-
公开(公告)号：CN101958236A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055072.5
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L21/02 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制备方法，包括：提供铝酸锂晶片，使用溅射法在所述铝酸锂晶片上沉积AlN膜层得到半导体衬底。本发明以铝酸锂晶体作为基底，然后在上面采用溅射法沉积AlN膜层制成半导体衬底，由于铝酸锂与GaN的晶格失配度小，作为GaN晶体生长的衬底时，易于制备GaN外延薄膜，并减少由应力引起的高缺陷密度。当在铝酸锂晶片上沉积与GaN晶体结构相同、晶格常数相近的AlN膜层时，可以解决由于铝酸锂晶体和GaN之间的热膨胀差异而导致的GaN外延片开裂的问题。而且，AlN作为缓冲层还可以阻止铝酸锂衬底中Li的挥发，并保护铝酸锂衬底不受酸性或还原性气氛的腐蚀。
-
公开(公告)号：CN101430223B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810200753.1
申请日：2008-09-28
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海理工大学
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种PWM驱动技术下LED瞬时光通量的测试方法及装置，属测量领域。包括采用积分球法对待测LED的光通量进行测量，其在常规光谱分析系统装置的基础上，再设置一套由信号采集部分、信号转换部分和数据处理部分组成的采集系统，其通过测量PWM脉冲驱动下待测LED的瞬时光通量，再乘以PWM脉冲信号的占空比，进而得到PWM脉冲驱动下待测LED的平均光通量。其以现有测试设备为基础，与传统测试方法不背离，不引起新的近场吸收，且能响应脉冲驱动的瞬时峰值信号，测量在热平衡条件下LED的瞬时光通量，并能实现脉冲驱动功率变化时的动态测量。可广泛用于各种LED发光器件和/或PWM脉冲驱动装置的性能测试、标定领域。
-
公开(公告)号：CN101430223A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810200753.1
申请日：2008-09-28
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海理工大学
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种PWM驱动技术下LED瞬时光通量的测试方法及装置，属测量领域。包括采用积分球法对待测LED的光通量进行测量，其在常规光谱分析系统装置的基础上，再设置一套由信号采集部分、信号转换部分和数据处理部分组成的采集系统，其通过测量PWM脉冲驱动下待测LED的瞬时光通量，再乘以PWM脉冲信号的占空比，进而得到PWM脉冲驱动下待测LED的平均光通量。其以现有测试设备为基础，与传统测试方法不背离，不引起新的近场吸收，且能响应脉冲驱动的瞬时峰值信号，测量在热平衡条件下LED的瞬时光通量，并能实现脉冲驱动功率变化时的动态测量。可广泛用于各种LED发光器件和/或PWM脉冲驱动装置的性能测试、标定领域。
-
公开(公告)号：CN101958236B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200910055072.5
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L21/02 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制备方法，包括：提供铝酸锂晶片，使用溅射法在所述铝酸锂晶片上沉积AlN膜层得到半导体衬底。本发明以铝酸锂晶体作为基底，然后在上面采用溅射法沉积AlN膜层制成半导体衬底，由于铝酸锂与GaN的晶格失配度小，作为GaN晶体生长的衬底时，易于制备GaN外延薄膜，并减少由应力引起的高缺陷密度。当在铝酸锂晶片上沉积与GaN晶体结构相同、晶格常数相近的AlN膜层时，可以解决由于铝酸锂晶体和GaN之间的热膨胀差异而导致的GaN外延片开裂的问题。而且，AlN作为缓冲层还可以阻止铝酸锂衬底中Li的挥发，并保护铝酸锂衬底不受酸性或还原性气氛的腐蚀。
-
公开(公告)号：CN102322584A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110269255.4
申请日：2011-09-13
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 莎益博设计系统商贸(上海)有限公司
IPC: F21S2/00 , F21V19/00 , F21V29/00 , F21Y101/02
