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公开(公告)号：CN102867725A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210235937.8
申请日：2012-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种能够改善基板表面处理量的面内均匀性的天线、电介质窗、等离子体处理装置和等离子体处理方法。该天线具备电介质窗（16）和设置于电介质窗（16）一个表面上的槽板（20）。电介质窗（16）的另一个表面具有：平坦面（146），其被环状的第一凹部包围；和第二凹部（153），其以包围平坦面（146）的重心位置的方式在平坦面（146）内形成多个。当从与槽板的主表面垂直的方向观看时，各个第二凹部（153）的重心位置重叠位于槽板（20）中的各个槽（133）内。
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公开(公告)号：CN102709144A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210082584.2
申请日：2012-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32651
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够降低被处理基体的中央部分的处理速度。一个实施方式的等离子体处理装置包括：处理容器、气体供给部、微波发生器、天线、同轴波导管、保持部、电介质窗以及电介质棒。气体供给部向处理容器内供给处理气体。微波发生器发生微波。天线将等离子体激励用的微波导入处理容器内。同轴波导管设置于微波发生器与天线之间。保持部用来保持被处理基体，在同轴波导管的中心轴线延伸的方向上与天线相对配置。电介质窗设置于天线与保持部之间，且使来自天线的微波透射到处理容器内。电介质棒在保持部与电介质窗之间的区域沿着同轴波导管的中心轴线设置。
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公开(公告)号：CN101505574B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910006920.3
申请日：2009-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 提供一种等离子体处理设备，其特征是通过限定电介质与缝隙之间的位置关系来极大地提高等离子体点火性和点火稳定性。等离子体处理设备(11)包括：处理室(12)，其具有顶部开口；电介质(15)，在其底面上具有倾斜面(16a和16b)，使得厚度尺寸连续变化，并且该电介质(15)被布置成封闭处理室(12)的顶部开口；以及天线(24)，其被布置在电介质(15)的顶面上，用于向电介质(15)供给微波，从而在电介质(15)的底面产生等离子体。此外，天线(24)设置有定位在倾斜面(16a和16b)的铅直上方的多个缝隙(25)。
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公开(公告)号：CN106252268A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610422960.6
申请日：2016-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C16/455 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/45542 , C23C16/4584 , H01J37/32715 , H01J37/32779 , H01J2237/3323 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/683 , C23C16/45525 , C23C16/45544
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。在处理容器内将多张晶圆(W1～W5)载置于旋转台(14)上，一边使旋转台(14)以轴线(P)为中心旋转一边对晶圆(W1～W5)进行成膜处理。在载置于旋转台(14)上的晶圆(W1～W5)之间的间隙配置仿真的被处理体(OD、ID)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102005381A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010273923.6
申请日：2010-09-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C30B33/12
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/513 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置。在用于将处理气体导入到处理容器中的导入部中抑制碳系附作物的产生。本发明的等离子体处理装置(1)将被导入到处理容器(2)中的处理气体等离子体化以对衬底(W)进行处理，其中，在处理容器(2)的顶面上设有处理气体导入部(55)，在导入部(55)形成有气体滞留部(61)和多个喷气孔(66)，其中，气体滞留部(61)滞留从处理容器(2)的外部经由供应路径(52)提供的处理气体，喷气孔(66)连通气体滞留部(61)和处理容器(2)内部，在气体滞留部(61)中，与供应路径(52)的开口部(52a)相对的位置上没有设置喷气孔(66)，喷气孔(66)的截面为扁平形状。
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公开(公告)号：CN101568993B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200780047845.4
申请日：2007-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 罗姆股份有限公司
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/46
CPC classification number: C23C16/481 , C23C16/325 , C23C16/46 , C30B25/10 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67748 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L29/66068
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括：内部被保持为减压空间的处理容器；由以碳为主要成分的材料构成、用于在处理容器内保持基板的基板保持部；配置在处理容器的外侧、用于感应加热基板保持部的线圈；和以覆盖基板保持部、且从处理容器离开的方式配置的绝热部件。上述的减压空间被分离为用于供给成膜气体的成膜气体供给空间，和在基板保持部与处理容器之间被划分形成的绝热空间，绝热空间被供给冷却介质。
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公开(公告)号：CN101568993A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200780047845.4
申请日：2007-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 罗姆股份有限公司
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/46
CPC classification number: C23C16/481 , C23C16/325 , C23C16/46 , C30B25/10 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67748 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L29/66068
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括：内部被保持为减压空间的处理容器；由以碳为主要成分的材料构成、用于在处理容器内保持基板的基板保持部；配置在处理容器的外侧、用于感应加热基板保持部的线圈；和以覆盖基板保持部、且从处理容器离开的方式配置的绝热部件。上述的减压空间被分离为用于供给成膜气体的成膜气体供给空间，和在基板保持部与处理容器之间被划分形成的绝热空间，绝热空间被供给冷却介质。
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公开(公告)号：CN302043990S
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201230072871.6
申请日：2012-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本外观设计产品的名称为“用于等离子处理装置的挡板”。本外观设计产品用于在用于制造半导体的等离子处理装置的室中引导气流。本外观设计的设计要点在于产品的形状。指定设计1立体图1用于出版专利公报。指定设计1为基本设计。
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公开(公告)号：CN301507166S
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201030288073.8
申请日：2010-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1.本外观设计产品名称为“用于等离子处理装置的电介质窗”。2.本外观设计产品被用于使用等离子对半导体基片进行氧化膜、氮化膜、氮氧化膜的形成、刻蚀以及成膜等的等离子处理装置。3.本外观设计的设计要点在于各视图所示的产品形状和构造。4.立体图为最能代表设计要点的图片。5.左视图与右视图对称，省略左视图。6.仰视图与俯视图对称，省略仰视图。7.使用状态参考图中标号4表示本外观设计产品。
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