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公开(公告)号：CN105316639B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201510455789.4
申请日：2015-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/06 , C23C14/0605 , C23C14/0694 , C23C14/3414 , C23C14/3435 , C23C14/345 , C23C16/30 , C23C16/509 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/3414 , H01J37/3417 , H01J37/3426 , H01J37/3432 , H01J37/3438 , H01J37/3491
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。目的在于在腔室内的电极上形成作为靶发挥功能的膜并对所形成的膜进行溅射。在该等离子体处理装置中，载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置，该等离子体处理装置具有：第一高频电源，其向上述第二电极供给第一高频电力；直流电源，其向上述第二电极供给直流电力；以及气体供给源，其向腔室内供给气体，上述第二电极具有利用通过供给第一气体和上述第一高频电力而生成的等离子体形成的反应产物的膜，上述第二电极成为利用通过供给第二气体、上述第一高频电力以及上述直流电力而生成的等离子体对上述反应产物的膜进行溅射的靶。
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公开(公告)号：CN113169066B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201980076470.7
申请日：2019-07-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
Abstract: 本发明的基片处理方法包括：提供具有掩模的基片的步骤；在掩模上形成膜的步骤；在膜的表层形成反应层的步骤；和对反应层供给能量来去除反应层的步骤。
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公开(公告)号：CN111463123B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010016949.6
申请日：2020-01-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供蚀刻膜的方法。在一实施方式中，提供蚀刻基片的膜的方法。基片具有膜和形成于该膜上的掩模。方法包括在掩模的上表面之上选择性地形成沉积物的步骤。方法在形成沉积物的步骤后，还包括蚀刻膜的步骤。进行蚀刻的步骤包括在基片上形成处理气体的等离子体中所含的化学种的层的步骤。进行蚀刻的步骤还包括为了使化学种与膜反应，而从非活性气体的等离子体对基片供给离子的步骤。本发明能够抑制膜的蚀刻导致的掩模的膜厚减少。
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公开(公告)号：CN110777361B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201910665735.9
申请日：2019-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/30 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。
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公开(公告)号：CN110010464B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201811565044.3
申请日：2018-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: [课题]提供处理基板的方法。[解决方案]一实施方式中，提供处理基板的方法。基板具有被蚀刻区域和图案化的区域。图案化的区域设置于被蚀刻区域上。方法中，在基板的表面上形成有机膜。接着，通过处理气体的等离子体，对被蚀刻区域进行蚀刻。有机膜的形成是在腔室内的处理空间中配置有基板的状态下执行。有机膜的形成中，向基板供给包含第1有机化合物的第1气体，接着，向基板供给包含第2有机化合物的第2气体。通过第1有机化合物与第2有机化合物的聚合而生成构成有机膜的有机化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427561B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201810971378.4
申请日：2018-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供处理被处理体的方法，在被处理体上形成图案时，为了实现高度集成化所需的细微化，高精度地抑制最小线宽的偏差。本发明的一个实施方式的处理被处理体的方法，在被处理体的表面设有多个孔。该方法包括第一流程，该第一流程包括在孔的内表面形成膜的第一工序和各向同性地对膜进行蚀刻的第二工序。第一工序包括使用等离子体CVD法的成膜处理，膜含有硅。
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公开(公告)号：CN108885991B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201780020010.3
申请日：2017-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一实施方式中，晶片(W)具备被蚀刻层(EL)、有机膜(OL)、防反射膜(AL)及掩膜(MK1)，一实施方式的方法MT具备如下工序：在收容有该晶片(W)的等离子体处理装置(10)的处理容器(12)内，通过在处理容器(12)内产生的等离子体并使用掩膜(MK1)对防反射膜(AL)进行蚀刻处理，该工序具备：在掩膜(MK1)的表面保形地形成保护膜(SX)的工序(ST3a)～工序(ST4)；及通过使用形成有保护膜(SX)的掩膜(MK1)按原子层去除防反射膜(AL)而对防反射膜(AL)进行蚀刻的工序(ST6a)～工序(ST7)。
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公开(公告)号：CN112599407A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202010993709.1
申请日：2020-09-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供用于以原子层水平形成有机膜的基片处理方法和等离子体处理装置。在例示的实施方式中，提供基片处理方法。基片处理方法包括：a)将基片提供到腔室内的步骤；和b)在基片的表面形成有机膜的步骤。b)包括两个步骤b1)和b2)。b1)对腔室内供给包含有机化合物的第一气体，在基片形成前体层。b2)对腔室内供给包含改性气体的第二气体，对前体层和第二气体的至少一者供给能量将前体层改性，在基片形成有机膜。
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公开(公告)号：CN112151370A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010546551.3
申请日：2020-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括提供基片的工序和第1工序。在提供基片的工序中提供具有第1膜和第2膜的基片，该第2膜形成在该第1膜上并且形成有图案。在第1工序中，一边将第1处理气体等离子体化以在进行第2膜的溅射的同时蚀刻第1膜，一边在第1膜的侧壁由通过上述溅射产生的生成物形成保护膜。本发明能够控制通过蚀刻在基片形成的图案形状。
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公开(公告)号：CN111508831A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010045816.1
申请日：2020-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种膜的蚀刻方法。一个实施方式的蚀刻方法包括在基片上形成含硅层的步骤。基片具有膜和掩模。含硅层由使用含有硅的前体气体的等离子体处理形成。含硅层包括硅、碳和氮。蚀刻方法还包括进行膜的等离子体蚀刻的步骤。从在基片上形成含硅层的步骤的开始时刻到进行膜的等离子体蚀刻的步骤的结束时刻的期间中，基片配置在减压了的环境下。由此，能够在掩模上形成与硅氧化层不同的层来对膜进行蚀刻。
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