公开(公告)号：CN1993834B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN200680000560.0

申请日：2006-01-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦广平 ,  木山诚 ,  樱田隆

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/475

Abstract: 提供一种III族氮化物半导体器件，该半导体器件具有可以提高击穿电压的结构。肖特基二极管(11)由III族氮化物支撑衬底(13)、氮化镓区(15)以及肖特基电极(17)构成。III族氮化物支撑衬底(13)具有导电性。肖特基电极(17)在氮化镓区(15)上形成肖特基结。氮化镓区(15)被制造在III族氮化物支撑衬底(13)的主面(13a)上。氮化镓区(15)具有100秒以下的(1012)-面XRD半峰全宽。

公开(公告)号：CN102859050A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180017185.1

申请日：2011-03-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 樱田隆 ,  川濑智博 ,  羽木良明

IPC: C30B11/00 ,  C30B27/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B27/00 ,  C30B11/00 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明涉及一种抑制了半导体单晶中的缺陷产生的制造半导体单晶的方法。该制造方法包括：在生长容器(10)的内壁上形成氧化硼膜(31)的步骤，所述生长容器(10)具有底部和与所述底部连续的主体部；使所述氧化硼膜(31)与含氧化硅的氧化硼熔融液接触以在所述生长容器(10)的内壁上形成含氧化硅的氧化硼膜(32)的步骤；在所述生长容器(10)的内部和布置在所述底部的晶种(20)上方形成原料熔融液(34)的步骤；以及从所述晶种(20)侧固化所述原料熔融液(34)以生长半导体单晶的步骤。

公开(公告)号：CN102137960A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200980134190.3

申请日：2009-08-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  B24B1/00 ,  C30B33/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B25/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02389

Abstract: 一种制造氮化物衬底(10)的方法，其提供有以下步骤。首先，生长氮化物晶体。然后，从该氮化物晶体切割包括前表面(11)的氮化物衬底(10)。在该切割步骤中，切割氮化物衬底(10)，使得在与前表面(11)正交的轴和m轴或a轴之间形成的偏离角大于零。当在c轴方向上生长氮化物晶体时，在切割步骤中，沿着穿过氮化物晶体的前表面和后表面且没有穿过连接氮化物晶体的前表面的曲率半径中心与后表面的曲率半径中心的线段的平面，从氮化物晶体切割氮化物衬底(10)。

公开(公告)号：CN1624944B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200410098298.0

申请日：2004-12-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  木山诚 ,  中村孝夫 ,  樱田隆 ,  秋田胜史 ,  上松康二 ,  池田亚矢子 ,  片山浩二 ,  吉本晋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种发光装置(30)，它具备电阻率0.5Ω·cm或其以下的氮化物半导体基板(1)、位于氮化物半导体基板的第1主表面侧的n型氮化物半导体层(3)、从氮化物半导体基板看位于比n型氮化物半导体层(3)更远的位置上的p型氮化物半导体层(5)和位于n型氮化物半导体层(3)以及p型氮化物半导体层(5)之间的发光层(4)；将氮化物半导体基板(1)以及p型氮化物半导体层(5)的任意一方安装在放出光的上侧，另外将另一方安装在下侧，位于该上侧的电极由1个构成。基板通过氧掺杂使之n型化，该氧浓度在氧原子1E17个/cm3～2E19个/cm3的范围内，基板的厚度为100μm～200μm。由此，能够得到可小型化，另外因结构简单而制造容易，可长期稳定地得到较大的发光效率的发光元件。

公开(公告)号：CN1977366A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200680000383.6

申请日：2006-03-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  木山诚 ,  樱田隆 ,  田边达也 ,  三浦广平 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 提供具有高纯度沟道层和高阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。高电子迁移率晶体管11设有由氮化镓构成的支撑衬底13、由第一氮化镓半导体构成的缓冲层15、由第二氮化镓半导体构成的沟道层17、由第三氮化镓半导体构成的半导体层19以及用于晶体管11的电极结构(栅电极21、源电极23和漏电极25)。第三氮化镓半导体的带隙比第二氮化镓半导体更宽。第一氮化镓半导体的碳浓度NC1是4×1017cm－3以上。第二氮化镓半导体的碳浓度NC2小于4×1016cm－3。

