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公开(公告)号：CN111830627A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910328570.6
申请日：2019-04-23
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及光学技术领域，尤其涉及一种偏振分束器及其形成方法。所述偏振分束器包括：衬底；位于所述衬底表面且均沿第一方向延伸的第一波导、狭缝波导和第二波导；所述第一波导、所述狭缝波导与所述第二波导在沿与所述第一方向垂直的第二方向上平行排列，且所述狭缝波导位于所述第一波导与所述第二波导之间；所述第一方向为光线的传播方向，所述第一方向与所述第二方向均为平行于所述衬底的方向；所述光线中的横磁偏振光能够自所述第一波导经所述狭缝波导耦合至所述第二波导。本发明实现了对光线中TM偏振模式与TE偏振模式的分离，在未来的偏振复用以及传感等方面有着诸多潜在的应用。
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公开(公告)号：CN111785792A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910272710.2
申请日：2019-04-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种锗铅合金材料的制备方法。该方法包括：在衬底上沉积基底介质层；在基底介质层中形成开孔所述衬底从所述开孔露出的部分被作为生长种子窗口；在所述基底介质层表面以及从所述开孔露出的衬底表面沉积包含锗(Ge)元素和铅(Pb)元素的材料层；在所述材料层表面沉积阻挡介质层；以及对所述衬底进行退火，在所述材料层中形成所述四族半导体锗铅合金材料。根据本申请，能够在衬底表面形成质量较高的GePb合金，并且，该方法与CMOS工艺的兼容性较好，有利于GePb合金在硅基器件中的应用。
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公开(公告)号：CN111477613A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010501441.5
申请日：2020-06-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 上海工程技术大学
IPC: H01L25/065 , H01L21/98 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种三维芯片封装结构及封装方法，封装结构包括：封装基板；三维堆叠芯片组件，包括第一芯片组件及第二芯片组件，第一芯片组件的尺寸大于第二芯片组件的尺寸；热桥结构，形成于第一芯片组件上，与第二芯片组件间具有间距；散热盖组件，形成于封装基板上，热桥结构、第一芯片组件与散热盖组件之间热导通。本发明通过引入热桥结构，形成导热通路，有利于三维堆叠芯片的散热，大幅度降低底部芯片的散热热阻和温度。本发明的设计，还可以降低第一芯片的温差，从而能够大幅度降低热应力。热桥结构分担了原本施加到三维堆叠芯片上的散热器等的压力，从而使得封装受力更为均匀，结构更加稳定。本发明工艺简单，基本不影响现有的封装工艺流程和制程。
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公开(公告)号：CN110896112A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201810958988.0
申请日：2018-08-22
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/103 , H01L31/0312 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种波导集成的GeSn光电探测器及其制造方法。所述波导集成的GeSn光电探测器，包括GeSnOI衬底以及均位于所述GeSnOI衬底表面的光纤-波导模斑耦合器、SiN光波导和器件结构；所述器件结构，包括沿所述GeSnOI衬底的轴向方向设置于所述GeSnOI衬底上的GeSn吸收层；所述SiN光波导的输出端沿平行于所述GeSnOI衬底的方向与所述GeSn吸收层的中心对齐连接；所述光纤-波导模斑耦合器包括与所述SiN光波导的输入端连接的SiN反锥型波导，且所述SiN反锥型波导与所述SiN光波导同层设置。本发明能够有效避免光探测器速率与量子效率间相互制约的问题，提高了GeSn光电探测器的灵敏度以及稳定性。
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公开(公告)号：CN110890436A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201811056068.6
申请日：2018-09-11
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0336 , H01L31/028 , H01L31/11 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种波导型GeSn光电晶体管及其制造方法。所述波导型GeSn光电晶体管包括：SOI衬底，具有由所述SOI衬底的顶层硅形成的波导层；器件结构，位于所述SOI衬底表面，包括吸收区、集电极区、基极区和发射极区，其中：所述集电极区、所述吸收区和所述基极区均采用Ge1-xSnx材料构成、且沿平行于所述SOI衬底的方向依次排列；所述发射极区沿垂直于所述SOI衬底的方向层叠设置于所述基极区表面，以在所述发射极区与所述基极区之间形成异质结；其中，0
