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公开(公告)号：CN112687576A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011077702.1
申请日：2020-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置，其包括处理槽、贮存部、承液部、贮存部排出管和承液部排出管。处理槽能够收纳多个基片且贮存处理液。贮存部与处理槽连接，贮存从处理槽排出的处理液。承液部承接从处理槽洒出的处理液。贮存部排出管将贮存于贮存部中的液体排出。承液部排出管将由承液部承接的液体向设置于外部的外部排出管排出。根据本发明，在进行批处理的基片处理装置中，能够抑制排液线路的堵塞。
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公开(公告)号：CN100511586C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610159968.4
申请日：2006-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67225
Abstract: 本发明提供一种在可靠地收集排气流体中的异物的同时能够增大收集量且实现装置的小型化的排气装置。排出被供给至收容作为被处理基板的半导体晶片W的密闭容器(54)内的供处理用流体的排气装置，在经由排气管(68)连接到所述密闭容器且上下端闭塞的外部排气筒(71)内，具有：向下方引导流过该外部排气筒内的排气流体的下游导向通路(201)、在向上方引导在该下游导向通路中流动的排气流体的同时使排气流体中的异物等发生重力沉降的上游导向通路(202)和将该上游导向通路中的流动的排气流体向下方外部引导的排出通路(203)，在排出通路中设置有作为排气单元的喷射器(100)。
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公开(公告)号：CN112652552B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202011060753.3
申请日：2020-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理系统和基板处理方法。提供能够使基板处理系统小型化的技术。基板处理系统具有：送入送出部，其用于送入送出收纳多片所述基板的盒；批量处理部，其成批地处理包含多片基板的批次；单片处理部，其逐片处理所述批次的所述基板；以及接口部，其在所述批量处理部和所述单片处理部之间交接所述基板，所述送入送出部、所述单片处理部、所述接口部、所述批量处理部以该顺序排列，所述接口部包括：批次形成部，其形成所述批次；以及输送部，其将所述基板从所述单片处理部向所述批次形成部输送且将所述基板从所述批量处理部向所述单片处理部输送。
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公开(公告)号：CN114334710A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111091306.9
申请日：2021-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种在具有批处理部和单片处理部这两者的基片处理系统中，提高基片的输送控制的容易性的技术。本发明的基片处理系统具有送入部、批处理部、单片处理部、接口部和送出部。送入部包含能够载置承载器的第一载置部，该承载器收纳多个基片。批处理部对包含多个基片的基片组一并进行处理。单片处理部对基片组中所含的基片逐个进行处理。接口部在批处理部与单片处理部之间逐个地交接基片。送出部包含能够载置承载器的第二载置部，该承载器收纳由单片处理部处理了的基片。并且，送入部、批处理部、接口部、单片处理部和送出部依次排列。
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公开(公告)号：CN112652551A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011054695.3
申请日：2020-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理系统和基板处理方法。提供能够使成批地处理的多片基板的间距变窄且能够抑制基板与输送机器人之间的干涉的技术。基板处理系统具有：批量处理部，其成批地处理以第1间距包含多片基板的批次；单片处理部，其逐片处理批次的基板；以及接口部，其在批量处理部和单片处理部之间交接基板，批量处理部包括：处理槽，其贮存块状或雾状的处理液；第1保持器具，其将基板以第1间距保持；以及第2保持器具，其在处理液中从第1保持器具接收以第1间距的N(N为2以上的自然数)倍、即第2间距排列的基板，接口部包括输送部，该输送部将在处理液中被分开保持在第1保持器具和第2保持器具的基板从批量处理部向单片处理部输送。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110610875A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910509553.2
申请日：2019-06-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种能够削减处理液的废弃量的技术。本发明的基片处理装置包括处理槽、存积部、去除部、混合部和返回路径。处理槽使基片浸渍于包含药液和硅的处理液中进行该基片的蚀刻处理。存积部将从处理槽排出的处理液回收并存积。去除部回收从处理槽排出的处理液的一部分，从回收的处理液中去除硅。混合部将存积部中存积的处理液和由去除部去除了硅后的处理液混合。返回路径将由混合部混合后的处理液返回处理槽。
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公开(公告)号：CN106409670A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610597359.0
申请日：2016-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法。在对晶圆进行加热处理时分解由于晶圆的处理而产生的升华物，从而抑制升华物附着于排气路径的情况。另外，在利用来自光源部的光对晶圆W进行加热等处理时将附着到透光窗的升华物去除。在处理容器的内表面形成热催化剂层，对该热催化剂层进行了加热。因此，在自晶圆上的涂敷膜升华而引入到处理容器内的升华物到达了热催化剂层的附近时，利用热催化剂层的热活性化从而升华物被分解去除。另外，在将附着到透光窗的升华物去除时，将在表面形成有热催化剂层的清洁用基板输入处理容器内，在将热催化剂层靠近了透光窗后，加热清洁用基板，从而将附着到透光窗的表面的升华物去除。
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公开(公告)号：CN1945795A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610159968.4
申请日：2006-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67225
Abstract: 本发明提供一种在可靠地收集排气流体中的异物的同时能够增大收集量且实现装置的小型化的排气装置。排出被供给至收容作为被处理基板的半导体晶片W的密闭容器(54)内的供处理用流体的排气装置，在经由排气管(68)连接到所述密闭容器且上下端闭塞的外部排气筒(71)内，具有：向下方引导流过该外部排气筒内的排气流体的下游导向通路(201)、在向上方引导在该下游导向通路中流动的排气流体的同时使排气流体中的异物等发生重力沉降的上游导向通路(202)和将该上游导向通路中的流动的排气流体向下方外部引导的排出通路(203)，在排出通路中设置有作为排气单元的喷射器(100)。
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公开(公告)号：CN215183887U
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202120714388.7
申请日：2021-04-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 本公开涉及基板排列装置和基板输送装置。提供一种针对基板的每个处理以适当的基板的间距处理基板的技术。基板排列装置对多个基板进行排列。基板排列装置包括移动机构、控制部和多个保持部。多个所述保持部沿所述基板的排列方向排列，彼此保持不同的所述基板。所述移动机构使多个所述保持部沿所述基板的排列方向相对地移动。所述控制部控制所述移动机构。所述控制部在利用多个所述保持部保持多个所述基板的状态下基于接下来的工序的处理内容来控制所述移动机构。
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公开(公告)号：CN216389270U
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202122255775.1
申请日：2021-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本实用新型提供一种基片处理系统，该基片处理系统具有送入部、批处理部、单片处理部、接口部和送出部。送入部包含能够载置承载器的第一载置部，该承载器收纳多个基片。批处理部对包含多个基片的基片组一并进行处理。单片处理部对基片组中所含的基片逐个进行处理。接口部在批处理部与单片处理部之间逐个地交接基片。送出部包含能够载置承载器的第二载置部，该承载器收纳由单片处理部处理了的基片。并且，送入部、批处理部、接口部、单片处理部和送出部依次排列。根据本实用新型，在具有批处理部和单片处理部这两者的基片处理系统中，能够提高基片的输送控制的容易性。
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