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公开(公告)号：CN109728075A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811496829.X
申请日：2018-12-07
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种内建SBD保护结构的SiC-TMOS器件及其制作方法，该SiC-TMOS器件包括自下而上设置的N+基底、N-漂移层，还包括AOD层和第一金属层，AOD层设于N-漂移层的上表面并与第一金属层接触形成SBD，在AOD层的侧面设有对称分布的保护结构以对SBD进行耐压保护。第一方面，在AOD层的侧面设置对称分布的保护结构，使得本申请的SiC-TMOS器件具有双沟道的导通效果，可有效降低导通电阻并增强导通的稳定性；第二方面，由于保护结构中设有P型区域、沟槽栅极区域和P+屏蔽层，使得其具备了三层的耐压保护特性，每个保护层都可形成电荷耦合并在耗尽时减少漏电，提升器件的阻断电压能力也减小了SiC-TMOS器件在内置SBD时的基础性能所受的影响，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109727863A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201910002433.3
申请日：2019-01-02
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明提出一种基于自对准工艺的AlGan/GaN HEMT器件制作方法，包括如下步骤：清洗晶圆后，通过MOCVD在硅基上淀积中间缓冲层和GaN，AlGaN和p-GaN；通过PVD及LPCVD过程淀积Mo作为栅金属，Ni和SiOx作为刻蚀保护层；通过PECVD淀积AlOx作为侧墙封包栅金属Mo；通过BCl3/Ar的ICP-RIE刻蚀工艺去除多余的AlOx；通过Cl2/N2/O2的ICP-RIE工艺选择性刻蚀p-GaN；PVD淀积和退火过程形成源极和漏极的欧姆接触，通过BOE去除SiOx和AlOx，并采用PECVD方法淀积SiNx介质层，完成器件制作。由于整个器件制作方法中使用的工艺和条件均和SiCMOS工艺兼容，并且工艺复杂度低，可操作性强，很好的协调了器件性能和工艺复杂度之间的矛盾。
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公开(公告)号：CN108767017A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810351145.4
申请日：2018-04-18
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/20
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/2003 , H01L29/66143
Abstract: 一种半导体器件和制备方法，由于采用第一阳极欧姆结和第二阳极MIS结的复合阳极结构代替传统的肖特基结阳极，利用MIS结的沟道调控特性替代传统的肖特基结的整流特性，实现半导体器件的两个参数指标反向漏电流(IR)和正向开启电压(VoN)同时提升。同时，在本申请的制备方法中，整个制造过程所使用的工艺方案与条件均可通过标准Fab的工艺实现，并且工艺过程简单，减少了传统半导体器件终端优化设计时开窗口的次数。
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公开(公告)号：CN108259169A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810018768.X
申请日：2018-01-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院 , 深港产学研基地
Abstract: 本发明适用于数据存储技术改进领域，提供了一种基于区块链云存储的文件安全分享方法，包括：S1、通过对称加密算法对文件进行加密数据并将数据密文存储在云盘中；S2、用户将解密数据密文的对称密钥通过加密生成密钥密文并将密钥密文和数据密文存放位置一起作为元数据的一部分存储在区块链上；S3、对存储的文件数据使用新密钥进行代理重加密，通过新密钥以及重加密后的新密文进行安全分享。在区块链去中心化存储架构下的一种私密文件的云端安全存储及分享机制的实现，使得用户存储于云端的数据必须通过私钥才能访问，而在需要向其他用户分享自有加密数据时不用向他人暴露持有者自身的原始密钥，也不必将云端数据全部下载下来后用分享密钥重新加密后再上传。
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公开(公告)号：CN107438848A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201680012948.6
申请日：2016-11-14
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: G06F17/30132 , G06F21/602 , G06F21/6209 , H04L67/1097
Abstract: 一种文件安全存储方法，该方法包括：终端设备根据预设分拆算法将待上传的源文件分拆为多个一级分拆文件(201)；终端设备将所述多个一级分拆文件中的一部分上传至云存储服务器，另一部分用于发送给专用存储装置(202)；终端设备接收专用存储装置发送的多个二级分拆文件并上传至云存储服务器，其中所述多个二级分拆文件为专用存储装置根据所述分拆算法对接收到的所有一级分拆文件分别进行分拆后生成的文件(203)。由于上述文件安全存取方法在存储过程中进行了两级分拆，使得源文件的不完整性得到了充分保证，也就确保了源文件的被恢复难度，从而保证了源文件在云存储服务器中的安全性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104241349B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201410488417.7
