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公开(公告)号：CN101430223B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810200753.1
申请日：2008-09-28
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海理工大学
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种PWM驱动技术下LED瞬时光通量的测试方法及装置，属测量领域。包括采用积分球法对待测LED的光通量进行测量，其在常规光谱分析系统装置的基础上，再设置一套由信号采集部分、信号转换部分和数据处理部分组成的采集系统，其通过测量PWM脉冲驱动下待测LED的瞬时光通量，再乘以PWM脉冲信号的占空比，进而得到PWM脉冲驱动下待测LED的平均光通量。其以现有测试设备为基础，与传统测试方法不背离，不引起新的近场吸收，且能响应脉冲驱动的瞬时峰值信号，测量在热平衡条件下LED的瞬时光通量，并能实现脉冲驱动功率变化时的动态测量。可广泛用于各种LED发光器件和/或PWM脉冲驱动装置的性能测试、标定领域。
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公开(公告)号：CN101430223A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810200753.1
申请日：2008-09-28
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海理工大学
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种PWM驱动技术下LED瞬时光通量的测试方法及装置，属测量领域。包括采用积分球法对待测LED的光通量进行测量，其在常规光谱分析系统装置的基础上，再设置一套由信号采集部分、信号转换部分和数据处理部分组成的采集系统，其通过测量PWM脉冲驱动下待测LED的瞬时光通量，再乘以PWM脉冲信号的占空比，进而得到PWM脉冲驱动下待测LED的平均光通量。其以现有测试设备为基础，与传统测试方法不背离，不引起新的近场吸收，且能响应脉冲驱动的瞬时峰值信号，测量在热平衡条件下LED的瞬时光通量，并能实现脉冲驱动功率变化时的动态测量。可广泛用于各种LED发光器件和/或PWM脉冲驱动装置的性能测试、标定领域。
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公开(公告)号：CN103501435B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310451115.8
申请日：2013-09-27
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H04N17/00
Abstract: 一种用密闭LED光源灯箱测试摄像机动态范围的方法及装置，属测试领域。其将密闭箱式分割成两个相邻的相互独立的第一/第二测试空间；在测试空间前部设置带有摄像机测试孔的前面板；在两个测试空间中分别设置LED光源；在LED光源与前面板之间分别设置透明测试卡；沿两测试空间纵向方向设置带有移动滑块的移动滑轨；LED光源设置在移动滑块上；LED光源控制端、移动滑轨控制端以及待测摄像机镜头图像输出端，与控制计算机I/O端口连接。其提供与外界隔离的密闭测试光源环境，两光源之间完全独立，没有任何串扰，LED光源的光学参数设置以及其与被测设备之间的距离及位置调整，均采用计算机控制，使得整个测试设备操作方便，测量精度大大提高。
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公开(公告)号：CN103501435A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310451115.8
申请日：2013-09-27
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H04N17/00
Abstract: 一种用密闭LED光源灯箱测试摄像机动态范围的方法及装置，属测试领域。其将密闭箱式分割成两个相邻的相互独立的第一/第二测试空间；在测试空间前部设置带有摄像机测试孔的前面板；在两个测试空间中分别设置LED光源；在LED光源与前面板之间分别设置透明测试卡；沿两测试空间纵向方向设置带有移动滑块的移动滑轨；LED光源设置在移动滑块上；LED光源控制端、移动滑轨控制端以及待测摄像机镜头图像输出端，与控制计算机I/O端口连接。其提供与外界隔离的密闭测试光源环境，两光源之间完全独立，没有任何串扰，LED光源的光学参数设置以及其与被测设备之间的距离及位置调整，均采用计算机控制，使得整个测试设备操作方便，测量精度大大提高。
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公开(公告)号：CN102752929A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210216942.4
申请日：2012-06-28
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明涉及一种支持可控硅调光的高功率因数LED驱动电路。本发明实现的替换型小功率LED驱动器为电气隔离型电路，电路采用反激变换拓扑结构，使用隔离式变压器进行能量的存储和传输，使用外接的三端可控硅调光器进行调光。为实现调光功能，考虑使用集成了MOSFET的开关电源管理芯片NXPSSL2101T、使用三端可控硅调光开关产生输入信号、使用电阻分压方式产生亮度控制信号等。为实现高功率因数，考虑使用了填谷式PFC校正电路，包括3个电容和2个二极管。在小功率限制下，为实现较高效率，采用反激式拓扑结构。本发明提高了电路集成度、功率因数及电路转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101673802B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910196566.5
