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1.

发明公开
一种半导体发光器件及其制备方法无效

公开(公告)号：CN101958333A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910055071.0

申请日：2009-07-20

Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心

Inventor： 李抒智 , 杨卫桥 , 王康平 , 马可军 , 周颖圆 , 熊峰 , 侯晓燕

IPC: H01L27/15 , H01L21/77

Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件，包括：衬底；在所述衬底上具有氧化硅膜层；在所述氧化硅膜层上具有点阵排列的圆孔，所述圆孔的深度与氧化硅膜层的深度相等，在所述圆孔内具有n型GaN膜；在所述n型GaN膜上具有至少一个周期的GaInN/GaN量子阱；在所述的GaInN/GaN量子阱上具有p型GaN膜。本发明提供的半导体发光器件中，GaInN/GaN量子阱呈点阵排列，与在衬底上直接外延得到的量子阱结构相比，点阵排列的GaInN/GaN量子阱可以提高LED显示屏的分辨率。

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