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公开(公告)号：CN101809730A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880108949.6
申请日：2008-12-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/677 , C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02046 , C23C14/566 , C23C16/4401 , C23C16/45557 , H01L21/67201 , Y10T137/0396
Abstract: 本发明提供了在接收/传送室中能够抑制异物在处理对象物上的粘附的处理方法。本发明还提供了使用这种处理方法制造半导体装置的方法。所述处理方法包括下列步骤：在加载锁定室(衬底加载锁定室)中接收衬底的步骤(图3中的步骤(S21))，所述加载锁定室用于将所述衬底载入到对衬底即处理对象物进行处理的处理室中；和降低所述衬底加载锁定室(3)的内部压力的步骤(图3中的步骤(S23))。在降低内部压力的步骤(S23)中，以相对低的速度、然后以相对高的速度降低压力。
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公开(公告)号：CN101040409B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200580034733.6
申请日：2005-12-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/18 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , H01S5/105 , H01S5/34333 , H01S2301/14 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 一种半导体激光器件(1)，包括：具有主面(3a)的衬底(3)；在其中主面(3a)延伸的方向上具有在衬底(3)上形成的氮化镓外延层(2a)和低折射率材料(2b)的光子晶体层(7)，该低折射率材料(2b)具有低于外延层(2a)的折射率；衬底(3)上形成的n-型敷层(4)；衬底(3)上形成的p-型敷层(6)；插入n-型敷层(4)和p-型敷层(6)之间且当往其中注入载流子时发光的有源层(5)；以及覆盖直接位于光子晶体层(7)上的区域的GaN层(12)。因此，可以在没有熔化工序的条件下，制造该半导体激光器件。
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公开(公告)号：CN101578699A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001465.1
申请日：2008-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/9505 , G01N21/894 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有均匀半导体膜的半导体晶片。对于2英寸直径的半导体晶片(1)，在每一个半导体晶片(3)中形成一个至20个的针孔(3)。因而，在形成半导体膜之后获得半导体晶片(1)的翘曲值减小以及在曝光之后获得尺寸变化减小的效果。可以预计，通过针孔(3)的存在而导致半导体晶片(1)的表面上的位错被消除，从而能够获得这种效果。能够均匀化半导体膜的膜质量，以及均匀化半导体装置的性能，并且可以防止半导体晶片(1)破碎。
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公开(公告)号：CN104781907B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201480002997.2
申请日：2014-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/329 , H01L27/12 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/187 , H01L21/76254 , H01L27/12 , H01L29/475 , H01L29/66212 , H01L29/872
Abstract: 具有75mm或更大直径的III族氮化物复合衬底(1)包括彼此结合的具有0.1mm或更大且1mm或更小的厚度ts的支撑衬底(11)和具有比厚度ts薄的、0.01mm或更大且0.25mm或更小的厚度tf的III族氮化物膜(13)。通过从III族氮化物膜(13)的热膨胀系数αf中减去支撑衬底(11)的热膨胀系数αs确定的热膨胀系数之差Δα的绝对值|Δα|是2.2×10‑6K‑1或更小。支撑衬底(11)的杨氏模量Es和厚度ts、III族氮化物膜(13)的杨氏模量Ef和厚度tf，以及热膨胀系数之差Δα满足通过以下关系：ts2/tf≥6Ef·|Δα|/Es。因此，提供具有大厚度且高晶体质量的III族氮化物膜的低成本、大直径和低变形的III族氮化物复合衬底和由该III族氮化物复合衬底制成的III族氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN104781907A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201480002997.2
申请日：2014-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/329 , H01L27/12 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/187 , H01L21/76254 , H01L27/12 , H01L29/475 , H01L29/66212 , H01L29/872
