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公开(公告)号：CN114337582B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202111465935.3
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种声表面波谐振器。该声表面波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜、叉指换能器和两个反射栅单元；叉指换能器的两侧分别设有一个反射栅单元；叉指换能器包括第一汇流条、第二汇流条和叉指电极单元；叉指电极单元包括第一电极、第二电极和第一阻碍结构；第一电极的第一端与第一汇流条连接；第二电极包括相对的第二端和第一自由端；第二端与第二汇流条连接；第一阻碍结构位于第一自由端与第一汇流条之间的区域。能够实现在抑制杂散模的同时保证主模特性的不变。
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公开(公告)号：CN117950215A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410058148.4
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种单片集成电光调制器及制备方法。电光调制器包括：衬底、电光材料层、折射率调控结构和电极层；电光材料层集成在衬底上，电光材料层中形成有光传输波导；折射率调控结构包括介电材料层，介电材料层设置在电光材料层上；电极层设置在介电材料层上。该电光调制器，通过在电光调制器中设计折射率调控结构来对微波的有效折射率进行调控，使其能够与光波的有效折射率匹配，从而实现了高传输速率、低能耗的单片集成高速电光调制器。
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公开(公告)号：CN117872529A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410059032.2
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体光电技术领域，特别涉及一种片上波导的形成方法及光子芯片。具体可以通过提供一复合衬底结构；所述复合衬底结构包括支撑衬底和位于所述支撑衬底上的波导材料层；在所述波导材料层上形成掩膜；利用干法刻蚀工艺对所述波导材料层进行刻蚀，以在所述支撑衬底上形成波导，得到波导结构；利用预设腐蚀液去除所述波导结构中的刻蚀再沉积物；所述预设腐蚀液为双氧水和强碱溶液的混合溶液。从而能够提高制备波导结构的效率和精度。
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公开(公告)号：CN113130376B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110395087.7
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本申请涉及一种多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，该方法包括步骤S101～S107，通过该步骤S101～S107可以实现任意多层异质单晶薄膜衬底结构，且各异质单晶薄膜间的结合为范德华力结合，异质单晶薄膜之间的键合十分牢固；另外，本申请实施例提供的一种任意多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，可将多种具有不同功能的薄膜集成于一片衬底，用于多功能三维异质集成芯片的实现。
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公开(公告)号：CN114362710B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111467179.8
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H9/02
Abstract: 本申请涉及微电子器件技术领域，特别是涉及一种声波谐振器，包括：支撑衬底、单晶压电层和图案化电极组件；单晶压电层位于支撑衬底的上表面；图案化电极组件位于单晶压电层远离支撑衬底的表面或嵌入单晶压电层远离支撑衬底的表面；图案化电极组件用于连接第一信号源；第一信号源用于在声波谐振器的工作过程中，对图案化电极组件输入第一电信号；图案化电极组件在接收到第一电信号的情况下，能够在声波谐振器内形成第一电场，以调节声波谐振器的电容；所述第一信号源包括直流信号源或交流信号源。本申请通过输入第一电信号，引入外加电场，通过外加电场调节器件的电容，从而使得声波谐振器的机电耦合系数变大，进而增大声波谐振器的工作带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113541636B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202110864026.0
申请日：2021-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器及其制备方法，所述声波谐振器包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面，其中所述压电层包括贯通槽、边缘支撑结构、接合臂及N个有效压电结构；N个底电极，形成于N个所述有效压电结构和所述支撑衬底之间，并通过底电极连通结构相互连通；N个顶电极，形成于N个所述有效压电结构的上表面，并通过N个顶电极引出结构一一引出。其中，N为大于等于2的正整数。通过本发明提供的声波谐振器及其制备方法，解决了现有技术中横纵电场激发产生杂波的问题以及声波谐振器频率调节的问题。
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公开(公告)号：CN117518714A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311363532.7
申请日：2023-10-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于拉曼激光器的碳化硅光子器件制备方法，本发明方法可获得侧壁光滑、垂直度高的碳化硅直波导和微环谐振器，从而使得光被束缚在回音壁式微腔中，产生回音壁式拉曼激光。
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公开(公告)号：CN117153673A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311212465.9
申请日：2023-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种异质键合结构、半导体器件及其制备方法。方案包括获取器件晶片；朝向器件晶片的第一键合面进行第一离子注入形成预设深度的体积型缺陷；第一离子注入的离子是与器件晶片的材料元素相同的离子；朝向第一键合面进行第二离子注入，以在体积型缺陷处形成缺陷层；获取支撑衬底，支撑衬底具有第二键合面，通过第一键合面与第二键合面将器件晶片与支撑衬底键合，得到第一异质键合结构；将第一异质键合结构沿缺陷层剥离部分器件晶片，得到目标异质键合结构。本发明可控制第二离子注入的离子注入剂量不会过高；且第二离子注入的离子能够增大体积型缺陷内部的压强，提高异质键合结构中薄膜剥离转移的效率及质量。
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公开(公告)号：CN111416590B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202010244235.0
申请日：2020-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种高频声波谐振器及其制备方法，该高频声波谐振器包括：高声速支撑衬底；绝缘介质层，绝缘介质层位于高声速支撑衬底的上表面；压电膜，压电膜位于绝缘介质层的上表面；叉指电极，叉指电极位于压电膜的上表面。通过在压电膜下方设置高声速支撑衬底可以增大压电膜中所激发传播的目标弹性波的声速，并可有效约束目标弹性波的传播，提高高频声波谐振器的谐振频率；通过在压电膜与高声速支撑衬底之间设置绝缘介质层，可以有效降低压电膜中电场能量的泄露，可增强高频声波谐振器的机电耦合系数；通过选择合适的绝缘介质层，可以对高频声波谐振器进行温度补偿，降低高频声波谐振器的温漂，提高高频声波谐振器的温度稳定性。
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公开(公告)号：CN116781033A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310678398.3
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种高频声波谐振器及其制备方法。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；其中，支撑衬底的声速不低于5000米/秒；高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；叉指换能器的厚度与叉指换能器的材料密度呈反比；目标模式的声速小于支撑衬底的声速。基于异质集成衬底，在简化声波谐振器结构的同时，降低欧姆损耗，提高高阶模式的机电耦合系数。
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