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公开(公告)号：CN119816079B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510295715.2
申请日：2025-03-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种具有SHG响应的二维有机/无机异质结光电器件及其制备，属于非线性光学器件技术领域。制备时，先通过机械剥离法将二维无机材料对撕到衬底上，得二维无机材料/衬底结构；再通过外延生长法诱导有机分子在二维无机材料表面有序排列，形成有机/无机异质结。本申请通过调控有机分子的覆盖度和二维无机材料的厚度优化异质结界面处的电荷转移，从而增强材料的SHG响应，所制Me‑PTCDI/GaSe异质结的SHG响应强度优于单一组分，其光谱响应可以从原本的可见光范围拓展到近红外波段，SHG转换效率甚至高达0.26%，在非线性光学器件中具有重要应用潜力。
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公开(公告)号：CN119450252B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510014025.5
申请日：2025-01-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04N25/703 , H04N1/44 , H10F30/222 , H10F77/12 , H10F77/42
Abstract: 本发明公开基于二维无机/无机范德华异质结偏振光电探测器进行通信加密的方法，属于光电器件技术领域。所述光电探测器包括衬底、二维MoSe2材料层、二维ReS2材料层和薄膜电极，两个二维材料层构成范德华垂直异质结且为II型异质结构；由于ReS2各向异性的光吸收、MoSe2有效的载流子收集和输运能力以及异质结对暗电流的抑制作用，二维ReS2/MoSe2光电探测器的光电性能明显提升，同时具备89.4 A/W的高响应度、30.5 µs的快响应速度以及偏振敏感特性，在此基础上借助偏振态信息加密技术对信息进行多重加密，能极大提升信息传输过程的隐蔽性和安全性，为未来安全通讯技术的发展提供新的可能。
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公开(公告)号：CN119233653A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411748895.7
申请日：2024-12-02
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种二维有机/无机异质结光电神经元器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本申请先通过机械剥离的方法将TMDC材料MoS2转移至衬底上，再通过电子束光刻法在MoS2层上镀覆薄膜电极，最后利用倒扣法在MoS2层上外延生长单层Me‑PTCDI晶体形成异质结。MoS2/Me‑PTCDI异质结的形成使得光电神经元器件具有出色的光敏性、光适应性，能模拟视网膜本质光敏神经节细胞在不同光照下的反应；该器件能够在光脉冲刺激下做出电流改变，从而模仿人体褪黑素的产生与作用，并且能在栅压调控下做到明亮和黑暗环境下的视觉自适应，相应特性使得此器件在自动驾驶领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115615937B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211546356.6
申请日：2022-12-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/25 , G01N21/59 , G02B1/00 , G03F7/00 , C23C16/50 , C23C16/24 , B82Y30/00 , B82Y20/00 , B82Y15/00
Abstract: 高品质因数光子晶体传感器、其制备方法及传感检测方法，结合了软纳米压印技术和刻蚀工艺，制备了厘米级高品质因数的光子晶体，同时该结构具有高分辨率、高灵敏度的优点；该方法极大地优化了工艺过程，提高生产效率，降低了工艺成本；厘米级高品质因数光子晶体传感器用于传感不同折射率溶液，实现最高灵敏度为1703nm/RIU。
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公开(公告)号：CN119584698A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411876263.9
申请日：2024-12-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及电学器件的光电探测器结构领域，公开了一种六方氮化硼封装二维金属硫化物的光电探测器及制备方法。六方氮化硼h‑BN提供的化学惰性表面不仅有效防止环境降解，还能够改善二维金属硫化物材料与基材之间的界面质量，显著减少了因传统基材表面粗糙度和缺陷所导致的电荷散射，从而实现更高效的电荷传输。实验结果表明，h‑BN/MoS2/h‑BN封装带来的原子光滑表面在很大程度上促进了电荷载流子的高效传输，显著增强了二维金属硫化物材料的光电性能。通过消除衬底引起的表面粗糙度并最大限度减少缺陷状态，h‑BN有效降低了电荷载流子散射，进一步增强了响应性和光电流测量。h‑BN封装还对抑制激子湮灭起到了关键作用，对于改善光电性能至关重要。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119233653B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411748895.7