Abstract: 具有75mm或更大直径的III族氮化物复合衬底(1)包括彼此结合的具有0.1mm或更大且1mm或更小的厚度ts的支撑衬底(11)和具有比厚度ts薄的、0.01mm或更大且0.25mm或更小的厚度tf的III族氮化物膜(13)。通过从III族氮化物膜(13)的热膨胀系数αf中减去支撑衬底(11)的热膨胀系数αs确定的热膨胀系数之差Δα的绝对值|Δα|是2.2×10-6K-1或更小。支撑衬底(11)的杨氏模量Es和厚度ts、III族氮化物膜(13)的杨氏模量Ef和厚度tf，以及热膨胀系数之差Δα满足通过以下关系：ts2/tf≥6Ef·|Δα|/Es。因此，提供具有大厚度且高晶体质量的III族氮化物膜的低成本、大直径和低变形的III族氮化物复合衬底和由该III族氮化物复合衬底制成的III族氮化物半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101556917B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200910134808.8
申请日：2009-04-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/52 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供了形成量子阱结构的方法以及制造半导体发光元件的方法，所述量子阱结构能够降低In组成在阱层厚度方向上的变化。在通过在GaN衬底主面上交替生长阻挡层和阱层而形成量子阱结构(有源层)的步骤中，通过生长InGaN而形成各个阱层，在第一温度下生长各个阻挡层，在低于所述第一温度的第二温度下生长各个阱层，且当形成各个阱层时，在供应Ga的原料气体(三甲基镓)之前，供应In的原料气体。
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公开(公告)号：CN102437265A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110393534.1
申请日：2008-10-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及外延晶片。假定r(m)表示GaN衬底(10)的半径，t1(m)表示GaN衬底的厚度，h1(m)表示在形成外延晶片(20)之前的GaN衬底(10)的翘曲，t2(m)表示AlxGa(1-x)N层(21)的厚度，h2(m)表示外延晶片的翘曲，a1表示GaN的晶格常数并且a2表示AlN的晶格常数，由下面的表达式1得到的值t1确定为GaN衬底(10)的最小厚度：(1.5×1011×t13+1.2×1011×t23)×{1/(1.5×1011×t1)+1/(1.2×1011×t2)}/{15.96×x×(1-a2/a1)}×(t1+t2)+(t1×t2)/{5.32×x×(1-a2/a1)}-(r2+h2)/2h＝0。形成厚度为至少该最小厚度(t1)且小于400μm的GaN衬底(10)。
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公开(公告)号：CN101040409A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580034733.6
申请日：2005-12-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/18 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , H01S5/105 , H01S5/34333 , H01S2301/14 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 一种半导体激光器件(1)，包括：具有主面(3a)的衬底(3)；在其中主面(3a)延伸的方向上具有在衬底(3)上形成的氮化镓外延层(2a)和低折射率材料(2b)的光子晶体层(7)，该低折射率材料(2b)具有低于外延层(2a)的折射率；衬底(3)上形成的n－型敷层(4)；衬底(3)上形成的p－型敷层(6)；插入n－型敷层(4)和p－型敷层(6)之间且当往其中注入载流子时发光的有源层(5)；以及覆盖直接位于光子晶体层(7)上的区域的GaN层(12)。因此，可以在没有熔化工序的条件下，制造该半导体激光器件。
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公开(公告)号：CN118355155A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280080797.3
申请日：2022-01-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B33/00 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B33/08 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供了一种III‑V族化合物半导体单晶基板，其具有圆形的主表面，上述主表面具有定位边或者凹槽，并且具有第一区域和第一基准线，上述第一区域比第一假想线更靠内侧，上述第一假想线穿过从外周向内侧离开5mm的位置，上述第一基准线为从主表面的中心朝向定位边或者凹槽的方向上的、从主表面的中心延伸至第一假想线的假想线段，在合计九处测定点测量粒径为0.079μm以上的颗粒的个数并计算出的上述个数的标准偏差和平均值满足标准偏差/平均值≤0.9的关系，上述合计九处测定点为：主表面的中心这一处；相对于第一基准线分别具有0度、90度、180度以及270度的角度并从上述中心延伸至第一假想线的四条假想线段的中点这四处；相对于第一基准线分别具有45度、135度、225度以及315度的角度并从上述中心延伸至第一假想线的四条假想线段的终端点这四处。
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公开(公告)号：CN115087767B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202080096470.6
申请日：2020-09-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42
Abstract: 一种具有主面的砷化镓单晶衬底，其中，在通过X射线光电子能谱法测定主面时，以三氧化二砷形式存在的As原子数相对于以五氧化二砷形式存在的As原子数之比为2以上，所述X射线光电子能谱法使用能量为150eV的X射线、并且将光电子的出射角度设定为5°。主面的算术平均粗糙度(Ra)为0.3nm以下。
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