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公开(公告)号：CN101172607A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710133857.0
申请日：2007-10-10
Applicant: 南京大学
IPC: C01B33/021 , B82B3/00
Abstract: 本发明提供了一种非晶硅纳米颗粒的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)选用去离子水为溶液用以制备不含表面活性剂包覆的硅颗粒；或配置十六烷基三甲基溴化铵溶液用以制备表面活性剂包覆的硅量子点。(2)将硅靶置于盛有(1)所制备的溶液的烧杯中，然后用准分子激光束辐照硅靶。(3)取出硅靶，溶液中即含有所制备的非晶态硅量子点。本发明的有益效果是方法简单、易行、经济和快速；无毒性；有望成为新的生物传感器的基础材料；所获得的硅量子点可以在有无表面活性剂包覆间选择，从而有更大的应用灵活性和范围。
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公开(公告)号：CN101123295A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710131466.5
申请日：2007-08-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种非晶态薄膜相变记忆材料Ag1－x－yGexSey(0.1＜x＜0.3，0.38＜y＜0.60，其中x，y为原子比，简称AGS)的制备。基于其电阻开关效应设计和制备了一种非挥发相变存储器件。该器件单元总共有5层，在衬底(1)表面沉积一层非反应电极(2铂或高导硅)，在非反应电极(2)上沉积一层绝缘阻隔层(3二氧化硅)，并在其中部刻蚀一个微孔，微孔直径大小决定元件尺寸，在绝缘层(3)上再沉积一层AGS薄膜(4)，最后在其表面沉积一层反应电极(5银)。该相变存储单元具有体积小、结构简单、非挥发、可快速读写、工作电压低、低能耗、可读写次数高、非破坏性读出等优点。
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公开(公告)号：CN101074162A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710024628.5
申请日：2007-06-26
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 一种具有γ－Bi2O3构造的多铁性陶瓷材料，由两种不同价态的过渡金属离子掺杂的Bi2O3，用公式BiM1－xNxO3表示，其中M为V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni或Cu中的一种，其中N为V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni或Cu中的一种，但M和N不同时为一种元素，其中X值为0－1。其制法按M及N的掺杂浓度1－x及x来称量Bi2O3和M及N的氧化物原料，使得金属离子的摩尔浓度比例为：Bi∶M∶N＝1∶(1－x)∶x；将原材料进行球磨；将球磨后的浆体烘干；将烘干后的粉末用研钵充分研磨，压片成型；放进箱式电炉中烧结，使得陶瓷小片结晶成γ－Bi2O3构造。该陶瓷材料应用在磁性信息，铁电信息及磁性及铁电多态信息记录材料。
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公开(公告)号：CN1300051C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200510040200.0
申请日：2005-05-24
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/499 , C04B35/622 , H01B3/12
Abstract: 一种高性能微波介电薄膜，结构式为(1-x)BaTiO3-xNaNbO3，x的取值范围为0.025≤x≤0.075。高性能微波介电薄膜的制备，根据上述微波介电薄膜结构式(1-x)BaTiO3-xNaNbO3，称量BaCO3、TiO2、Na2CO3和Nb2O5粉末，经球磨处理并干燥处理后，用1-35MPa的压力把上述粉末压成薄片；把待烧结薄片相应的粉末放入Al2O3坩埚，并使薄片和粉末处于密封状态，将坩埚置入加热炉中，升温800-1000℃时保温10-60分钟，然后再升温到烧结温度，在1300-1650℃烧结100-300分钟左右，得到相应的陶瓷；把相应的陶瓷片放到脉冲沉积系统的生长室内，用KrF准分子脉冲激光器烧蚀陶瓷，并使溅出物沉积到衬底上，制备薄膜厚度200-600nm的薄膜。本发明可以制备出单相的，介电常数可调性达到78%，介电常数的温度稳定性为1.7×103/℃。
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公开(公告)号：CN1256756C
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN03131920.3
申请日：2003-06-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/283 , H01L21/316 , C23C14/08 , C23C14/46
Abstract: 本发明公开了一种应用于金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜及其制备方法。该发明的技术方案是，把氧化铪和氧化铝粉末经球磨混合后，再冷压成片，然后在高温下烧结而制得铝酸铪陶瓷靶；并利用脉冲激光沉积(PLD)技术，在生长室中充入高纯氮气，利用激光剥离铝酸铪陶瓷靶，产生激光等离子沉积在硅衬底上而制成非晶态的氮铝酸铪薄膜。该薄膜具有高的热力学稳定性，并有较高介电系数和低漏电流。该材料的性能指标已达到国际同类产品的先进水平，可满足功耗要求不高的半导体中场效应管的实际应用要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1699277A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510040200.0
