-
公开(公告)号：CN102569122A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210054565.9
申请日：2012-03-05
Applicant: 复旦大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明公开了一种LED侧面钝化层质量的测试结构，通过在LED芯片的侧面及衬底的背面上制备G电极，从而可对LED芯片的侧面钝化层的等效电阻进行测量，并进一步对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；同时，还公开了一种LED侧面钝化层质量的测试方法，通过测量LED芯片P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻，并分别与一标准LED芯片样品的P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻进行比较，从而可对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；该方法简单方便，并且成本较低。
-
公开(公告)号：CN101958333A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055071.0
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件，包括：衬底；在所述衬底上具有氧化硅膜层；在所述氧化硅膜层上具有点阵排列的圆孔，所述圆孔的深度与氧化硅膜层的深度相等，在所述圆孔内具有n型GaN膜；在所述n型GaN膜上具有至少一个周期的GaInN/GaN量子阱；在所述的GaInN/GaN量子阱上具有p型GaN膜。本发明提供的半导体发光器件中，GaInN/GaN量子阱呈点阵排列，与在衬底上直接外延得到的量子阱结构相比，点阵排列的GaInN/GaN量子阱可以提高LED显示屏的分辨率。
-
公开(公告)号：CN101956233A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055070.6
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明提供一种镓酸锂晶体的制备方法，包括：将Li2CO3和Ga2O3作为原料混合后压块得到成型体，烧结所述成型体；在真空条件下加热所述成型体得到熔体，将籽晶下到所述熔体的冷心处浸泡同时旋转籽晶，然后经过放肩、等径提拉得到镓酸锂晶体。按照本发明，在烧结的过程中，可以提高原料纯度，降低晶体生长的挥发。然后，将成型体在真空条件下加热形成熔体，取籽晶下到熔体的冷心处浸泡同时旋转籽晶以降低温场的不均匀性，然后经过放肩、等径提拉得到镓酸锂晶体。采用冷心下种，可以使固液界面的顶端与籽晶中心重合防止晶体偏心生长，有利于挥发性物质的排出，从而提高晶体质量。
-
公开(公告)号：CN101534589A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200810034513.9
申请日：2008-03-13
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H05B37/02 , G05F3/02 , F21S8/10 , F21V29/02 , F21W101/02 , F21Y101/02
CPC classification number: Y02B20/48
Abstract: 一种控制车用LED照明系统光照强度的方法及装置，属照明领域。其特征是：检测车行速度；将检测到的车行速度与设定值进行比较；根据上述两者之间的差值；输出控制信号；用控制信号控制可调电源的输出功率；进而控制LED照明灯的工作功率；使LED照明灯获得一正比于车速的光照强度。本发明还提供了一种采用上述方法的控制装置。由于合理地利用了车速、需要的光照距离、空气流动速度差和风冷式散热装置的散热能力之间的对应关系，使得整个LED照明装置及其附属装置可根据车速的高低，调节大功率LED照明装置的发光强度或工作功率，控制其发热量，再辅以风冷散热结构，即可合理地解决作为车辆前照灯使用时大功率LED照明装置的散热问题。
-
公开(公告)号：CN101509145A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910046585.X
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: C30B29/38 , C30B29/40 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 一种在铝酸锂(302)面衬底上生长非极性a(11－20)面GaN薄膜的方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO2)(302)面衬底上，在N2保护下，升温到800－950℃，在氮气气氛下生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150－500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1－50sccm，对应于摩尔流量：4E－6mole/min－3E－4mole/min；然后降低压力至100－300torr，升温到1000－1100℃在氮气气氛下继续生长非掺杂氮化镓(U－GaN)层，TMGa流量为10－150sccm，对应于摩尔流量：4E－5mol/min－7.5E－4mole/min；然后再升温到1050－1150℃，在氢气气氛下生长高温U－GaN约1um，TMGa流量为20－200sccm，对应于摩尔流量：8E－5mol/min－1E－3mole/min。本发明的创新点在于根据铝酸锂(302)面衬底的特点，设计了一套新的外延工艺，使得所生长的外延薄膜具有更高质量、更具有实用性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101430223A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810200753.1
