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公开(公告)号：CN111337779A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010220887.0
申请日：2020-03-26
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明的元器件在轨飞行评价验证方法包括：1)确定被验证元器件在轨飞行评价验证阶段的工作状态；2)确定被验证元器件在轨飞行评价验证所需测试的功能及参数；3)研制开发在轨测试系统；4)对在轨测试系统进行地面标定试验；5)组装被验证元器件与在轨测试系统，并随航天器一起发射入轨；在轨期间，被验证元器件按步骤1)确定的工作状态运行，在轨测试系统在太空中对被验证元器件的功能及参数进行测试，该功能及参数即是步骤2)确定的所需测试和监测的功能及参数；6)在轨测试数据下传；7)开展被验证元器件在轨测试数据的分析和判读。
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公开(公告)号：CN114966362A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210156115.4
申请日：2022-02-21
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明公开了一种塑封倒装焊芯片凸点可靠性评估方法，包括：一、将封装好的倒装焊芯片进行电性能测试，测试完成后抽取样品进行超声波扫描检查；二、保留一定样品作为对照，对其余样品进行预处理；三、预处理完成后对样品进行超声波扫描检查；四、对样品进行电性能测试；五、将样品分为A、B、C三组，A组进行温度循环、B组进行UHAST、C组进行HAST试验；六、试验完成后对样品进行电性能测试；七、抽部分温度循环后的样品用3DXRAY观察指定凸点；八、对3DXRAY发现异常的凸点切片观察截面；九、结合3DXRAY的俯视图、侧视图和截面观察，判断凸点是空洞还是开裂，如果是空洞，在判据范围内是合格，如果是裂纹且有延伸趋势，则凸点不能保证长期应用的可靠性。
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公开(公告)号：CN115824914A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211184592.8
申请日：2022-09-27
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供一种基于微分函数定量估算二极管焊料层孔隙率的方法，首先制备不同孔隙率的二极管器件作为标定样品，采用瞬态热阻测试法获得标定样品的微分函数曲线和热阻值，确定热阻和孔隙率的关系；再将未知焊料孔隙率二极管作为待测样品，测试其微分函数曲线和热阻值；最后将标定样品和待测样品的热特性信息进行对比，确定待测二极管样品的孔隙率范围。通过该方法可准确反映待测样品焊料层的孔隙率特征，提高出厂器件的可靠性和产品良率。本发明解决了现有瞬态热阻测试方法无法定量确定焊料层孔隙率范围的难题，可定量分析多个未知焊料孔隙率的待测样品，并对多个待测样品的焊料孔隙率结果进行统计分析，有助于深入分析该批次产品的焊料工艺情况。
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公开(公告)号：CN111474465B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010341888.0
申请日：2020-04-27
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/311 , G01R1/04
Abstract: 本发明涉及用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，夹具包括PCB基板、排针、底座、底座插针、簧片阵列、压杆和杆套；底座设置在PCB基板上；底座上设有两列所述簧片阵列；杆套设置在PCB基板上，压杆与杆套连接；待分析扁平封装半导体器件置于底座上，器件两侧的两管脚阵列分别与两列簧片阵列对接，压杆一端部紧压在器件的边框上，使器件管脚阵列与簧片阵列压紧连接；PCB基板上排布有微带引线，簧片阵列通过底座插针与微带引线连接，微带引线与排针连接。本发明的用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，既能保证扁平封装半导体器件管脚与夹具良好连接，又能使扁平封装半导体器件的芯片充分暴露。
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公开(公告)号：CN111273164B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202010165155.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/311 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种电压调整器动态EMMI分析系统及分析方法,包括：EMMI平台、PCB基板、外部电源、信号发生器、V‑I源。PCB基板置于EMMI平台上，PCB基板上通过插针安装有夹具一和夹具二，PCB基板包括信号端、电源端、公共地、负载端4个端口，4个端口分别与信号发生器、外部电源、系统地、V‑I源相连，夹具一和夹具二分别用以安装失效电压调器和正常电压调整器。通过包含外部电源、信号发生器、V‑I源在内的动态EMMI分析系统，能够使电压调整器内部器件进入工作状态，从而有效激发能够被微光显微镜获所取的缺陷。将失效电压调整器和正常电压调整器进行相同方式的加电，并且通过开关进行统一切换，能够快速实现动态EMMI图像的对比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN212667962U
