侧中的多个凹口。电容器结构衬于所述介电堆叠的所述一个或多个表面上。所述电容器结构包括由电容器介电质分开的导电电极。

公开(公告)号：CN114335034A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202110250032.7

申请日：2021-03-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨哲维 ,  李升展 ,  曹淳凯 ,  施志承 ,  陈升照 ,  蔡正原

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 一种集成芯片，包括：第一图像感测元件及第二图像感测元件，布置在衬底之上。第一微透镜布置在第一图像感测元件之上，且第二微透镜布置在第二图像感测元件之上。复合深沟槽隔离结构布置在第一图像感测元件与第二图像感测元件之间。复合深沟槽隔离结构包括：下部部分，布置在衬底之上；以及上部部分，布置在下部部分之上。下部部分包含第一材料，且上部部分包含具有比第一材料低的反射率的第二材料。

公开(公告)号：CN109801931B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201810749873.0

申请日：2018-07-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李升展 ,  陈奕男 ,  陈子祥 ,  王昱仁 ,  江彦廷 ,  周正贤 ,  蔡正原

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明一些实施例公开一种半导体结构和半导体结构制造方法。其中，半导体结构包含：半导体衬底，其具有前表面及背向所述前表面的后表面；填充材料，其从所述前表面延伸到所述半导体衬底中且不穿透所述半导体衬底，所述填充材料包含上部分及下部分，所述上部分与所述半导体衬底接触；及外延层，其加衬于所述填充材料的所述下部分与所述半导体衬底之间。本发明一些实施例还公开一种相关联制造方法。

公开(公告)号：CN108010926A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201710661769.1

申请日：2017-08-04

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李升展 ,  周正贤 ,  陈升照 ,  蔡正原 ,  黄志辉

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1462

摘要： 本发明实施例涉及对CMOS图像传感器的选择性沉积与平坦化。此外，本发明实施例还涉及一种用以简化切割道开口填充工艺且进一步改进导电垫制作工艺的表面均匀性的方法。在半导体衬底上方形成钝化层，并穿过所述钝化层及所述半导体衬底形成切割道开口。为了填充所述切割道开口，在所述切割道开口内于导电垫上方形成第一介电层且所述第一介电层延伸于所述钝化层上方。所述第一介电层是通过选择性沉积工艺而形成，使得所述第一介电层以大于其形成所述钝化层上的沉积速率的沉积速率形成于所述导电垫上。