公开(公告)号：CN107431092A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680017256.0

申请日：2016-03-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 三村智博 ,  金村高司 ,  水野祥司 ,  杉本雅裕 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置具备：漏极区(1)，其由第一或第二导电型半导体构成；漂移层(2)，其由第一导电型半导体构成；基极区(4)，其由第二导电型半导体构成；源极区(5)，其由高浓度的第一导电型半导体构成；接触区(6)，其由高浓度的第二导电型半导体构成；沟槽栅结构，其包含上段侧栅结构以及下段侧栅结构；源电极(10)，其与所述源极区以及所述接触区连接；漏电极(12)，其被配置在所述漏极区的背面侧。所述上段侧栅结构被配置在沟槽(7)内的上段侧，并具有第一栅绝缘膜(8a)和第一栅电极(9a)。此外，所述下段侧栅结构被配置在所述沟槽内的下段侧，并具有由较高的介电常数的绝缘材料构成的第二栅绝缘膜(8b)和第二栅电极(9b)。

公开(公告)号：CN105981173B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201480075197.3

申请日：2014-10-06

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高谷秀史 ,  斋藤顺 ,  添野明高 ,  滨田公守 ,  水野祥司 ,  青井佐智子 ,  渡辺行彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，具有：终端沟槽，其围绕形成有多个栅极沟槽的区域的周围一周；下端p型区，其为p型，并与终端沟槽的下端相接；外周p型区，其为p型，并从外周侧与终端沟槽相接，且露出于半导体基板的表面；多个保护环区，其为p型，并被形成在与外周p型区相比靠外周侧，且露出于半导体基板的表面；外周n型区，其为n型，并使外周p型区与多个保护环区分离，且使多个保护环区相互分离。

公开(公告)号：CN102347356B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201110211992.9

申请日：2011-07-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7398 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7819 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。

公开(公告)号：CN104157685B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201410381270.1

申请日：2011-07-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。

公开(公告)号：CN104157685A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410381270.1

申请日：2011-07-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/407 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7819 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。

公开(公告)号：CN104157648A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410381254.2

申请日：2011-07-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06

Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。

公开(公告)号：CN103890923A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051561.3

申请日：2012-10-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 星真一 ,  水野祥司 ,  加地徹 ,  上杉勉 ,  富田一义 ,  伊藤健治

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861

Abstract: 一种半导体器件：包括HEMT（10，20，21，30，31，32）和二极管（60，70）。所述HEMT包括：具有GaN层（13）和AlGaN层（14）的衬底（10），所述GaN层生成二维电子气且用作沟道层，所述AlGaN层在所述GaM层上且用作阻挡层；源极电极（30），所述源极电极在所述AlGaN层上且与所述AlGaN层形成欧姆接触；漏极电极（31），所述漏极电极在所述AlGaN层上远离所述源极电极，且与所述AlGaN层形成欧姆接触；在所述源极电极和漏极电极之间的所述AlGaN层上的层间绝缘膜（20，21）；以及所述层间绝缘膜上的栅极电极（32）。所述衬底包括在所述GaN层中生成所述二维电子气的活性层区域（40）。所述二极管包括电连接至所述栅极电极的阳极和电连接至所述漏极电极的阴极。

公开(公告)号：CN104157648B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410381254.2

申请日：2011-07-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06

Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。

公开(公告)号：CN103890923B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280051561.3

申请日：2012-10-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 星真一 ,  水野祥司 ,  加地徹 ,  上杉勉 ,  富田一义 ,  伊藤健治

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861

Abstract: 一种半导体器件：包括HEMT和二极管。所述HEMT包括：具有GaN层和AlGaN层的衬底，所述GaN层生成二维电子气且用作沟道层，所述AlGaN层在所述GaM层上且用作阻挡层；源极电极，所述源极电极在所述AlGaN层上且与所述AlGaN层形成欧姆接触；漏极电极，所述漏极电极在所述AlGaN层上远离所述源极电极，且与所述AlGaN层形成欧姆接触；在所述源极电极和漏极电极之间的所述AlGaN层上的层间绝缘膜；以及所述层间绝缘膜上的栅极电极。所述衬底包括在所述GaN层中生成所述二维电子气的活性层区域。所述二极管包括电连接至所述栅极电极的阳极和电连接至所述漏极电极的阴极。

公开(公告)号：CN102347356A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110211992.9

申请日：2011-07-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H02M7/5387

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7398 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7819 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。