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公开(公告)号：CN116096102A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310261183.1
申请日：2023-03-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于电子材料及器件技术领域，涉及一种基于氟化电介质的双介电层有机场效应晶体管的制备方法，晶体管包括：衬底、源漏电极、有机半导体层、介电层和栅极，介电层包括下方与有机半导体层接触的无氟聚合物介电层和位于其上的氟化聚合物介电层；首先以蒸镀的方式在衬底上方蒸镀形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成有机半导体层和介电层，然后通过蒸镀的方式在介电层上方形成栅极；本发明在无氟聚合物介电层上再旋涂一层氟化聚合物介电层，可以将有机场效应晶体管从双极性电荷传输调节为单极性电荷传输，揭示了用于未来有机电子的电介质的新功能，适宜发展相关的互补对称CMOS电路及应用。
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公开(公告)号：CN115000301A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210392987.0
申请日：2022-04-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种双介电层场效应晶体管及其制备方法，器件包括玻璃衬底、源漏电极、半导体层、介电层和栅极，介电层包括下方与半导体层接触的低k介电层和位于其上的高k介电层；低k介电层是将低k介电层溶液涂覆在半导体层上形成的；低k介电层溶液是将聚苯乙烯溶于有机溶剂中配置而成，聚苯乙烯的浓度为5‑20mg/mL。本发明利用双介电层结构来改善器件性能，使用低k聚合物抑制高k介电层中极化子引起的能量无序，提高界面中的电荷输运的同时，借助氧化物Al2O3作为高k介电层可有效降低器件工作电压；当低k聚合物的浓度在10‑20mg/mL范围内时，器件的阈值电压、迁移率存在最优匹配。
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公开(公告)号：CN114665018A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210275676.6
申请日：2022-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种有机场效应晶体管半导体层P型掺杂方法及制备的有机场效应晶体管，将2,3,5,6‑四氟‑7,7',8,8'‑四氰二甲基对苯醌(F4‑TCNQ)溶于所述有机半导体层的正交溶剂，作为P型掺杂剂，并在空气氛围中将其旋涂于已经旋涂好的有机半导体层薄膜上，通过快速热退火激活掺杂，从而改善电荷输运中跳跃传输和库仑陷阱引发的问题，以此降低阈值电压，提高开关比。对于P型场效应晶体管来说，该P型掺杂增强了空穴输运，有效提高了饱和电流，并且抑制了电子输运，使得晶体管关闭时功耗降低。该掺杂方法基于溶液法操作，工艺简单，制备成本低，可适用于大规模的成产，对柔性、可便携电子设备的应用有很好的前景。
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公开(公告)号：CN114628585A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210258847.4
申请日：2022-03-16
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂的电接触改良的平面聚合物薄膜晶体管的制备方法，所述聚合物薄膜晶体管具有顶栅顶接触结构。首先在绝缘衬底上旋涂一层有机半导体材料（DPPT‑TT）作为有源层（organic semiconductor,OSC），然后通过掩模版制备一层三氧化钼作为接触掺杂层，再在掺杂层上面制备一层银作为源极和漏极。样品暴露于水氧环境中4个小时，以激活掺杂效应稳定接触界面。然后再旋涂一层介电层材料（PMMA）作为绝缘层。最后通过掩膜版在绝缘层表面制备铝栅电极。该方法制备的这种共面结构的聚合物薄膜晶体管相较于未掺杂的共面聚合物薄膜晶体管，器件从不工作开始明显工作，实现了良好的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN108493098A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810341058.0
申请日：2018-04-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/16 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种基于低温溶液法p型金属碘化物薄膜晶体管的制备方法，首先利用“溶胶凝胶法”制备超薄ZrO2高k介电薄膜代替传统SiO2作为p型TFT器件的栅介电层；然后采用相同溶液加工技术制备CuI半导体沟道层，紫外-可见光吸收能谱测试表明CuI薄膜具有极强的紫外吸收能力；最后通过热蒸发法制备源、漏电极，完成基于高k介电层的p型CuI/ZrO2薄膜晶体管的制备，制得的产物具有低的操作电压，优异的电学性能，为低功耗、高性能CMOS器件的发展奠定良好的科学基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114512612B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202210137601.1
