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公开(公告)号：CN105655458A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610152156.0
申请日：2016-03-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0075 , H01L33/405 , H01L33/42
Abstract: 本发明公开一种增加发光面积LED芯片结构，包括衬底、外延层、导电层、P电极和N电极；外延层由依次形成的N-GaN、有源发光层及P-GaN构成，N-GaN形成在衬底上；导电层形成在P-GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P-GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N-GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P-GaN及导电层绝缘。本发明还公开一种增加发光面积LED芯片结构制作方法。本发明可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。
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公开(公告)号：CN105590943A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610103085.5
申请日：2016-02-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/007 , H01L33/46 , H01L2933/0033
Abstract: 一种高压LED及其制作工艺，涉及LED的制造技术领域。在半制品表面蒸镀DBR层，再通过刻蚀，保留每个元胞的量子阱层侧壁和N-GaN层表面的DBR层，以及在元胞的第二电极区域和相邻的另一元胞的第一电极区域之间的衬底表面、N-GaN层侧壁、量子阱层侧壁、P-GaN层侧壁及P-GaN层表面的DBR层；形成的产品特点：在各元胞的量子阱层侧壁、N-GaN层表面设置DBR绝缘层，在所述元胞的第二电极和相邻的另一元胞的第一电极之间的衬底表面、N-GaN层侧壁、量子阱层侧壁、P-GaN层侧壁及P-GaN层表面设置DBR绝缘层。可减少光损失，在使元胞之间采用DBR绝缘的功能上再提升芯片的亮度。
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公开(公告)号：CN105355768A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510912084.0
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/005 , H01L33/44 , H01L33/52
Abstract: 一种具有高发光效率的发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域，在朝向缓冲层的衬底表面设置形貌不同的PSS表面图形，在p电极下方设置位错阻挡层，所述位错阻挡层设置在p电极设置区域内的ITO透明导电层以下至部分n型导电层；在位错阻挡层下方设置位错线密集区，所述位错线密集区设置在p电极设置区域内的部分n型导电层以下至非故意掺杂层。本发明在位错阻挡层下设置位错集合区，减少发光区域的位错密度，改善了发光区域的外延晶体质量，减弱大工作电流下Efficiency-Droop效应及提高了发光二极管的可靠性；采用位错阻挡层起到了增加P电极的电流扩展效果，有效提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN105355732A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510912092.5
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/38
Abstract: 一种倒装蓝绿发光二极管芯片的制备方法，涉及发光二极管的生产技术领域，本发明工艺特点是：在制作第一型欧姆接触层时，采用不同三五族化合物外延生长形成至少两层第一型欧姆接触结构层；对各第一型欧姆接触结构层依次刻蚀，裸露出具有台阶状的第一型欧姆接触结构层；在步骤5）中第一电极分别与各第一型欧姆接触结构层连接。本发明通过在外延生长结构，设置不同材料的第一型欧姆接触层，通过芯片结构设置台阶式第一型欧姆接触面，形成有效地电流扩展趋势，增强了第一型电流扩展效果，降低了工作电压，有效提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN105206729A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510717801.4
申请日：2015-10-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种提升取光效率的GaN-LED芯片，涉及LED芯片的生产技术领域，包括设置在外延片上的芯片区域和切割道区域，其特征在于在所述切割道区域设置点阵排列的若干锥形台，各锥形台的底部连接在外延片的N-GaN层上，各锥形台具有能够将外延片的多量子阱层发出的侧向光反射至芯片正面的侧面。本发明通过在LED芯片切割道设计的锥形台，增加LED芯片侧出光的反射渠道，以此来增加LED芯片取光效率，使正向光的出光量增加，从而提升LED芯片亮度。本发明芯片区域的设计适用于现有的正装、倒装或垂直结构等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105161590A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510627550.0
申请日：2015-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32
Abstract: 本发明公开一种氮化物系发光二极管，包括一衬底，在所述衬底上依次设置有非掺层u-GaN、n型导电层n-GaN、有源区和限制层P-AlGaN，在所述限制层P-AlGaN上设置有V型坑蚀刻层，在所述V型坑蚀刻层上设置有V型坑成核层，在所述V型坑成核层上设置有V型坑三维快速层，在所述V型坑三维快速层上设置有V型坑二维快速层，在所述V型坑二维快速层上依次设置有P型导电层、P型接触层和ITO导电层。本发明增加P型区域空穴注入有源区的数量，提高内量子效率；减少V型坑形成漏电通道，提高发光二极管的可靠性，能够提高蓝绿光芯片的内量子效率。
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公开(公告)号：CN108346722B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201710039107.0
申请日：2017-01-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种蓝绿发光二极管，包括有源区，该有源区由从下至上依次生成的低温前阱层、量子阱、盖帽层和量子垒多个循环组成，该盖帽层由生长温度阶梯式升温的第一盖帽层、第二盖帽层和第三盖帽层组成。本发明还公开一种蓝绿发光二极管的外延方法。本发明可以提高有源区的晶体质量，从而有效提高内量子效率。
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公开(公告)号：CN105655458B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201610152156.0
申请日：2016-03-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种增加发光面积LED芯片结构，包括衬底、外延层、导电层、P电极和N电极；外延层由依次形成的N‑GaN、有源发光层及P‑GaN构成，N‑GaN形成在衬底上；导电层形成在P‑GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P‑GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N‑GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P‑GaN及导电层绝缘。本发明还公开一种增加发光面积LED芯片结构制作方法。本发明可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。
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公开(公告)号：CN106129214B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610557040.5
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的P电极结构、LED芯片结构及其制造方法，P电极由多层金属构成，其中最底层为Al，LED芯片结构包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成ITO透明导电层，ITO透明导电层上形成P电极，其中P电极的最底层为金属Al,Al经加热渗透进ITO透明导电层，使ITO透明导电层和P型层形成肖特基接触。本发明提升了电极的光反射率，提高了LED芯片的亮度，并且使得LED芯片的制作工艺更简单。
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公开(公告)号：CN105449057B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201510764604.8
申请日：2015-11-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种集成多孔状反射层的发光二极管，在衬底上依次生成低温缓冲层、高温缓冲层、多孔状反射层、N型掺杂层、有源层、电子阻挡层、P型接触层及透明导电层，P电极设置在透明导电层上，衬底为绝缘衬底时，N电极设置在N型掺杂层上，衬底为导电衬底时，N电极设置在衬底背面；多孔状反射层的组成材料为N型GaN，由具有多孔状结构的N型轻掺层与N型重掺层交替层叠组成。本发明可以提高外量子效率，且可适用于垂直结构LED芯片，而不会对LED芯片的工作电压造成影响。
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