公开(公告)号：CN116110934A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211382957.8

申请日：2022-11-07

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 岩桥洋平 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在半导体器件中，在漂移层(19)中设置在沟道栅极结构的沟道(25)下方并与沟道分离的第一深层(15)在沿深度方向的杂质浓度浓度曲线中具有高浓度区(15a)和低浓度区(15b)。高浓度区具有杂质浓度最大的高浓度峰，并且包括在断开状态下不耗尽的区域。低浓度区(15b)比高浓度区更靠近高浓度层(11)设置，具有杂质浓度变化梯度小于预定值的区域，并且在断开状态下耗尽。在第一深层中最靠近基底层的第一位置(P1)和高浓度峰的第二位置(P2)之间的第一长度(L1)小于第二位置和在低浓度区中最靠近基底层的第三位置(P3)之间的第二长度(L2)。

公开(公告)号：CN109075197B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201680082528.5

申请日：2016-12-26

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 斋藤顺 ,  青井佐智子 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了一种沟槽栅半导体开关元件。所述元件的半导体衬底包括：第二导电类型底部区，其与所述沟槽的底表面处的所述栅极绝缘层接触；以及第一导电类型第二半导体区，其从与所述体区的下表面接触的位置延伸到与所述底部区的下表面接触的位置。所述底部区包括：第一底部区，其与位于所述沟槽的纵向上的端部处的所述底表面的第一范围中的所述栅极绝缘层接触，并且从所述底表面延伸到第一位置；以及第二底部区，其与在邻近所述第一范围的第二范围中的所述栅极绝缘层接触，并且从所述底表面延伸到比所述第一位置更低的第二位置。

公开(公告)号：CN109075196A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680082465.3

申请日：2016-12-26

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 斋藤顺 ,  青井佐智子 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了一种沟槽栅半导体开关元件。该元件的半导体衬底包括：第二导电类型的底部区，其在沟槽的底表面处与栅极绝缘层接触；以及第一导电类型的第二半导体区，其从与体区的下表面接触的位置延伸到与底部区的下表面接触的位置，并且在体区的下侧与栅极绝缘层接触。底部区包括：低浓度区，其在底表面之中的位于沟槽在纵向上的端部处的第一范围中与栅极绝缘层接触；以及高浓度区，其在底表面之中的与第一范围相邻的第二范围中与栅极绝缘层接触。

公开(公告)号：CN105981173A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201480075197.3

申请日：2014-10-06

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  斋藤顺 ,  添野明高 ,  滨田公守 ,  水野祥司 ,  青井佐智子 ,  渡辺行彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置，具有：终端沟槽，其围绕形成有多个栅极沟槽的区域的周围一周；下端p型区，其为p型，并与终端沟槽的下端相接；外周p型区，其为p型，并从外周侧与终端沟槽相接，且露出于半导体基板的表面；多个保护环区，其为p型，并被形成在与外周p型区相比靠外周侧，且露出于半导体基板的表面；外周n型区，其为n型，并使外周p型区与多个保护环区分离，且使多个保护环区相互分离。

公开(公告)号：CN119584609A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411120256.6

申请日：2024-08-15

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 登尾正人 ,  斋藤顺

IPC: H10D62/10 ,  H10D30/66

Abstract: 半导体装置具备：半导体衬底，具有形成有晶体管的元件区域；层间绝缘膜，设在半导体衬底上；以及半导体层，设在层间绝缘膜上。半导体层具有：第1导电型的第1半导体层，与晶体管的栅极连接；第2导电型的第2半导体层，与第1半导体层连接；以及第1导电型的第3半导体层，与第2半导体层连接并且与晶体管的低电位端子连接。

公开(公告)号：CN116722034A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310189575.1

申请日：2023-03-02

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 登尾正人 ,  新林智文 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置(1)具备衬底(10)、第1导电型的漂移层(12)、多个栅极电极(26)以及多个第2导电型的重复区域(40)。设穿过栅极电极(26)的排列方向上的栅极电极(26)的中心并且在衬底(10)的厚度方向上延伸的中心线为单元中心线(Oc)，在栅极电极(26)的排列方向上，设相邻的单元中心线(Oc)彼此之间的距离为单元间距(Pc)，设穿过栅极电极(26)的排列方向上的重复区域(40)的中心并且在衬底(10)的厚度方向上延伸的中心线为重复中心线(Or)，在栅极电极(26)的排列方向上，设相邻的重复中心线(Or)彼此之间的距离为重复间距(Pr)，单元间距(Pc)与重复间距(Pr)不同。

公开(公告)号：CN115706166A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210925476.0

申请日：2022-08-03

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  辻村理俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 场效应晶体管包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底的顶表面处的多个沟槽。所述沟槽在所述半导体衬底的顶表面处沿第一方向延伸，并且设置为在垂直于所述第一方向的方向上间隔开。连接区设置在主体区下方。在所述半导体衬底的俯视图中，所述连接区在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，并且在垂直于所述第二方向的方向上间隔开。场弛豫区设置在所述连接区和所述沟槽下方。在所述半导体衬底的俯视图中，所述场弛豫区在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上延伸，并且在垂直于所述第三方向的方向上间隔开。

公开(公告)号：CN106165103B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201580018706.3

申请日：2015-02-10

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  斋藤顺 ,  添野明高 ,  山本敏雅 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/761 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/12 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供一种能实现更高耐压的半导体器件及其制造方法。所提供的半导体器件具有：p型的第四区，其与栅极沟槽的下端相接；终端沟槽，其在第二区的外侧形成于半导体基板的表面；p型的下端p型区，其与终端沟槽的下端相接；p型的侧面p型区，其与终端沟槽的外周侧的侧面相接，且与下端p型区相连，并在半导体基板的表面露出；p型的多个保护环区，其形成于比侧面p型区靠外周侧处，且在表面露出。

公开(公告)号：CN107919383A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710887817.9

申请日：2017-09-27

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 斋藤顺 ,  浦上泰 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种开关元件，抑制在连接区域产生的电场。开关元件具备：半导体基板；沟槽，设于半导体基板的上表面；栅极绝缘层，覆盖沟槽的内表面；以及栅电极，配置于沟槽内，并且通过栅极绝缘层而与半导体基板绝缘。半导体基板具备：第一导电型的第一半导体区域，与栅极绝缘层接触；第二导电型的体区域，在第一半导体区域的下侧与栅极绝缘层接触；第一导电型的第二半导体区域，在体区域的下侧与栅极绝缘层接触；第二导电型的底部区域，在沟槽的底面与栅极绝缘层接触；以及第二导电型的连接区域，在沟槽的侧面与栅极绝缘层接触，并且将体区域与底部区域连接。连接区域的厚度比底部区域的厚度厚。

公开(公告)号：CN106463523A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580018795.1

申请日：2015-02-10

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 斋藤顺 ,  池田知治 ,  庄司智幸 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/046 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置，其具有半导体基板、表面电极、以及背面电极，并且对表面电极与背面电极之间进行开关，且该绝缘栅型半导体装置具有：第一外周沟槽，其被形成在半导体基板的表面上；第二外周沟槽，其被形成在半导体基板的表面上，并与第一外周沟槽相比而较深；第二导电型的第五区域，其露出于第一外周沟槽的底面上；第二导电型的第六区域，其露出于第二外周沟槽的底面上，且表面侧的端部与第五区域的背面侧的端部相比而位于背面侧；第一导电型的第七区域，其使第五区域与第六区域分离。