Abstract: 一种采用COB封装技术的超薄LED面光源，属照明领域。其设置一带有侧立边框状结构的灯具壳体；在两个对应的侧立边，设置LED灯条模块容纳槽；在各LED灯条模块容纳槽中，设置一个COB封装LED灯条模块；在框状结构灯具壳体所容纳/包含的空间内，嵌入/设置一个导光板；所述的框状结构灯具壳体、COB封装LED灯条模块和导光板，组合成一个LED面光源。其采用一体化的COB多芯片封装技术，很好地将器件的封装形式和灯具壳体结合起来，实现芯片直接导热到基板再到灯壳的导热路径，热阻明显减小，可达到更好的散热效果，更有效地降低器件结温，延长灯具的使用寿命，通过发光芯片的单列芯片的排列方式，其LED面光源灯具的厚度尺寸可大大减小。可广泛用于各种室内、外照明领域。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN202217045U
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201120335174.5
申请日：2011-09-07
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海微森电子科技有限公司
IPC: G01R31/44
Abstract: 一种可同时测试多个灯具的LED照明灯具发光维持率测试装置，属测量领域。其包括一依次设有光电转换模块、信号放大/滤波模块、单片机模块和电源模块的主机，在主机上设有数个与光电转换模块电连接的光纤束法兰；设置数组光纤束，各光纤束的首端分别固定在一个待测灯具处，各光纤束的末端分别经过光纤束法兰与主机内的光电转换模块连接；单片机模块与相关外设模块和SD存储卡模块连接；其各个光纤束内分别设有一根玻璃光纤，在每根玻璃纤维的外部设置护套，在每根光纤束的首/末端设置首/末端端套。其可自动采集多个LED灯具的光辐射能量，经模/数信号转换，并换算成相应的照度值，自动记录、存储在标准SD卡中。特别适用于LED灯具的寿命性能测试领域。
-
公开(公告)号：CN201521919U
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200920210085.0
申请日：2009-09-25
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: F21V21/38 , F21W131/103
Abstract: 本实用新型公开了一种用于道路灯具测试的装置，其包括一立柱，以及一设于该立柱上的用于灯具升降的升降装置。本实用新型可自动升降灯具，操作简便，成本低廉，并且测量准确。进一步地，本实用新型在杆体上标注高度标尺，可以控制升降高度。本实用新型还方便安装灯具，供电安全可靠，有效防止雷击及漏电，并且装置机械结构牢固。
-
公开(公告)号：CN202302811U
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201120340936.0
申请日：2011-09-13
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 莎益博设计系统商贸(上海)有限公司
IPC: F21S2/00 , F21V29/00 , F21V23/00 , F21V19/00 , F21Y101/02
Abstract: 一种基于COB封装结构的LED面光源，属照明领域。其设置一框状结构的灯具壳体；在灯具壳体的边缘，设置向上翻转的侧立边；在两个对应的侧立边，设置LED灯条模块容纳槽；在LED灯条模块容纳槽中，分别对应设置一个COB封装LED灯条模块；在框状结构灯具壳体所容纳/包含的空间内，嵌入/设置一个导光板；所述的框状结构灯具壳体、COB封装LED灯条模块和导光板，组合成一个LED面光源。其采用一体化的COB多芯片封装技术，很好地将器件的封装形式和灯具壳体结合起来，实现芯片直接导热到基板再到灯壳的导热路径，热阻明显减小，可达到更好的散热效果，可更有效地降低器件结温，延长灯具的使用寿命，LED面光源灯具的厚度尺寸大大减小。可广泛用于照明领域。
-
公开(公告)号：CN202302944U
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201120340937.5
申请日：2011-09-13
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 莎益博设计系统商贸(上海)有限公司
IPC: F21S4/00 , F21V19/00 , F21V23/06 , H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/64 , F21Y101/02
Abstract: 一种LED面光源用COB封装灯条模块，属照明领域。其PCB基板为条状铝基PCB板，在其一侧面设置多个LED发光芯片和“+”、“-”电源电极条；LED发光芯片直接封装在PCB基板上；其所述的多个LED发光芯片，单列排列在PCB基板上；“+”、“-”电源电极条分别排列在各LED发光芯片的两侧；在各LED发光芯片之间，设置有芯片间连接电极片；各LED发光芯片通过金线/打线与芯片间连接电极片连接；m个LED发光芯片串联后构成-组发光芯片组，n组发光芯片组并联后与外接驱动电源连接。本技术方案将器件的封装形式和灯具壳体结合起来，采用一体化的COB多芯封装成灯条模块作为光源，实现芯片直接导热到基板再到灯壳，达到更好的散热效果，能有效提高灯具寿命的目的。可广泛用于室内、外照明领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.01 seconds)
