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公开(公告)号：CN117488273A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311556108.4
申请日：2023-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种低粗糙度厚氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于：（1）清洗半导体基片；（2）将清洗后的基片置于反应腔内，调整反应腔内的沉积温度和反应压力，控制沉积温度为820℃～845℃、反应压力为100mTorr～150mTorr、反应气体二氯二氢硅（DCS）和NH3的流量比为1～3：1，在半导体基底上沉积厚度300nm～500nm的氮化硅薄膜；（3）将沉积了氮化硅薄膜的半导体基片继续放置于LPCVD反应腔内，不出腔室，调整LPCVD反应腔内的退火温度为1000℃～1100℃，向反应腔内通入N2或Ar或H2，退火30min～180min。本发明优点：制得的氮化硅薄膜粗糙度达到1nm以内、折射率2.05～2.1，其应力在1000MPa以内，氮化硅厚度可达到500nm，能够满足硅基光电子器件对氮化硅薄膜的需求。
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公开(公告)号：CN112271187B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202011026600.7
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 本发明涉及一种背照式EMCCD背面结构及其制作方法，高阻外延硅层（8）背面设有P+层（13），并蒸镀一层增透膜（14）；在P+层（13）上制有硼离子注入的P+电极接触区（15b），EMCCD背面设有金属化电极（16），金属化电极与P+电极接触区接触；增透膜、P+层、高阻外延硅层的两侧，露出EMCCD正面金属引线电极（6）。本发明制作的金属化电极与P+电极接触区形成金属化欧姆接触电极，在EMCCD存储区、水平移位寄存器及倍增寄存器背面引入低阻通道，解决了背照式EMCCD低阻衬底去除后，毫米级面阵MOS单元在正面多晶硅栅电极时钟脉冲驱动下电荷转移效率降低的问题，从而提高器件探测灵敏度，同时工艺易于实现，兼容性高。
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公开(公告)号：CN112271187A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011026600.7
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 本发明涉及一种背照式EMCCD背面结构及其制作方法，高阻外延硅层（8）背面设有P+层（13），并蒸镀一层增透膜（14）；在P+层（13）上制有硼离子注入的P+电极接触区（15b），EMCCD背面设有金属化电极（16），金属化电极与P+电极接触区接触；增透膜、P+层、高阻外延硅层的两侧，露出EMCCD正面金属引线电极（6）。本发明制作的金属化电极与P+电极接触区形成金属化欧姆接触电极，在EMCCD存储区、水平移位寄存器及倍增寄存器背面引入低阻通道，解决了背照式EMCCD低阻衬底去除后，毫米级面阵MOS单元在正面多晶硅栅电极时钟脉冲驱动下电荷转移效率降低的问题，从而提高器件探测灵敏度，同时工艺易于实现，兼容性高。
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公开(公告)号：CN112271233B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011024274.6
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/105 , H01L31/0224 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开一种硅基背照PIN器件结构的制备方法，包括以下步骤：取基片、清洗基片、P+光刻、注入、P+主扩、外延层生长、初始氧化、P阱光刻、注入与推阱、N环光刻与注入、P隔离光刻、注入与推阱、N‑光敏区光刻、注入与氧化、孔光刻、正面金属化、背面减薄、沉积抗反射膜、背面金属化，得到硅基背照PIN器件结构；该方法通过背照PIN结构植球压焊方式将PIN光电探测器组件体积至少减小三分之二，实现PIN光电探测器P+与N+处于横向互连，基于背照PIN结构，完成了PIN结构光电探测器系统集成一体化，同时满足光电性能要求。
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