申请日：2024-12-02
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种二维有机/无机异质结光电神经元器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本申请先通过机械剥离的方法将TMDC材料MoS2转移至衬底上，再通过电子束光刻法在MoS2层上镀覆薄膜电极，最后利用倒扣法在MoS2层上外延生长单层Me‑PTCDI晶体形成异质结。MoS2/Me‑PTCDI异质结的形成使得光电神经元器件具有出色的光敏性、光适应性，能模拟视网膜本质光敏神经节细胞在不同光照下的反应；该器件能够在光脉冲刺激下做出电流改变，从而模仿人体褪黑素的产生与作用，并且能在栅压调控下做到明亮和黑暗环境下的视觉自适应，相应特性使得此器件在自动驾驶领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118145593B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410566775.9
申请日：2024-05-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 基于软纳米压印的TMDC材料图案化方法，根据TMDC二维材料的厚度调整SF6气体刻蚀时间，能够自由调控纳米图案深度，实现不同光学性能需求的适配；针对性的优化RIE电子束刻蚀工艺实现了大面积的样品制备，能够实现TMDC二维材料全面积图案化；极大优化了工艺过程，提升了科研生产效率，降低了工艺成本；在与光电器件集成时，本方法使用氧化硅片作为衬底时，需先使用RIE等离子刻蚀机通入O2 5s处理氧化硅片表面，增加其亲水性，使得SU8旋涂的更加均匀；本方法对不同厚度、种类的TMDC具有普适性。
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公开(公告)号：CN117858520B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410257498.3
申请日：2024-03-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种二维有机/无机异质结光电探测器及其制备方法，属于光电器件技术领域。本申请通过机械剥离的方法将少层二维材料转移至衬底上作为基材，通过PDMS将少层二维合金材料转移至基材上的二维材料一侧，再将基材放入管式炉中，通过控制加热温度和时间准确的在二维合金材料上外延生长单层有机分子层形成异质结，最后将金薄膜转移至有机分子层上即制得光电探测器。范德华外延生长的有机分子层与二维合金材料形成的异质结缺陷较少，能增强光吸收且不会导致载流子被捕获，使得光电探测器具有出色的检测能力，大的光吸收和光电导增益，以及快的响应速度，能够在较弱的光下实现高帧率的快速成像，在成像领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117858520A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410257498.3
申请日：2024-03-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种二维有机/无机异质结光电探测器及其制备方法，属于光电器件技术领域。本申请通过机械剥离的方法将少层二维材料转移至衬底上作为基材，通过PDMS将少层二维合金材料转移至基材上的二维材料一侧，再将基材放入管式炉中，通过控制加热温度和时间准确的在二维合金材料上外延生长单层有机分子层形成异质结，最后将金薄膜转移至有机分子层上即制得光电探测器。范德华外延生长的有机分子层与二维合金材料形成的异质结缺陷较少，能增强光吸收且不会导致载流子被捕获，使得光电探测器具有出色的检测能力，大的光吸收和光电导增益，以及快的响应速度，能够在较弱的光下实现高帧率的快速成像，在成像领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101335618B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200810123598.8
申请日：2008-07-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种使用证书对对等网节点进行评价和授权的方法，提出了一种侧重于对等网中安全的授权方案，利用对等网节点动态性强、节点自主性强等特点，采用了评价和权限关联的授权方案，主要用来解决分布式计算中的安全授权问题，该方法为：资源提供者根据节点所持有的授权证书级别，以及资源请求者所请求访问的资源级别进行授权决策；资源提供者及资源请求者在交易结束以后，直接采用评价证书对对方的表现进行评价；节点下次登录时，首先将获得的评价证书和剩余的授权证书到所在的超级节点上进行证书兑换，获得新的证书时间戳，继续以后的交易，提高对等计算领域中对节点行为进行评价的合理性和授权的安全性。较之其他的评价和授权方案，该方案具有简单、安全等特点。
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