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公开(公告)号：CN111952444A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010412546.3
申请日：2020-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法包括沉积多个层，沉积多个层包括沉积自旋轨道耦合层；在自旋轨道耦合层上方沉积介电层；在介电层上方沉积自由层；在自由层上方沉积隧道阻挡层；以及在隧道阻挡层上方沉积参考层。该方法还包括执行第一图案化工艺以图案化多个层；以及执行第二图案化工艺以图案化参考层、隧道阻挡层、自由层和介电层。第二图案化工艺停止在自旋轨道耦合层的顶面上。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN110943157A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910891688.X
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 自旋轨道扭矩(SOT)磁性器件包括：底部金属层；第一磁性层，设置在底部金属层上方；间隔件层，设置在第一磁性层上方；以及第二磁性层，设置在间隔件层上方。用于抑制第一磁性层的金属元素扩散到底部金属层中的扩散阻挡层设置在底部金属层和第一磁性层之间。本发明的实施例还涉及自旋轨道扭矩(SOT)磁性器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN110504355A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201810924712.0
申请日：2018-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在此提供一种半导体装置，包括半导体基板，自由磁性元件位于半导体基板上，自由磁性元件具有以域壁分隔的第一和第二磁域。第一磁体位于基板上靠近自由磁性元件的第一端部，并且具有第一极性和第一矫顽磁力值。第二磁体位于基板上靠近自由的磁性元件的第二端部，并且具有相对于第一极性反向平行的第二极性，和不同于第一矫顽磁力值的第二矫顽磁力值。
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公开(公告)号：CN119855161A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411970951.1
申请日：2024-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种存储器器件包括自旋轨道扭矩(“SOT”)导体、SOT导体上方的磁隧道结(“MTJ”)结构、MTJ结构上方的双端子读取选择器、MTJ结构下方的双端子写入选择器和SOT导体下方的位线。双端子读取选择器与MTJ结构中的钉扎层导电连接。双端子写入选择器与SOT导体的第一端子导电连接。位线与SOT导体的第二端子导电连接。本申请的实施例还公开了形成存储器器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118712076A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410739891.6
申请日：2024-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括在第一衬底上方形成第一接合焊盘，其中第一接合焊盘包括铁磁材料的层，其中每个第一接合焊盘产生具有第一定向的相应磁场；以及使用金属至金属接合将第二接合焊盘接合至第一接合焊盘。本公开的实施例还涉及半导体器件。
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公开(公告)号：CN113540148B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202110726349.3
申请日：2021-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B61/00
Abstract: 本申请的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底，具有第一侧和第二侧；第一晶体管，包括位于第一突起上方的第一栅极以及插入第一突起的第一源极区域和第一漏极区域；第一掩埋接触件，设置为与第一突起相邻并具有延伸到衬底中的至少一部分；第一接触塞，设置在第一漏极区域上方；第一导线，设置在第一接触塞上方并通过第一接触塞电连接至第一漏极区域；第一通孔，穿过衬底并连接第一掩埋接触件；以及第二导线，设置在衬底的第二侧上方并电连接至第一通孔。第一掩埋接触件电连接到第一源极区域或第一栅极。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN116249429A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210966695.3
申请日：2022-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例公开了存储器、存储器器件和制造方法。具体地，公开了一种包括底部电极桥和重叠并物理耦合到底部电极桥的自旋轨道扭矩结构的磁存储器器件及其制造方法。在一个实施例中，一种存储器包括在第一通孔上的第一电极；在第二通孔上的第二电极；结构物理耦合且电耦合到第一电极和第二电极的自旋轨道扭矩(SOT)结构，SOT结构与第一电极和第二电极重叠；以及在SOT结构上的磁隧道结(MTJ)。
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公开(公告)号：CN110957420B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201910927819.5
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种磁性随机存取记忆体辅助装置和其制造方法。本案提供一种磁性随机存取记忆体辅助的非挥发性霍尔效应装置，该装置包括安置在基板上的自旋轨道扭矩层，以及安置在该自旋轨道扭矩层上的磁性层。金属氧化层安置在该磁性层上。自旋轨道扭矩层的多个部分从磁性层及金属氧化层向外延伸，所述多个部分位于在平面图中的第一方向的相对侧及第二方向的相对侧上，其中第二方向垂直于第一方向。
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公开(公告)号：CN114725280A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210005309.4
申请日：2022-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种存储器元件及其制造方法。存储器元件包括磁性穿遂结与自旋霍尔电极。磁性穿遂结包括自由层、参考层以及延伸于自由层与参考层之间的阻障层。自旋霍尔电极接触于磁性穿遂结且经配置以将电荷电流转换为用于写入磁性穿遂结的自旋电流。自旋霍尔电极由包括重金属元素与过渡元素金属的合金构成。重金属元素选自于具有填于5d轨域的一或多个价电子的金属元素，且轻过渡金属元素选自于具有部分填满3d轨域的一或多个价电子的过渡金属元素。
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