申请日：2008-09-28
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海理工大学
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种PWM驱动技术下LED瞬时光通量的测试方法及装置，属测量领域。包括采用积分球法对待测LED的光通量进行测量，其在常规光谱分析系统装置的基础上，再设置一套由信号采集部分、信号转换部分和数据处理部分组成的采集系统，其通过测量PWM脉冲驱动下待测LED的瞬时光通量，再乘以PWM脉冲信号的占空比，进而得到PWM脉冲驱动下待测LED的平均光通量。其以现有测试设备为基础，与传统测试方法不背离，不引起新的近场吸收，且能响应脉冲驱动的瞬时峰值信号，测量在热平衡条件下LED的瞬时光通量，并能实现脉冲驱动功率变化时的动态测量。可广泛用于各种LED发光器件和/或PWM脉冲驱动装置的性能测试、标定领域。
-
公开(公告)号：CN101276867A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810037353.3
申请日：2008-05-13
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种延伸结构的氧化锌透明电极大功率发光二极管芯片及其制作工艺，包括：n型金pad、氧化锌透明电极、填充体、基板、粘结层、p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触、辅助电流扩展电极结构，其中p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触是在MOCVD中依次生长完毕，总称发光有源层；其中发光有源层通过粘结层粘结在基板上，填充体填充在发光有源层被刻蚀掉的一对对角线位置的孔里，氧化锌透明电极通过薄膜生长工艺生长在n型电极接触的表面，n型金pad以及辅助电流扩展电极通过蒸镀工艺制作在氧化锌透明电极上表面。氧化锌透明电极提高了透明度、延伸电极减少了对光的遮挡，从而提高了出光效率。
-
公开(公告)号：CN102623619B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210113628.3
申请日：2012-04-17
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 一种基于硅基的LED芯片封装方法及LED芯片发光器件，属半导体器件领域。其在IC芯片封装生产线上对LED芯片进行封装：利用硅片作承载体，采用“键合”方式将LED芯片直接固定在硅片上；用液态玻璃在硅片表面及各个LED芯片之间形成绝缘层；对硅片置有LED芯片的一面进行抛光；采用“镀膜”法在固化后的玻璃以及LED芯片的表面制备连接电极；对硅片进行切割，得到LED发光器件或LED发光器件模块产品。其降低了LED封装成本，为现有集成电路IC芯片封装生产线的应用和使用扩展了一个全新的领域，特别适于大功率LED发光器件的生产，在相同外部环境条件或电源功率的情况下可输出更大的光功率。可广泛用于LED发光器件的生产/制造领域。
-
公开(公告)号：CN102544268A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210055499.7
申请日：2012-03-05
Applicant: 复旦大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光二极管表面处理方法，该方法包括以下步骤：提供待处理的半导体发光二极管芯片；提供等离子体处理设备，该等离子体处理设备具有等离子体真空腔体和等离子体放电功能；清洁待处理的半导体发光二极管芯片并将其干燥；将清洁并干燥后的待处理的半导体发光二极管芯片放入等离子体设备的真空腔体内；将等离子体真空腔体抽真空；在抽过真空的等离子体真空腔体内注入氩气或者氮气，并控制真空腔体内的真空度；对等离子体真空腔体内的惰性气体加高压，处理一定时间后结束放电过程，退出等离子体真空腔体。本发明能够去除芯片表面至亚表面的损伤层，降低漏电流，结合后续钝化工艺，进一步改善钝化的效果，降低漏电流。
-
公开(公告)号：CN101673802B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910196566.5
申请日：2009-09-27
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L23/13 , H01L23/367 , H01L23/427 , H01L23/28 , H01L23/14 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及了一种集成金属基氮化铝薄膜基板与热管的大功率LED模块及其制备方法。本发明采用单颗或多颗大功率发光二极管LED键合在镀有氮化铝AlN薄膜的铜Cu(或铝Al)基板上，其下部焊接有热管，热管底端焊接有散热片，上部焊接有一个金属框，框内布置有单个或多个发光二极管LED芯片，芯片上部有机硅胶灌封避免了荧光体与芯片直接接触，降低了荧光体光衰；硅胶上部为荧光粉胶体层，荧光体形状为中间厚，周围薄，大大提高了出光均匀性；热管与基板、基板与金属框均采用回流焊接，减少了界面热阻。本发明从衬底、粘结层、荧光粉、基板等多个层次上提高大功率发光二极管LED芯片的散热能力和光学性能，器件可靠性高，可广泛应用于照明领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
58
records
(took 0.031 seconds)