公开(公告)号：CN108495957B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN201780007967.4

申请日：2017-01-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  樱田隆 ,  高须贺英良 ,  上田俊策 ,  佐佐木将 ,  梶直树 ,  三岛英彦 ,  江口宽航

IPC: G01N23/207 ,  C30B29/36

Abstract: 在检测器6配置于[11‑20]方向、在相对于[‑1‑120]方向在±15°以内的方向上用X射线照射包括主面11的中心O的第一测量区域31、以及使用所述检测器测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第一强度分布1的最大强度的比例大于或等于1500。在检测器6配置于[‑1100]方向、在相对于[1‑100]方向在±6°以内的方向上用X射线照射所述第一测量区域31、以及使用所述检测器6测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第二强度分布2的最大强度的比例大于或等于1500。在所述第一强度分布1指示最大值时的能量的最大值EH1与最小值EL1之差的绝对值小于或等于0.06keV。

公开(公告)号：CN101970708B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN200980000384.4

申请日：2009-02-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: C23C14/06 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/403 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了平坦且薄的AlN薄膜及所述AlN薄膜的制造方法。AlN薄膜(2)包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。在真空室内设置AlN烧结体，并在基材(1)已经设置在真空室内的状态下用激光束对所述AlN烧结体进行照射而产生等离子体，利用该等离子体能够在所述基材(1)上形成所述AlN薄膜(2)，所述AlN烧结体包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。

公开(公告)号：CN1969380B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200680000315.X

申请日：2006-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田边达也 ,  三浦广平 ,  木山诚 ,  樱田隆

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供一种III族氮化物半导体器件，其中可以减小来自肖特基电极的漏电流。在高电子迁移率晶体管11中，支撑衬底13由AlN、AlGaN或GaN构成，具体地。AlyGa1-yN外延层15具有用于150秒或以下的(0002)面XRD的半幅全宽。在氮化镓支撑衬底13和AlyGa1-yN外延层(0＜Y≤1)之间设置GaN外延层17。在AlyGa1-yN外延层15上设置肖特基电极19。肖特基电极19构成高电子迁移率晶体管11的栅电极。在氮化镓外延层15上设置源电极21。在氮化镓外延层15上设置漏电极23。

公开(公告)号：CN102148141A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110006321.9

申请日：2007-11-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  樱田隆 ,  木山诚 ,  善积祐介

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种GaN衬底和半导体器件。该半导体器件能够以高成品率制造且具有优异特性。该半导体器件包括：GaN衬底(10)，该GaN衬底具有反向域(10t)聚集面积(Stcm2)与GaN衬底(10)的主面(10m)的总面积(Scm2)的比率St/S，该比率不大于0.5，在沿着作为GaN衬底(10)主面(10m)的(0001)Ga面的反向域(10t)的密度为Dcm-2，其中在[0001]方向上的极性相关于矩阵(10s)反向的情况下的所述反向域的表面面积为1μm2或更大；以及在GaN衬底(10)的主面10m上生长的至少单层半导体层(20)，其中半导体器件(40)的主面40m的面积Sc和反向域(10t)的密度D的乘积Sc×D小于2.3。

公开(公告)号：CN102099510A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200980127950.8

申请日：2009-06-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  佐藤一成 ,  中幡英章 ,  荒川聪 ,  山本喜之 ,  樱田隆

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物晶体的制造方法及III族氮化物晶体，用于生长具有大的厚度且高品质的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体13的制造方法具备以下的工序。首先，准备具有相对于(0001)面向 方向倾斜的主表面(11a)的底部基板(11)。然后，通过气相生长法在底部基板(11)的主表面(11a)上生长III族氮化物晶体(13)。底部基板(11)的主表面(11a)优选为相对于{01-10}面倾斜-5°以上且5°以下的面。