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公开(公告)号：CN115657264A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211324332.6
申请日：2022-10-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G02B7/36 , G03B30/00 , G01J5/48 , G01J5/0806
Abstract: 本发明提供一种热反射显微热成像系统的跟焦方法、装置及电子设备。该方法包括：获取初始图像、第一图像、第二图像。分别计算初始图像、各第一图像和各第二图像的图像清晰度。若第一平均清晰度大于第二平均清晰度，将物距调整至初始物距减预设步长。若第一平均清晰度小于等于第二平均清晰度，将物距调整至初始物距加预设步长。将调整后的物距作为初始物距。本发明通过按预设步长交替调整物距、采集图像，对比两个相邻物距下的平均图像清晰度，按预设步长调整物距后，再次以调整后的物距为基准继续交替调整物距采集图像和调整物距。可在热反射显微热成像系统测试温度过程中，循环执行，实时调整物距，持续保持图像清晰，实现连续实时跟焦。
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公开(公告)号：CN113624358A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110803448.7
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种用于光热反射显微热成像的三维位移补偿方法及控制装置。该方法包括：获取被测件位于待补偿位置时的采集图像，及被测件位于参考位置时的参考图像；根据参考图像计算得到第一傅里叶变换，根据采集图像计算得到第二傅里叶变换；根据第一傅里叶变换和第二傅里叶变换，确定光热反射显微热成像装置中光学子系统的点扩散函数的峰值点坐标和拟合直径；根据峰值点坐标、拟合直径和光热反射显微热成像装置中光学子系统的成像参数，计算被测件位于待补偿位置时相对于参考位置的三维位移量，以对被测件进行三维位移补偿。本发明能够同时计算被测件位于待补偿位置时相对于参考位置的三维位移量，进而提高位移补偿的工作效率。
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公开(公告)号：CN110298834B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910584994.9
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种像素级边缘效应的修正方法及终端设备，该方法包括：通过获取不同材料构成的被测件的多张图像；当不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数不同时，控制热反射成像测温装置上的纳米位移台向像素点移动方向的反方向移动，直到所述不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数相同，从而可以通过图像处理的方式使得X、Y两个方向的像素级位置变化引起的边缘效应得到修正，从而使被测件位置变化造成高温误差和低温误差得到了修正，可以提高的热反射测温准确度。
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公开(公告)号：CN110207842B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910584992.X
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种亚像素级边缘效应的修正方法及终端设备，该方法包括：通过获取不同材料构成的被测件的多张图像，当不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数不同时，控制热反射成像测温装置上的纳米位移台向像素点移动方向的反方向以预设距离移动，直到不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数误差值小于或等于预设误差阈值时，确定完成亚像素级边缘效应的修正，从而可以通过图像处理的方式使得X、Y两个方向的亚像素级位置变化引起的边缘效应得到修正，从而使被测件位置变化造成高温误差和低温误差得到了修正，可以提高的热反射测温准确度。
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公开(公告)号：CN106098582A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610628267.4
申请日：2016-08-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: H01L22/14 , B81C1/00015 , G01R31/2607 , H01L22/34
Abstract: 本发明公开了一种校准用在片电容标准件及其制备方法，涉及测试用计量装置技术领域。所述标准件包括绝缘衬底，所述绝缘衬底的上表面设有若干个电容值不同的标准电容和一个标准开路器。本发明所述在片电容标准件，可以实现对整体校准MEMS晶圆片测量系统在片电容参数的整体计量校准，实现量值溯源，确保MEMS生产过程中的晶圆片级测量结果准确、一致。该标准件能够提供具有溯源性的电容值（1pF～100pF，测试频率1kHz～100kHz），可以根据需要在上述量值范围内进行设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105785304A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610307574.2
申请日：2016-05-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
CPC classification number: G01R35/007
Abstract: 本发明公开了一种用于校准在片高值电阻测量系统的标准件及其制备方法，涉及计量技术领域。本发明的标准件包括衬底，在衬底上注入硼离子，在注入硼离子的衬底上设有若干对金属电极，每一对金属电极构成一个独立单元，在同一个衬底上的所有的金属电极的高度和长度相同，不同独立单元中的金属电极两个电极之间的间距均相等，金属电极的宽度是自同一衬底的行和列的一端开始呈递增或递减排列；衬底的外形尺寸及金属电极的外形尺寸和个数根据需要校准的目标阻值而定。本发明提出的标准件具有良好的重复性和长期稳定性，可以满足高值电阻测量系统计量校准的需要，确保量值准确一致。
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公开(公告)号：CN114295954B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202111678778.4
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请适用于半导体器件热阻参数测试技术领域，提供了二极管脉冲电流热阻测量方法、装置及终端设备，该二极管脉冲电流热阻测量方法包括：在二极管所处的环境温度为预设温度的情况下，向二极管施加脉冲电流，并获取二极管温度参数，二极管温度参数包括被测器件温度值、被测器件温度敏感参数；根据二极管温度参数建立校温曲线，并对校温曲线进行修正；基于修正后的校温曲线对二极管温度参数进行修正，根据修正后的二极管温度参数确定器件热阻值。本申请消除了二极管串联电阻对二极管脉冲电流热阻测量方法的影响。
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公开(公告)号：CN113962876B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202110832665.9
申请日：2019-07-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T5/80
Abstract: 本发明适用于校正技术领域，提供了一种像素畸变的校正方法、校正装置、终端及计算机可读存储介质，所述校正方法包括：获取被测目标的多帧图像，分别获取每帧图像上对应于指定像素位置的像素点的像素值，得到多个像素值，确定所述多个像素值的基准像素值，基于所述基准像素值对所述指定像素位置对应的像素点的像素值进行畸变校正。本发明能够提高测量的被测目标的多帧图像在指定像素位置对应的像素点的像素值的准确性。
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公开(公告)号：CN115574956A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211067141.6
申请日：2022-09-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于显微热成像技术领域，提供了热反射温度计算方法、系统、装置及终端设备，该方法包括：获取被测器件在未加电的情况下的参考温度、彩色相机参考图像和在待测温度下的彩色相机测量图像，以及第一预设温度下彩色相机第一图像和第二预设温度下彩色相机第二图像；对彩色相机参考图像、彩色相机测量图像、彩色相机第一图像和彩色相机第二图像进行向量化处理，得到参考向量、测量向量、第一向量和第二向量；基于第一预设温度、第二预设温度、参考温度、第一向量、第二向量、参考向量和测量向量，得到待测温度。本申请可以对不同材料同时进行测温。
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公开(公告)号：CN111983411B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202010663553.0
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备，该方法包括：获取多指栅型晶体管各个栅指的第一温升，并根据各个栅指的第一温升确定各个栅指对应的温度权值；其中，多指栅型晶体管各个栅指的第一温升由显微红外热像仪测量得到；获取多指栅型晶体管的平均温升；其中，多指栅型晶体管的平均温升是基于电学参数法对多指栅型晶体管进行结温测量得到的；根据多指栅型晶体管的平均温升以及各个栅指对应的温度权值确定多指栅型晶体管各个栅指的第二温升；基于各个栅指的第二温升确定多指栅型晶体管各个栅指的热阻。本发明提供的多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备能够提高多指栅型晶体管热阻测试的准确性。
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