申请日：2009-09-27
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L23/13 , H01L23/367 , H01L23/427 , H01L23/28 , H01L23/14 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及了一种集成金属基氮化铝薄膜基板与热管的大功率LED模块及其制备方法。本发明采用单颗或多颗大功率发光二极管LED键合在镀有氮化铝AlN薄膜的铜Cu(或铝Al)基板上，其下部焊接有热管，热管底端焊接有散热片，上部焊接有一个金属框，框内布置有单个或多个发光二极管LED芯片，芯片上部有机硅胶灌封避免了荧光体与芯片直接接触，降低了荧光体光衰；硅胶上部为荧光粉胶体层，荧光体形状为中间厚，周围薄，大大提高了出光均匀性；热管与基板、基板与金属框均采用回流焊接，减少了界面热阻。本发明从衬底、粘结层、荧光粉、基板等多个层次上提高大功率发光二极管LED芯片的散热能力和光学性能，器件可靠性高，可广泛应用于照明领域。
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公开(公告)号：CN101581770B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910054184.9
申请日：2009-06-30
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种LED灯具流明效率测试方法，属测量领域。其构建一与灯具光输出窗口相同尺寸或形状的大面积矩阵型流明光电探测模块，使被测LED灯具的光输出直接照射在大面积矩阵型流明光电探测模块上，扫描矩阵型流明光电探测模块中各个矩阵单元光电探测器的光电流/电压输出信号，将光电数据以及LED灯具总电功率消耗数据输入计算机进行数据累加和处理，进而得到LED灯具输出的总光通量流明和其流明效率。由于其直接接收LED灯具输出的总光通量，可对灯具总光通量进行实时测量，其响应速度快，测试数据的可重复性好，操作方便、快捷，与分布光度计法相比，其设备造价低廉，容易普及到一般实验室，可广泛用于各种灯具的节能性能/发光效率的测试领域。
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公开(公告)号：CN101958236A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055072.5
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L21/02 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制备方法，包括：提供铝酸锂晶片，使用溅射法在所述铝酸锂晶片上沉积AlN膜层得到半导体衬底。本发明以铝酸锂晶体作为基底，然后在上面采用溅射法沉积AlN膜层制成半导体衬底，由于铝酸锂与GaN的晶格失配度小，作为GaN晶体生长的衬底时，易于制备GaN外延薄膜，并减少由应力引起的高缺陷密度。当在铝酸锂晶片上沉积与GaN晶体结构相同、晶格常数相近的AlN膜层时，可以解决由于铝酸锂晶体和GaN之间的热膨胀差异而导致的GaN外延片开裂的问题。而且，AlN作为缓冲层还可以阻止铝酸锂衬底中Li的挥发，并保护铝酸锂衬底不受酸性或还原性气氛的腐蚀。
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公开(公告)号：CN101581770A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910054184.9
申请日：2009-06-30
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种LED灯具流明效率测试方法，属测量领域。其构建一与灯具光输出窗口相同尺寸或形状的大面积矩阵型流明光电探测模块，使被测LED灯具的光输出直接照射在大面积矩阵型流明光电探测模块上，扫描矩阵型流明光电探测模块中各个矩阵单元光电探测器的光电流/电压输出信号，将光电数据以及LED灯具总电功率消耗数据输入计算机进行数据累加和处理，进而得到LED灯具输出的总光通量流明和其流明效率。由于其直接接收LED灯具输出的总光通量，可对灯具总光通量进行实时测量，其响应速度快，测试数据的可重复性好，操作方便、快捷，与分布光度计法相比，其设备造价低廉，容易普及到一般实验室，可广泛用于各种灯具的节能性能/发光效率的测试领域。
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公开(公告)号：CN103996784A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410187633.8
申请日：2014-05-06
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15153 , H01L2924/15313 , H01L2924/16195 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/91 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种降低大功率LED热阻的封装结构及其制造方法。包括密封层、负电极、荧光片、金丝、LED芯片、金属互连层、正电极、通孔、基板、底部正电极、散热面、底部负电极。在芯片与基板互连过程中，芯片封装于基板中心位置，基板厚度0.7mm，有利于减小扩散热阻；回流焊接时固晶压力为2N~3N，大大减少互连层中空洞的产生，从而减小界面热阻；固晶材料选用AuSn，AuSn材料热导率高且产生空洞少；这样封装方法有利于降低界面热阻及扩散热阻，提高LED模块散热性能，从而改善LED的性能。
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