申请日：2005-05-24
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/499 , C04B35/622 , H01B3/12
Abstract: 一种高性能微波介电薄膜，结构式为(1－x)BaTiO3－xNaNbO3，x的取值范围为0.025≤x≤0.075。高性能微波介电薄膜的制备，根据上述微波介电薄膜结构式(1－x)BaTiO3－xNaNbO3，称量BaCO3、TiO2、Na2CO3和Nb2O5粉末，经球磨处理并干燥处理后，用1－35MPa的压力把上述粉末压成薄片；把待烧结薄片相应的粉末放入Al2O3坩埚，并使薄片和粉未处于密封状态，将坩埚置入加热炉中，升温800－1000℃时保温10－60分钟，然后再升温到烧结温度，在1300－1650℃烧结100－300分钟左右，得到相应的陶瓷；把相应的陶瓷片放到脉冲沉积系统的生长室内，用KrF准分子脉冲激光器烧蚀陶瓷，并使溅出物沉积到衬底上，制备薄膜厚度200－600nm的薄膜。本发明可以制备出单相的，介电常数可调性达到78％，介电常数的温度稳定性为1.7×10－3/℃。
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公开(公告)号：CN1206739C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN03113461.0
申请日：2003-05-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/283 , H01L21/314
Abstract: 本发明提供了一种应用于金属-氧化物-半导体场效应晶体管的高介电系数栅电介质材料铝酸锆及其薄膜的制备方法。本发明的技术方案是利用脉冲激光沉积技术，在1250℃温度下，把氧化锆和氧化铝粉末经球磨混合后，再冷压成圆片，然后烧结达6小时得铝酸锆陶瓷靶材，在生长室中进而制得铝酸锆薄膜。该发明提供的铝酸锆薄膜具有高的热力学稳定性，并具有较高介电系数和低漏电流。该材料的性能指标已经达到国际上同行的高介电栅电介质材料研究所达到的较高水平，同时也可满足功耗要求不高的半导体场效应晶体管的实际应用要求。
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公开(公告)号：CN1140930C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02113005.1
申请日：2002-05-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于AlxGa1-xN/GaN异质结的铁电体/半导体存贮器结构及其制法，在蓝宝石衬底上首先用MOCVD技术生长AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构，然后在AlxGa1-xN上用PLD技术生长PZT铁电薄膜，最后用电子束蒸发技术分别在AlxGa1-xN层上淀积Ti/Al欧姆接触电极和在PZT层上淀积Al电极。这种结构利用了PZT/AlxGa1-xN界面的高温稳定性，避免了普通的铁电体/Si MFS结构的界面互扩散和界面反应问题。同时，这种结构以AlxGa1-xN/GaN异质界面高浓度、高迁移率的二维电子气为沟道载流子，有利于提高存贮器结构的响应速度等性质。
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公开(公告)号：CN1140915C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02113080.9
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法，首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜；然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延，获得大面积、低位错密度的GaN厚膜；采用激光扫描辐照剥离技术，将GaN厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来，再进行表面抛光处理，就可以获得高质量GaN自支撑衬底。本发明结合了三种不同技术的优点：获得高质量的位错密度的GaN薄膜；可以快速生长大面积GaN厚膜；可以快速地无损伤的将GaN薄膜从蓝宝石衬底上分离开来。
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公开(公告)号：CN1450660A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03113461.0
申请日：2003-05-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/283 , H01L21/314
Abstract: 本发明提供了一种应用于金属－氧化物－半导体场效应管的高介电系数栅电介质材料铝酸锆及其薄膜的制备方法。本发明的技术方案是利用脉冲激光沉积技术，在1250℃温度下，把氧化锆和氧化铝粉末经球磨混和后，再冷压成型成圆片然后烧结达6小时得铝酸锆陶瓷靶材；在氧气氛的生长室中进而制得铝酸锆薄膜。该发明提供的铝酸锆薄膜具有高的热力学稳定性，并具有较高介电系数和低漏电流。该材料的性能指标已经达到国际上同行得到的高介电系数栅电介质材料研究所达到的较高水平，同时也可满足功耗要求不高的半导体中场效管的实际应用要求。
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