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公开(公告)号：CN104624561B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201410639940.5
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。能够抑制基底膜被侵蚀并去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序和剥离处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，向表面具有亲水性的基板供给含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使该处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。
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公开(公告)号：CN104637784B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201410641257.5
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。
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公开(公告)号：CN104624561A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410639940.5
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。能够抑制基底膜被侵蚀并去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序和剥离处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，向表面具有亲水性的基板供给含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使该处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。
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公开(公告)号：CN118402046A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280082834.4
申请日：2022-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/677
Abstract: 基板处理装置具备：批处理部，其具有多个批处理单元，各个批处理单元用于在贮存于处理槽内的处理液中对多个基板一并实施液处理；单片处理部，其对由批处理部处理后的基板逐张地实施处理；待机部，其使由批处理部处理后的基板在浸渍槽内的浸渍液中等待；以及搬送系统，其从待机部向单片处理部搬送基板，所述搬送系统包括用于将基板从浸渍液中逐张地取出的第一基板搬送单元。待机部对基板进行第一液处理和第二液处理中的至少一方，所述第一液处理是使基板表面亲水化的液处理、或者是提高或维持表面的亲水性的液处理，所述第二液处理是使基板表面的电动电位为负的液处理。
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公开(公告)号：CN110491770A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910402577.8
申请日：2019-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制在基板的表面残留微粒。在基于本发明的基板处理方法中，在基板的表面形成保护液的液膜，使用超临界流体使基板干燥，并从基板的表面去除保护液。在使基板干燥之后，去除残留于基板的表面的微粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107437517A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710375222.5
申请日：2017-05-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/04 , B08B7/0014 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/67017
Abstract: 提供一种基板清洗方法、基板清洗系统以及存储介质。不会对由与水发生反应而发生溶解或腐蚀的材料形成的基板的表面产生影响地将附着于基板的异物去除。实施方式所涉及的基板清洗方法包括以下工序：成膜处理液供给工序，向基板供给含有挥发成分且用于在基板上形成膜的成膜处理液；剥离处理液供给工序，对成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上发生固化或硬化所形成的处理膜供给使处理膜从基板剥离的剥离处理液；以及溶解处理液供给工序，在剥离处理液供给工序之后，对处理膜供给使处理膜溶解的溶解处理液。在此，成膜处理液含有极性有机物，剥离处理液是不含水分的非极性溶剂，溶解处理液是不含水分的极性溶剂。
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公开(公告)号：CN105321804A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510463686.2
申请日：2015-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , JSR株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。
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公开(公告)号：CN104637784A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410641257.5
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0206 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。
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公开(公告)号：CN104425318A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410431101.4
申请日：2014-08-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/67155
Abstract: 本发明提供能够提高生产率的基板处理方法和基板处理装置。一技术方案的基板处理方法包括以下工序：处理液供给工序，在该处理液供给工序中，对进行了在处理后需要气氛管理或时间管理的前处理的基板供给含有挥发成分的、用于在基板上形成膜的处理液；以及收纳工序，在该收纳工序中，将因上述挥发成分挥发而使上述处理液固化或硬化后的基板收纳于输送容器。
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公开(公告)号：CN103567169A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310334657.7
申请日：2013-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0206 , B08B3/08 , H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/68728
Abstract: 本发明提供基板清洗装置、基板清洗系统以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。
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