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公开(公告)号：CN114200696A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111403724.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种新型马赫曾德尔电光调制器，包括第一和第二耦合器、第一波导臂、第二波导臂、第三波导臂、第四波导臂、第一和第二氮化硅波导；第一氮化硅波导和第二氮化硅波导均包括依次连接的第一弯曲部、直部和第二弯曲部；第一耦合器分别与第一波导臂的一端和第二波导臂的一端连接；第一氮化硅波导通过第一弯曲部和第一波导臂的另一端连接、通过第二弯曲部和第三波导臂的一端连接；第二氮化硅波导通过第一弯曲部和第二波导臂的另一端连接、通过第二弯曲部和第四波导臂的一端连接；第三波导臂的另一端和第二耦合器连接；第四波导臂的另一端通过相位改变器与第二耦合器连接；本发明能够降低调制器的有源区电容，并提高调制器的高频性能。
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公开(公告)号：CN112305667A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910689392.X
申请日：2019-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供一种光波导器件及其制备方法。制备方法包括：形成图形化的复合衬底，其自下而上依次包括底部半导体层、绝缘层及顶部半导体层；复合衬底内形成有凹槽，凹槽贯穿绝缘层且被顶部半导体层所覆盖；对凹槽上方的顶部半导体层进行光刻刻蚀以形成光波导；对光波导进行第一浓度的离子注入以于光波导中形成第一P型注入区和与第一P型注入区相邻的第一N型注入区；对光波导外围的顶部半导体层进行第二浓度的离子注入以分别形成第二P型注入区和第二N型注入区；于第二P型注入区及所述第二N型注入区表面形成金属电极。本发明有利于简化光波导器件的制备工艺和降低生产成本，有助于提高器件性能。
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公开(公告)号：CN115220150B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210680007.7
申请日：2022-06-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应用于光学相控阵的基于交错刻蚀的多层结构波导光栅天线及其制备方法，由下至上包括衬底(1)、波导区和顶部氧化层(5)；所述波导区由下至上包括第一波导层(2)、隔离层(3)和第二波导层(4)；其中，所述第二波导层(4)具有交错设置的深浅沟槽。本发明减少了光向衬底的泄露，提高了光向上发射的比例，进而提高了光栅的发射效率，同时具有有效发射长度长的优点，有助于相控阵列探测距离的提升和高功率输出器件的实现。
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公开(公告)号：CN119575727A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202311137704.9
申请日：2023-09-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MZ型电光调制器及其制备方法。所述MZ型电光调制器自下而上包括衬底层、硅波导层、第一隔离层、氮化硅波导层、第二隔离层、铌酸锂薄膜层、第三隔离层和金属层；所述衬底层的表面为绝缘材料层；所述硅波导层包括位于相对两侧的分束器和合束器，以及分别与分束器和合束器相连接，并相向延伸到对应的耦合区域的两条以上调制臂，所述氮化硅波导层的氮化硅条形波导与位于其上层的铌酸锂薄膜层构成的混合波导作为有源调制臂，位于所述氮化硅波导层和所述铌酸锂薄膜层之间的第二隔离层的厚度小于50nm。本发明有助于提高调制器的性能，降低传输损耗，且有助于简化其制备工艺，降低制备成本，有助于其大规模的推广应用。
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公开(公告)号：CN118553704A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410505485.3
申请日：2024-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于TSV结构的2.5D封装结构及其制备方法和应用，包括转接板(1)，所述转接板(1)中设置硅通孔TSV(101)和重布线RDL(102)；所述转接板(1)的正面与光集成电路PIC芯片(2)通过第一凸点(201)连接；所述转接板(1)的反面与电集成电路EIC芯片(3)通过第二凸点(301)连接；所述电集成电路EIC芯片(3)埋入陶瓷基板(4)中。本发明的PIC芯片与EIC芯片位于转接板芯片两侧，且EIC芯片埋入陶瓷基板中，转接板芯片面积更小，2.5D封装与光纤耦合封装方案基于同一陶瓷基板，进一步提升了集成度，并且可靠性更高，具有良好的市场应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118553703A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410505484.9
申请日：2024-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于TSV结构的光电合封结构及其制备方法和应用，包括转接板(1)，所述转接板(1)中设置有硅通孔TSV(101)和重布线RDL(102)；所述转接板(1)的一面与光集成电路PIC芯片(2)通过第一凸点(201)连接；所述转接板(1)的另一面与电集成电路EIC芯片(3)通过第二凸点(301)连接，并通过支撑柱(5)与印刷电路板PCB(4)进行固定。本发明采用带有TSV结构的硅转接板与金属引线的方案实现光芯片和电芯片的封装，该方案集成度高，灵活度高，可以进一步提升封装系统的集成度，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN113625394A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110879652.7
申请日：2021-08-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种双层Si3N4锥形结构辅助的边缘耦合器，包括双层的Si3N4锥形结构、Si倒锥形结构、Si波导。本发明结构实现了借助双层Si3N4锥形结构的边缘耦合，可与单模光纤耦合，降低端面模式失配，避免增加底部氧化物厚度或者局部衬底刻蚀，实现宽带操作。
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公开(公告)号：CN111679364B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010487984.6
申请日：2020-06-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明涉及一种应用于中红外波段的悬空型边缘耦合器，包括三端口倒锥形耦合器(1)、悬空脊型波导(2)和悬梁臂支撑结构(3)。本发明通过独特的结构设计增大了耦合效率，同时增大了工艺容差，也为测试带来了极大的方便，解决了中红外波段波导‑光纤耦合损耗大的问题，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118169931A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410252058.9
申请日：2024-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于双电感技术的迈克尔逊型电光调制器，包括光学结构部分和电学结构部分；所述光学结构部分包括多模干涉耦合器、掺杂波导区域、第一反射器和第二反射器；所述多模干涉耦合器的输出端分为与第一反射器连接的第一干涉臂和与第二反射器连接的第二干涉臂，其中，第一干涉臂和第二干涉臂中至少有一个干涉臂经过所述掺杂波导区域；所述电学结构部分包括由第一螺旋电感和第二螺旋电感构成的双电感螺旋结构，所述双电感螺旋结构与所述掺杂波导区域的金属层相连，实现对所述掺杂波导区域的电信号加载。本发明能够增大器件带宽。
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公开(公告)号：CN116577073A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310625211.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明提供一种发射光栅有效发射长度的测量系统及测量方法，所述测量系统包括：进光耦合器、光分束器、第一出光耦合器及第二出光耦合器；其中，进光耦合器用于接收入射光束；光分束器与所述进光耦合器连接，并具有第一分光端及第二分光端，并且第一分光端与发射光栅连接，第一出光耦合器与发射光栅连接，将经发射光栅衰减后的第一分光光束出射为第一出射光束；第二出光耦合器与第二分光端连接，出射第二出射光束。本发明提供的发射光栅有效发射长度的测量系统及测量方法能够解决因工艺误差导致制备得到的发射光栅的有效发射长度与仿真设计得到的光栅长度不符，不能得到准确的发射光栅有效发射长度的问题。
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