公开(公告)号：CN115706166A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210925476.0

申请日：2022-08-03

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  辻村理俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 场效应晶体管包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底的顶表面处的多个沟槽。所述沟槽在所述半导体衬底的顶表面处沿第一方向延伸，并且设置为在垂直于所述第一方向的方向上间隔开。连接区设置在主体区下方。在所述半导体衬底的俯视图中，所述连接区在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，并且在垂直于所述第二方向的方向上间隔开。场弛豫区设置在所述连接区和所述沟槽下方。在所述半导体衬底的俯视图中，所述场弛豫区在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上延伸，并且在垂直于所述第三方向的方向上间隔开。

公开(公告)号：CN108520897A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810159802.5

申请日：2018-02-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 荒内琢士 ,  金原启道 ,  辻村理俊 ,  山下侑佑 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明涉及金属氧化物半导体场效应晶体管。浮区包含沿着碳化硅衬底的厚度方向布置的高浓度区和低浓度区。低浓度区中p型掺杂剂的浓度低于高浓度区中p型掺杂剂的浓度。高浓度区与低浓度区接触，并且设置在沟槽的底面与低浓度区之间。在通过沿着厚度方向绘制浮区中p型掺杂剂的浓度所得到的图中，在高浓度区和低浓度区之间的边界上出现弯曲点或拐点。在低浓度区中p型掺杂剂的含量等于或高于漂移区的在厚度方向上与所述低浓度区邻接的部分中的n型掺杂剂的含量。

公开(公告)号：CN114600251A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202080075352.7

申请日：2020-10-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫原真一朗 ,  辻村理俊 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 具备电场缓和层(3)，该电场缓和层(3)包括第2导电型的第1区域(3a)和第2导电型的第2区域(3b)，上述第1区域(3a)形成在比沟槽(7)深的位置，上述第2区域(3b)以与沟槽的长度方向相同的方向作为长度方向并在多个沟槽之间分别与沟槽的侧面分离地配置，并且将第1区域和基底区域相连。此外，设为如下结构：通过离子注入构成第1区域和第2区域，并且构成由第1区域和第2区域重叠而得到的二重注入区域(3c)，在二重注入区域中具有第2杂质浓度的峰值。