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公开(公告)号：CN116314521A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310214159.2
申请日：2023-03-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种LED芯片及其制备方法，通过提供一外延片，在外延片的表面沉积形成电荷平衡CB层，并得到图形化的CB图案和裸露的部分P‑GaN层；在裸露的部分P‑GaN层上制备反射镜；形成阻挡层；在阻挡层和提供的键合衬底上制备键合层；将完成制备键合层的外延片与键合衬底进行键合，并去除蓝宝石衬底；刻蚀去除蓝宝石衬底的外延片，形成满足配光需求的外延层结构，外延层结构的边缘为具有预设倾斜角度的侧壁；沉积绝缘PV层，并对PV层进行图形化使部分N‑GaN层裸露；在PV层和裸露的部分N‑GaN层上制备N电极。以此实现在制备过程中对LED芯片发光角度的调节的目的。
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公开(公告)号：CN117691009A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311789097.4
申请日：2023-12-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，其可通过腐蚀或刻蚀的方法实现所述导电衬底的分割，或者采用图形化电镀的方法直接沉积相互分割所述导电衬底，以实现所述导电衬底在晶圆端的预先分割。基于此，在后续制备出子半导体单元阵列后，无需再进行切割和劈裂，进而避免了后续导电衬底切割过程中机台昂贵、切割效率低下、晶圆翘曲、切边拉丝、金属颗粒污染等一系列问题。
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公开(公告)号：CN116936708A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311016583.2
申请日：2023-08-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/40 , H01L33/38 , H01L33/00 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过设置所述第一电极和/或第二电极包括Au、Al、Ag、Ni、Be、Cr、Ti、Zn、Pt、W、Ta中的至少两种的堆叠结构。进一步地，所述第一电极和/或第二电极包括含Au层和Al层的至少两种的堆叠结构，且所述第一电极和/或第二电极的表面为Au层，通过Al层中和Au层的价格，同时表面为化学性质稳定的Au层，进而节省成本的同时提高电极的稳定性。其次，所述堆叠结构内具有若干个通孔，且各所述Au层通过嵌入所述通孔的方式形成互连；基于此，在节省成本的同时，充分利用Au良好的导电性的特点，使电极保持低内阻，进而可很好地保证电极的电流传导性能。
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公开(公告)号：CN220627837U
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202322024302.X
申请日：2023-07-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，通过：在所述导电基板的表面依次设置导电型键合层、金属反射层、介质层、第二欧姆接触层以及外延叠层；其中，所述介质层具有若干个通孔，且在所述通孔内设有第一欧姆接触层；所述第二欧姆接触层与所述第一欧姆接触层形成接触。从而，在所述外延叠层表面通过介质层+金属反射层的配合形成了ODR全方向反射镜，使光线被反射后从LED芯片的上表面取出，有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率；同时，通过所述第一欧姆接触层、第二欧姆接触层和通孔的配合接触，在保证金属反射层与外延叠层的半导体材料接触的同时，可横向阻挡所述金属反射层和电极的金属扩散。
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公开(公告)号：CN220106568U
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202320990535.2
申请日：2023-04-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片，在所述外延叠层表面通过介质层+金属反射层的配合形成了ODR全方向反射镜，使光线被反射后从LED芯片的上表面取出，有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率；同时，通过嵌入所述集成金属层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，并通过蚀刻的方式裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN219917207U
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202320647683.4
申请日：2023-03-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，通过第一绝缘层、第一电极连通层、第二绝缘层的配合设计，使得所述导电基板与所述第二型半导体层(P型半导体层)直接电性连接，进一步地，所述导电基板可作为LED芯片与外部接触的第二电极，如此实现了LED芯片在发光台面所产生的热量在垂直方向上直接传输至所述导电基板，从而有利于热量的散出、降低了LED芯片的热阻。同时，通过通孔设计，形成了LED上、下表面相互结合(即第一电极连通层与第一电极层的相互配合)的复合型电极结构，使得电流注入更佳均匀，有效改善了大电流注入时所带来的俄歇复合问题。
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公开(公告)号：CN219553670U
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202320374150.3
申请日：2023-03-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种微型发光元件，本实用新型提供的微型发光元件，包括基板及位于所述基板表面的若干个LED芯片；其中，所述基板具有若干个间隔分布的电极连接部件；所述LED芯片包括垂直结构LED芯片；所述垂直结构LED芯片横卧于所述基板表面，且所述垂直结构LED芯片的两极性电极分别与所述电极连接部件连接。同时，通过遮挡其余出光面，使光只通过一个面出射，实现了良好的发光形貌，呈朗伯分布。另外，基板表面的若干个LED芯片可以在芯片制作过程中通过晶圆级键合，实现若干个LED芯片的集成，避免了传统混光过程中的多次巨量转移，实现全彩化，并且可以突破现有芯片技术的尺寸限制，使得发光单元做得更小。
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公开(公告)号：CN220627835U
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202322114734.X
申请日：2023-08-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种红光MiniLED外延结构、红光Mini LED芯片及RGB Mini LED芯片，其中Mini LED外延结构包括：堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠的第一型半导体层、第一界面层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二界面层及第二型半导体层，其中，第一界面层可避免第一型半导体层的掺杂剂扩散导致第一型限制层及第一波导层界面粗化；第二界面层可避免第二型半导体层的掺杂剂扩散导致第二型限制层及第二波导层界面粗化；同时还可避免第一型半导体层和第二型半导体层的掺杂剂扩散至有源区形成非辐射复合中心，导致可靠性降低的问题；且，第一界面、第一波导层、第二波导层及第二界面层皆包括无掺杂的半导体材料层，可有效提升有源区的晶体质量，进而提高内量子效率及光输出功率。
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公开(公告)号：CN220627833U
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202322172123.0
申请日：2023-08-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，通过设置所述第一电极和/或第二电极包括Au、Al、Ag、Ni、Be、Cr、Ti、Zn、Pt、W、Ta中的至少两种的堆叠结构。进一步地，所述第一电极和/或第二电极包括含Au层和Al层的至少两种的堆叠结构，且所述第一电极和/或第二电极的表面为Au层，通过Al层中和Au层的价格，同时表面为化学性质稳定的Au层，进而节省成本的同时提高电极的稳定性。其次，所述堆叠结构内具有若干个通孔，且各所述Au层通过嵌入所述通孔的方式形成互连；基于此，在节省成本的同时，充分利用Au良好的导电性的特点，使电极保持低内阻，进而可很好地保证电极的电流传导性能。
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公开(公告)号：CN220121867U
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202321151166.4
申请日：2023-05-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED外延结构，所述N型半导体层至少包括三个N型半导体子层，且至少两个所述N型半导体子层的N型掺杂浓度不一致。进一步地，在所述N型半导体层中，靠近所述衬底一侧的N型半导体子层为N型半导体底层，靠近所述有源层一侧的N型半导体子层为N型半导体顶层，其余的N型半导体子层为N型半导体中间层；则，至少一N型半导体中间层的N型掺杂浓度低于所述N型半导体底层和/或N型半导体顶层的N型掺杂浓度。使得所述N型半导体层的N型N型掺杂浓度呈高低高的阶梯式分布结构，该结构能够对高压静电起到缓冲的作用，降低了高压静电的破坏力，提升ESD性能，同时避免因有源层的N型掺杂降低而影响ESD性能。
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