申请日：2014-09-22
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本申请公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极、P型集电区、N型隧道掺杂区、N型阻挡层、N型漂移区、MOS区和栅极。P型集电区为简并掺杂区域，费米能级进入价带中；N型隧道掺杂区为掺杂浓度接近简并掺杂的区域，费米能级接近导带底但不进入导带；P型集电区的掺杂浓度比N型隧道掺杂区的掺杂浓度高。该晶体管通过引入N型隧道掺杂区，实现反向导通，因此在工艺制作上，背面无须刻蚀工艺。在工作中，由于没有普通逆导型IGBT集电极端的N型区域，不存在器件正向导通和反向导通时产生的电流集中问题；也不存在器件正向导通时的电压回跳现象。
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公开(公告)号：CN102637733B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210121740.1
申请日：2012-04-24
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种超结绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底、N型基区、P柱和有源区，有源区包括P阱体区，P+阱区和N+阱区；P型衬底下端设置有电极，作为集电极引出；P型衬底上端为N型基区，N型基区内部一侧设置有P柱，P柱上方设置有源区，有源区上方设置有电极，作为发射极引出；N型基区内部未设置有P柱的另一侧上端设置有栅氧化层，栅氧化层上端设置有多晶硅栅，多晶硅栅上方设置有电极，作为栅极引出；P型衬底包括一个高掺杂浓度的衬底区，P型衬底的其余部分为相对低掺杂浓度的衬底区，掺杂浓度为衬底中P型硅的掺杂浓度。本发明通过SJIGBT结构的改进，增加了器件的耐压，器件具有较低的导通电压，同时提升了器件关断速度。
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公开(公告)号：CN113169221B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202080006544.2
申请日：2020-07-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种无结纳米线场效应晶体管，包括无结纳米线(100)，无结纳米线(100)包括沿其轴线方向依次定义的源区(101)、沟道区(103)和漏区(102)；沟道区(103)为不掺杂或轻掺杂，源区(101)、漏区(102)和沟道区(103)掺杂类型相同。源区(101)和漏区(102)的掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度。一种无结纳米线场效应晶体管的制造方法，包括形成无结纳米线(100)，对沟道区(103)进行轻掺杂或不掺杂，使用掺杂工艺对源区(101)和漏区(102)进行与沟道区(103)的掺杂类型相同的掺杂，且掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度，使得源极金属层(301)和漏极金属层(302)与半导体体硅接触时由肖特基势垒引起的接触电阻降低，增大器件的开态电流与跨导，抑制随机掺杂引起的波动。
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公开(公告)号：CN114598632A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210074247.2
申请日：2022-01-21
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H04L45/02 , H04L45/24 , H04L45/74 , H04L69/18 , H04L101/622
Abstract: 本发明提供了一种数据传输方法、系统及介质，所述方法包括以下步骤：在远程零拷贝的过程中调用二层多路径，以获得可用的多路径信息；选用合适的一条或多条路径对数据进行分组和传输。相对于现有技术，本发明实现了在数据传输过程中提供更高的传输带宽，提高了网络利用效率，提高了数据传输速度。
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公开(公告)号：CN112955760B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202080005984.6
申请日：2020-04-02
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种MIS‑HEMT器件的界面态分析方法及装置，该方法通过建立MIS‑HEMT器件的等效模型，等效模型包括用于表示介质层、势垒层和沟道层的等效电路，通过利用该等效模型能够绘制出来与实测的电容‑频率散点图和实测的电导‑频率散点图最能够拟合的一组电容‑频率函数曲线和电导‑频率函数曲线，并将该组作为拟合组函数曲线；根据该拟合组频率函数曲线所对应的一组赋值计算该MIS‑HEMT器件的界面态参数，由于通过该等效模型所拟合的拟合组频率函数曲线能够同时拟合实测的电容‑频率散点图和实测的电导‑频率散点图，使得所分析出的界面态参数具有更高的准确性。
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