公开(公告)号：CN118943205A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410989736.X

申请日：2024-07-23

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 高博 ,  张海峰 ,  朱小燕 ,  刘垚 ,  朱纪洋 ,  刘中梦雪

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L27/08

Abstract: 本发明涉及一种抗浪涌二极管器件结构，属于半导体技术领域。它包括由下到上依次设置的衬底、外延层和介质层，所述外延层中设有两个纵向PN结二极管，每个纵向PN结二极管均包括在外延层中由上到下依次相连二极管一区和二极管二区，每个二极管一区上端分别与外露出介质层的第一金属电极连通、每个二极管二区下端分别与位于衬底中的埋层相连接；在每个二极管一、二区周侧还设有连接区，连接区将内外侧体硅隔离且连接区与对应的二极管一、二区不接触，每个连接区上端共同与外露出介质层的第二金属电极相连接、下端分别与埋层相连接，在每个对应的连接区和埋层的外周侧设有隔离区。本发明具有击穿电压稳定、抗浪涌能力强、击穿后导通电阻低的特点。

公开(公告)号：CN117727783A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311560690.1

申请日：2023-11-22

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 张海峰 ,  宋宁 ,  朱小燕 ,  刘中梦雪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种低导通电阻MOSFET器件结构，属于半导体集成电路技术领域。它包括在MOSFET器件源胞周侧的衬底外延层上设有若干个包围MOSFET器件的环形导电沟道，每个环形导电沟通均包括在衬底的外延层上依次制备的栅氧化层和多晶硅栅，在外延层中通过离子注入形成阱区结构，阱区结构中通过离子注入及推进形成器件的有源区和高掺杂区，有源区和高掺杂区相互接壤，从有源区引出金属层，在衬底背面设有漏端。本发明基于成熟的MOSFET器件结构，通过环形导电沟道结构的引入，不改变工艺制备技术，提高器件的有效宽长比，降低器件的导通电阻，进而有利于降低器件的功耗，同时保证器件的击穿电压，栅漏电等参数满足要求。

公开(公告)号：CN115882792A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211515353.6

申请日：2022-11-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 丁继洪 ,  王博 ,  刘中梦雪 ,  孙涛 ,  张海峰

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/30 ,  H03F3/181

Abstract: 本发明公开一种低频低噪声运算放大器器件，包括表面设有氧化层的硅片，硅片中设有一定结深的P型阱区，氧化层覆盖P型阱区，在P型阱区内设有N沟道区域，其特征在于：所述N沟道区域和P型阱区内设有P型栅区，N沟道区域内设有一组源区和漏区，P型栅区整体呈网格线状，将每个源区或漏区分隔在P型栅区划分的网格内，该组源区和漏区分别通过第一金属引线柱欧姆连接并外露氧化层，经金属导带对应连接分别形成源极和漏极，P型栅区通过第二金属引线柱欧姆连接并外露氧化层经金属导带连接形成栅极。本发明可效降低栅极漏电流，减小输入噪声电压；同时可降低源漏端与金属间的欧姆接触电阻，降低热噪声电压。

公开(公告)号：CN112271233A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011024274.6

申请日：2020-09-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 丁继洪 ,  孙小进 ,  刘中梦雪 ,  赵建强 ,  丁艳丽

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/105 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02

Abstract: 本发明公开一种硅基背照PIN器件结构的制备方法，包括以下步骤：取基片、清洗基片、P+光刻、注入、P+主扩、外延层生长、初始氧化、P阱光刻、注入与推阱、N环光刻与注入、P隔离光刻、注入与推阱、N‑光敏区光刻、注入与氧化、孔光刻、正面金属化、背面减薄、沉积抗反射膜、背面金属化，得到硅基背照PIN器件结构；该方法通过背照PIN结构植球压焊方式将PIN光电探测器组件体积至少减小三分之二，实现PIN光电探测器P+与N+处于横向互连，基于背照PIN结构，完成了PIN结构光电探测器系统集成一体化，同时满足光电性能要求。