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公开(公告)号：CN110767766A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201810836030.4
申请日：2018-07-26
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种应变平衡GeSn红外光电探测器及其制造方法。所述应变平衡GeSn红外光电探测器，包括硅衬底以及依次层叠于所述硅衬底上的Ge缓冲层和吸收层；所述吸收层，包括沿垂直于所述硅衬底的方向交替堆叠的拉应变Si1-x-yGexSny层与压应变Ge1-aSna层，以达到应变平衡；其中，0
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公开(公告)号：CN119310682A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202310861464.0
申请日：2023-07-13
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种偏振不敏感的微环谐振器，基于SION波导的总线波导与跑道环形波导设计成微环谐振器，其结构设计简单，并将SION波导的截面形状控制为正方形，使的TE模式的有效折射率接近于TM模式的有效折射率，从而使得微环谐振器具有谐振波长偏振不敏感特性，且由于总线波导与跑道环形波导在直波导区域发生耦合且耦合区域的光耦合系数与波导的有效折射率均相同，尤其是在O波段(1260nm～1360nm)处，在中心波长为1310nm处实现了非常优异的偏振不敏感的特性，从而实现了微环谐振器具有很好的耦合区偏振不敏感特性，并且基于上述结构设计的微环谐振器具有较低的插入损耗，从而扩展了微环谐振器在偏振不敏感需求较高的滤波器、波分复用系统以及光学传感器等领域的应用。
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公开(公告)号：CN112242343B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201910646559.4
申请日：2019-07-17
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/84 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种单晶硅局域SOI衬底、光电器件及制备方法，制备方法包括：1)在硅衬底上刻蚀出局域SOI区域槽；2)于局域SOI区域槽及硅衬底表面沉积介质层，并抛光形成平坦表面；3)沉积非晶硅层于硅衬底表面，并通过热退火固相外延工艺使非晶硅层重新结晶形成覆盖于硅衬底及介质层表面的单晶硅层，以形成单晶硅局域SOI衬底，于硅衬底及其上方的单晶硅层制备电学器件，于介质层上的单晶硅层上制备光学器件。采用本发明的方法可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。
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公开(公告)号：CN118213270A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202211626287.X
申请日：2022-12-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/3105
Abstract: 本发明提供一种图形半导体衬底的平坦化方法，包括：1)在衬底上形成牺牲衬垫层；2)在衬底中刻蚀出图形凹槽，并沉积绝缘层；3)于绝缘层上沉积研磨衬垫层；4)于图形凹槽上形成刻蚀阻挡层，刻蚀以去除第二绝缘部的部分厚度；5)第一次化学机械研磨，基于研磨衬垫层使得第一绝缘部的去除速率小于第二绝缘部的去除速率，第二绝缘部的顶面高于牺牲衬垫层的顶面；6)第二次化学机械研磨，第二绝缘部的去除速率大于牺牲衬垫层的去除速率，以在去除牺牲衬垫层时使第二绝缘部的顶面与衬底的顶面齐平。本发明实现了一种超深、大图形平坦化的工艺方法，可以用于微机电系统工艺及硅基光电子器件工艺，可有效提高后续工艺的窗口，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN117631334A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210993738.7
申请日：2022-08-18
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种集总型电光调制器及其制备方法，集总型电光调制器包括：第一光波导结构，包括第一光波导，其包括第一输入/输出端以及第一反射端；第二光波导结构，包括第二光波导，其包括第二输入/输出端以及第二反射端，第二光波导结构中设置有电光调制器，用于产生电光效应并根据电光效应对第二光波导结构的光波产生相应的调制效果；电学结构，包括连接于电光调制器的第一输入端和第二输入端，用于向电光调制器施加电信号，第一输入端连接有电感结构，用于降低电光调制器两端因电信号频率造成的电压变化。本发明具有器件尺寸小集成度高的优点，同时串联电感的设计提高了器件的高频性能，在高速光互连光通讯领域具有广泛的应用前景。
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