公开(公告)号：CN113311661A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110214183.7

申请日：2021-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  张庆裕

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: 制造半导体装置的方法包含在半导体基板上形成包含光阻底层组成物的光阻底层。选择性地在光化辐射下曝光光阻层，并显影光阻层以形成在光阻层中的图案。光阻底层组成物包含：具有一或多个酸不稳定基团侧基与环氧基侧基的第一聚合物、具有一或多个交联基团的第二聚合物、酸产生剂、淬灭剂或光分解碱与溶剂。光阻底层组成物包含重量百分浓度在0％至10％的淬灭剂或光分解碱，以第一聚合物与第二聚合物的总重量为基准。

公开(公告)号：CN113113292A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110336906.0

申请日：2021-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘之诚 ,  郭怡辰 ,  魏嘉林 ,  翁明晖 ,  陈彥儒 ,  李志鸿 ,  郑雅如 ,  杨棋铭 ,  李资良 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004

Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成光致抗蚀剂层。形成光致抗蚀剂层包括将第一前体和第二前体以蒸气态结合以形成光致抗蚀剂材料，其中第一前体是具有式MaRbXc的有机金属，其中M是Sn、Bi、Sb、In、Te、Ti、Zr、Hf、V、Co、Mo、W、Al、Ga、Si、Ge、P、As、Y、La、Ce或Lu中的至少一种；R为取代或未取代的烷基、烯基或羧酸酯基团；X是卤素或磺酸酯基团；并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤5。第二前体是胺、硼烷或膦中的至少一种。形成光致抗蚀剂层包括在基板上沉积光致抗蚀剂。将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并通过将显影剂施加到选择性暴露的光致抗蚀剂层上以形成图案来使潜在图案显影。

公开(公告)号：CN112859515A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011350050.4

申请日：2020-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  张庆裕

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。所述用于形成光致抗蚀剂图案的方法包括在基板上形成包含光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。所述光致抗蚀剂组合物包括金属粒子和附接到所述金属粒子的热稳定配体。所述热稳定配体包含支链或非支链、环状或非环状的C1‑C7烷基或C1‑C7氟代烷基。所述C1‑C7烷基或C1‑C7氟代烷基包含以下中的一者或多者：‑CF3、‑SH、‑OH、＝O、‑S‑、‑P‑、‑PO2、‑C(＝O)SH、‑C(＝O)OH、‑C(＝O)O‑、‑O‑、‑N‑、‑C(＝O)NH、‑SO2OH、‑SO2SH、‑SOH，或‑SO2‑。使所述光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射，并且使所述光致抗蚀剂层显影以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。在一个实施方式中，所述方法包括在使所述光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射之前加热所述光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN112447501A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010868498.9

申请日：2020-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何俊智 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027

Abstract: 一种形成图案化光阻层的方法，包括以下步骤：在基板上形成图案化光阻层；形成覆盖图案化光阻层的成型层；在成型层中回流图案化光阻层；以及从回流的图案化光阻层移除成型层。在一些实施例中，成型层具有玻璃转化温度高于或等于图案化光阻层的玻璃转化温度。在又一些实施例中，成型层具有玻璃转化温度比图案化光阻层的玻璃转化温度低3℃至30℃。

公开(公告)号：CN106876251B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201610785776.8

申请日：2016-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  张庆裕 ,  王建惟

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。提供半导体基材。形成包含感光性添加剂成分的图案化层在半导体基材上。感光性添加剂成分包含金属阳离子。在金属阳离子及一或多个阴离子之间形成一或多个键。一或多个阴离子的每一者为保护基及高分子链键结成分的一者。高分子链键结成分与图案化层的高分子链键结。以辐射对半导体基材进行曝光。

公开(公告)号：CN106468859B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201510859496.2

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  张庆裕 ,  陈俊光

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明提供用以使用二次曝光界定多个层图案的方法，包含在衬底上方形成第一光致抗蚀剂层，保护层材料沉积于第一光致抗蚀剂层上方以形成保护层。在保护层上方形成第二光致抗蚀剂层。通过第一掩模执行第一光刻曝光过程，以曝光第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层并且形成底部潜在图案。通过第二掩模执行第二光刻曝光过程，以曝光第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层并且形成顶部潜在图案，其中顶部潜在图案与底部潜在图案至少部分地重叠。显影第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层以及保护层，以形成分别来自底部潜在图案及顶部潜在图案的第一主要特征及第二主要特征及保护层中的与第二主要特征垂直对准的开口。

公开(公告)号：CN111208716A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910462253.3

申请日：2019-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  刘朕與 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/40

Abstract: 本揭露是关于一种微影方法，其包括在基板上方形成抗蚀剂层。抗蚀剂层曝露于辐射。使用移除所曝露的抗蚀剂层的曝露部分的显影剂显影所曝露的抗蚀剂层，进而形成图案化的抗蚀剂层。使用碱性水冲洗溶液冲洗图案化的抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN106353969B

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201610013802.5

申请日：2016-01-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑雅玲 ,  张庆裕 ,  王建惟 ,  陈彦豪

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明的更广泛形式之一涉及制造半导体器件的法。方法包括将光刻胶层曝光于辐射源以及将硬化剂应用于光刻胶层。因此，在应用硬化剂之后，光刻胶层的第一部分具有比光刻胶层的第二部分更高的玻璃化转变温度、更高的机械强度。本发明实施例涉及光刻工艺和材料。

公开(公告)号：CN106168739B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201510859346.1

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑雅玲 ,  张庆裕 ,  陈建志

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及图案化光致抗蚀剂的去除。具体的，本发明提供一种用于执行光刻工艺的方法。所述方法在光致抗蚀剂已被用作为蚀刻掩模后，促进光致抗蚀剂从晶片的去除。所述光致抗蚀剂可以是负色调光致抗蚀剂，其经历曝露于电磁能的交联过程。通过降低的曝光后烘烤温度和/或减少交联剂加载来限制所述交联，所述光致抗蚀剂或者至少其一部分可具有减小的溶剂式剥除阻力。由于所述减小的溶剂式剥除阻力，所述光致抗蚀剂的一部分可使用溶剂式剥除加以去除。在所述溶剂式剥除之后，可执行干蚀刻以去除所述光致抗蚀剂的剩余部分。

公开(公告)号：CN110941148A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910864390.X

申请日：2019-09-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘朕与 ,  林子扬 ,  张雅晴 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。本公开的一些实施例提供一种方法，包括：形成第一层于基板之上并形成黏着层于所述第一层之上，其中所述黏着层具有包括环氧基团的组合物。形成光刻胶层，所述光刻胶层直接位于黏着层上。将所述光刻胶层的一部分曝光于辐射源下。利用环氧基团使所述黏着层的组合物与所述光刻胶层的曝光部分交联。通过像是负型显影剂来显影所述光刻胶层以形成光刻胶图案部件，所述光刻胶图案部件可覆盖所形成的交联区域。