公开(公告)号：CN116722034A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310189575.1

申请日：2023-03-02

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 登尾正人 ,  新林智文 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置(1)具备衬底(10)、第1导电型的漂移层(12)、多个栅极电极(26)以及多个第2导电型的重复区域(40)。设穿过栅极电极(26)的排列方向上的栅极电极(26)的中心并且在衬底(10)的厚度方向上延伸的中心线为单元中心线(Oc)，在栅极电极(26)的排列方向上，设相邻的单元中心线(Oc)彼此之间的距离为单元间距(Pc)，设穿过栅极电极(26)的排列方向上的重复区域(40)的中心并且在衬底(10)的厚度方向上延伸的中心线为重复中心线(Or)，在栅极电极(26)的排列方向上，设相邻的重复中心线(Or)彼此之间的距离为重复间距(Pr)，单元间距(Pc)与重复间距(Pr)不同。

公开(公告)号：CN119815881A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411368061.3

申请日：2024-09-29

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  木下晋 ,  新林智文

IPC: H10D30/66 ,  H10D62/10 ,  H10D30/01

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备半导体基板。半导体基板具备p型的第一半导体层、配置于第一半导体层的下侧的漂移层、以及配置于漂移层的下侧的n型的第二半导体层。漂移层具有第一导电型的第一半导体区域、以及在第一半导体区域中分散配置的多个第二导电型的第二半导体区域和多个第二导电型的第三半导体区域。第二半导体区域具有在沿着半导体基板的上表面的第一方向上较长的形状，第三半导体区域具有在沿着半导体基板的上表面并且与第一方向正交的第二方向上较长的形状。第二半导体区域和第三半导体区域沿着第一方向隔开间隔地交替配置，并且沿着第二方向隔开间隔地交替配置。