申请日：2022-02-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种通过钝化聚合物晶体管界面提高有机晶体管迁移率的方法。首先将四氯化铪（HfCl4）溶于去离子水（DI），并将其旋涂于P+掺杂的硅片上，以低温热退火的工艺形成氧化铪（HfO2）薄膜；之后将聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）溶于乙酸丁酯（NBA），旋涂在HfO2薄膜表面，以低温热退火的方式形成很薄的PMMA薄膜，来对HfO2的表面进行钝化，从而减小有机场效应晶体管（OFETs）的回滞，提高OFETs的场效应迁移率。该HfO2薄膜的溶液相工艺操作简单，可在大气环境下进行处理，制备成本低，可适用于大规模的成产，对柔性、可便携电子设备的应用有很好的前景。
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公开(公告)号：CN116376408B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202310088394.X
申请日：2023-02-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C09D165/00 , C09D133/12 , H10K85/10 , H10K71/16 , H10K10/46
Abstract: 本发明公开了一种一致高分子有机聚合物链取向薄膜及基于该薄膜的晶体管的制备方法，涉及半导体器件物理领域，一致高分子取向薄膜是在衬底上通过以Langmuir‑Blodgett工艺制备而成，其有机聚合物链依靠其范德华力保持一致取向，通过在有机溶剂DPPT‑TT中配备一定浓度的PMMA溶液，可以改变有机聚合物链互相间受力方式，再通过本专利中的制备方式所制备出的有机器件，可以使其在不同环境中有机聚合物链一致取向排列所受影响大大降低。一致高分子取向薄膜有效的提高了有机场效应晶体管的迁移率，使亚阈值摆幅得以降低。同时，一致高分子有机聚合物链的保护方法使有机场效应晶体管的迁移率收敛性得到较大提高，晶体管性能一致性更加明显。
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公开(公告)号：CN116504815A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310762255.0
申请日：2023-06-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 一种高功率a‑IGZO薄膜晶体管及其制备方法，包括基底、支撑层、栅电极层、栅介质层、a‑IGZO有源层、变掺杂区、源电极层和漏电极层，支撑层设于基底上表面；栅电极层设于支撑层上表面中部；栅介质层覆盖于所述栅电极层和所述支撑层上；a‑IGZO有源层设于栅介质层上表面，变掺杂区为a‑IGZO有源层右端经处理后形成的变掺杂区；源电极层设于a‑IGZO有源层上表面的左侧，漏电极层设于变掺杂区上表面的右侧。本发明提供的漂移区变掺杂结构通过调制漂移区中的电场分布，能够有效提升器件击穿电压，降低漂移区电阻，优化器件导通电阻，显著提升薄膜晶体管的Baliga优值，可以用以提升晶体管的耐压性能和输出电流能力。
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公开(公告)号：CN116381439A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310214741.9
申请日：2023-03-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种利用态密度曲线评估有机场效应晶体管退化性能的方法，涉及有机半导体器件技术领域。态密度曲线是在器件的传输特性曲线的基础上通过使用有效迁移率以及接触电阻亚阈值斜率等传统参数进行处理后绘制得到的，使用态密度曲线评估器件能够更直观的观察到薄膜层陷阱在能量上的分布，载流子从深陷阱中释放大致需要的能量，器件性能的退化可以通过态密度曲线有效表现出来，因而利用态密度曲线评估器件退化性能是具有较强的可行性与通用性的。
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公开(公告)号：CN116322071A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310214218.6
申请日：2023-03-08
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于半导体器件物理领域，公开了一种由垂直有机晶体管构成的反相器，该反相器包括串联的垂直结构的PMOS和垂直结构的NMOS，垂直结构的PMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层DPPT‑TT+N2200和蒸镀的源极和漏极Au，垂直结构的NMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层N2200+DPPT‑TT和蒸镀的源极和漏极Au，DPPT‑TT+N2200和N2200+DPPT‑TT通过提拉方式形成膜。本发明相比于传统水平结构的反相器，有更低的工作电压。
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