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公开(公告)号:CN114665018A
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN202210275676.6
申请日:2022-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种有机场效应晶体管半导体层P型掺杂方法及制备的有机场效应晶体管,将2,3,5,6‑四氟‑7,7',8,8'‑四氰二甲基对苯醌(F4‑TCNQ)溶于所述有机半导体层的正交溶剂,作为P型掺杂剂,并在空气氛围中将其旋涂于已经旋涂好的有机半导体层薄膜上,通过快速热退火激活掺杂,从而改善电荷输运中跳跃传输和库仑陷阱引发的问题,以此降低阈值电压,提高开关比。对于P型场效应晶体管来说,该P型掺杂增强了空穴输运,有效提高了饱和电流,并且抑制了电子输运,使得晶体管关闭时功耗降低。该掺杂方法基于溶液法操作,工艺简单,制备成本低,可适用于大规模的成产,对柔性、可便携电子设备的应用有很好的前景。