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202020374239.6
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: B65D21/028 , B65D25/04 , B65D25/34 , B65D25/10
Abstract: 本实用新型实施例提供了一种模块化危险化学品存储装置，其特征在于，包括至少两个存储盒，每两个存储盒之间通过连接件拼接成整体；其中，存储盒为长方体或正方体，由底板以及四个侧板围绕形成的放置腔(3)，放置腔(3)的上盖开设有孔，形成放置槽(2)，所述放置槽(2)的个数根据使用环境确定。
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公开(公告)号：CN213041948U
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202020379892.1
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型提供一种DIP封装功率器件的热阻测试装置，其特征在于，由散热基板和电极引出组件组成；所述散热基板上设置有与各DIP封装功率器件尺寸相匹配的多个测试工位，所述测试工位侧壁粘贴有绝缘层；所述电极引出组件包括电极插座和电极引出端，所述电极插座通过电线与所述电极引出端连接；所述电极插座插入各组测试工位中，所述电极引出端与外置电阻测试仪连接。本实用新型提供的DIP封装功率器件的热阻测试装置通过散热基板对被测器件散热引出端的压紧接触，满足了热量沿一维方向向下传导的要求，可准确地测试出DIP封装半导体器件的结壳热阻值，对于优化器件封装设计、提高器件的可靠性和使用寿命都具有重大意义。
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公开(公告)号：CN212207591U
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202020293302.3
申请日：2020-03-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/311
Abstract: 本实用新型公开了一种电压调整器动态EMMI分析系统,包括：EMMI平台、PCB基板、外部电源、信号发生器、V‑I源。PCB基板置于EMMI平台上，PCB基板上通过插针安装有夹具一和夹具二，PCB基板包括信号端、电源端、公共地、负载端4个端口，4个端口分别与信号发生器、外部电源、系统地、V‑I源相连，夹具一和夹具二分别用以安装失效电压调器和正常电压调整器。通过包含外部电源、信号发生器、V‑I源在内的动态EMMI分析系统，能够使电压调整器内部器件进入工作状态，从而有效激发能够被微光显微镜获所取的缺陷。将失效电压调整器和正常电压调整器进行相同方式的加电，并且通过开关进行统一切换，能够快速实现动态EMMI图像的对比。
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公开(公告)号：CN213041950U
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202021568979.X
申请日：2020-08-02
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本实用新型提供一种可配置的半导体器件I‑V特性测试装置，由PCB基板、电源端口、悬空端口、接地端口、第一夹具、第二夹具、单刀三掷开关组和单刀双掷开关组组成；电源端口、悬空端口和接地端口通过PCB基板引出，电源端口连接图示仪的电源端，接地端口连接图示仪的接地端；第一夹具和第二夹具分别用于安装失效器件和正常器件。本实用新型采用通用的双列直插夹具，可以较为简单地实现双列直插封装的半导体器件I‑V特性测试，同样能够针对可转换为双列直插的其它形式封装半导体器件的I‑V特性进行测试；通过单刀三掷开关选择需要进行I‑V特性测试的管脚，通过双掷开关组实现失效器件和正常器件的I‑V特性曲线快速对比。
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公开(公告)号：CN212675102U
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202020658328.3
申请日：2020-04-27
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/311 , G01R1/04
Abstract: 本实用新型涉及用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具包括PCB基板、排针、底座、底座插针、簧片阵列、压杆和杆套；底座设置在PCB基板上；底座上设有两列所述簧片阵列；杆套设置在PCB基板上，压杆与杆套连接；待分析扁平封装半导体器件置于底座上，器件两侧的两管脚阵列分别与两列簧片阵列对接，压杆一端部紧压在器件的边框上，使器件管脚阵列与簧片阵列压紧连接；PCB基板上排布有微带引线，簧片阵列通过底座插针与微带引线连接，微带引线与排针连接。本实用新型的用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具，既能保证扁平封装半导体器件管脚与夹具良好连接，又能使扁平封装半导体器件的芯片充分暴露。
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