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公开(公告)号：CN105095547A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410216633.6
申请日：2014-05-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了大尺寸匹配晶体管参数化模块单元，以提高绘制版图的效率，改善版图的稳定性，其中所述的带参数的大尺寸匹配晶体管模块单元，由两个固定匹配连接关系的晶体管组成。所述模块单元可以随时调整它的栅面积，根据实际版图允许面积，优化匹配精确度。所述模块单元，采用完全的共质心版图结构，提高版图紧凑性。
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公开(公告)号：CN104701305A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310650385.1
申请日：2013-12-06
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/13 , H01L23/367
Abstract: 本发明以覆晶封装结构为出发点，提出一种双晶片覆晶封装结构。其特点是：基板为具有两个晶片插槽的基板，基板具有中央隔板，基板插槽具有一定坡度，插槽斜坡与芯片导电凸块接触处有复数个半球形凹槽；芯片具有复数个圆柱形导电凸块，导电凸块顶部为半球形；上层散热片与基板顶部相扣。这种双晶片覆晶封装结构的优点在于：芯片焊接自对准，实现双晶片一体化封装，集成度高，减小芯片封装面积，增强散热功能。
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公开(公告)号：CN104701292A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310650409.3
申请日：2013-12-06
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/522 , H01L23/48 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/16145
Abstract: 本发明公开一种高速IC-QFN封装协同优化设计方法，该方法设计的封装结构，包含一个高速IC芯片和相关控制芯片，通过硅通孔（TSV）实现连接，采用三维封装技术，从而减小了RF芯片引线的寄生效应。对QFN封装，封装中央裸露的焊盘能够很好的吸收多余的热量，能够很好的改善三维封装底部芯片的热应力。考虑到芯片管脚的数目，三维分装主要应用于球栅阵列封装中，由于QFN低廉的成本和成熟的封装工艺，如果在管脚较少的三维封装中能够使用QFN封装，既可以极大的优化高速IC的性能。另外，对于集成度较高的三维封装，封装过程中产生的热应力越来越成为影响芯片性能的重要因素，本发明基于对芯片封装热应力的产生和对高速IC寄生的分析提出一种QFN封装的协同优化设计方法，从减小寄生和减小热应力两方面对QFN封装进行优化。
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公开(公告)号：CN104681551A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310650573.4
申请日：2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了用于照明的一种多芯片QFN(方形扁平无引脚封装，QuadFlatNoLead)封装结构，包括了系统三个主要发热量较大的芯片子模块：PWM(脉冲宽度调制，PulseWidthModulation)控制器，功率MOS(金氧半场效晶体管，MetalOxideSemiconductor)管，肖特基整流二极管。本发明公开的多芯片QFN封装结构，通过加入电连接芯片，为一颗或多颗芯片封装在一个QFN里提供了可行性，减少了封装成本，并且解决了芯片的散热问题，从而大大提高了系统的集成度和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104681544A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310631682.1
申请日：2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/15174 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明以QFN(QuadFlatNoLead，方形扁平无引脚)封装结构为整体框架，提出了一种多芯片Flipchip(倒装芯片)封装结构。其中包括矩形的封装体；矩形的芯片基岛；芯片基岛底部的导热焊盘为矩形；引线框架底部的导电焊盘在导热焊盘周围环形排布，形状为一边为弧形的矩形；芯片以倒装的形式焊接在导电介质基板上，焊凸通过介质基岛以导电线路与引线框架相连结。这种多芯片封装结构的优点有：采用QFN整体封装结构，内部芯片以Flipchip形式进行连接，不仅克服了单纯使用Flipchip封装结构时由于基板热膨胀系数的限制而带来的焊接可靠性的问题，同时也提高了QFN封装结构的电气性能，还体现出芯片尺寸上的优越性，为系统化封装SIP(SysteminaPackage)提供了一种可能。
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公开(公告)号：CN104681527A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310638052.7
申请日：2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种QFN(QuadFlatNo-leadPackage，方形扁平无引脚封装)封装框架结构，可提高导热焊盘的抗干扰性和对高频信号屏蔽能力，并且可提高封装产品的合格率。其包括塑封体，塑封体为正方形，底面中部为导热焊盘，所述导热焊盘外围排布有导电焊盘，其特征在于：所述导热焊盘为圆形，所述导电焊盘的形状是圆形。
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公开(公告)号：CN104681517A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310650663.3
申请日：2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/488 , H01L25/075
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了用于大功率道路照明的一种多芯片QFN(方形扁平无引脚封装，Quad Flat No Lead)封装结构，包括了占用系统面积较大的芯片子模块：PWM(脉冲宽度调制，Pulse Width Modulation)控制器，功率MOS(金氧半场效晶体管，Metal Oxide Semiconductor)管，基岛，围绕所述基岛布置的多个焊盘，所述封装结构的封装空间内填充的绝缘材质。其中，所述不同芯片设置在基岛上，至少一个所述焊盘与所述基岛连通，其余焊盘通过金线与所述芯片连接。本发明公开的多芯片QFN封装结构，通过加入电连接芯片，为一颗或多颗芯片封装在一个QFN里提供了可行性，减少了封装成本，从而大大提高了系统的集成度和可靠性。
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公开(公告)号：CN104681513A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310637618.4
申请日：2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/467
Abstract: 本发明基于FlipChip（倒装芯片）封装芯片的结构，提出一种利用压电陶瓷风扇实现高效率风冷散热的系统。其特点是：风扇采用压电陶瓷风扇组；两组风扇风向（出风口）相对，每次只有一组风扇工作；系统周围密封；两端出风口有滤尘装置。这种风冷散热装置的优点在于：充分利用FC封装芯片正面及金属触点广大的接触面积和狭小的空间，利用高速气流实现芯片背面的快速散热；此散热系统可配合正面散热系统同时使用，互不影响；双向风扇可在不同时间段相继开启，有利于分别吹去对面除尘装置的灰尘；压电陶瓷风扇组所需电压低，无噪音，风量大，可靠性强；风扇系统的微型化有利于系统的微型化，例如用于个人电脑CPU和GPU的散热，可淘汰占用体积巨大的传统风扇，令硬件更加紧凑，电脑主机更加微型化。
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公开(公告)号：CN104681507A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310633344.1
申请日：2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种QFN(Quad Flat No Lead，方形扁平无引脚)封装结构，在一种圆形扁平无引脚封装结构的基础之上，提出一种多层交叉导电焊盘框架结构。其中包括圆形封装体；芯片基岛为矩形；芯片基岛底部的导热焊盘为圆形；引线框架底部的导电焊盘在导热焊盘周围以圆形轨迹围绕，其特点为：不同层导电焊盘交叉排列，其形状为对边倒圆矩形。这种圆形扁平无引脚多层交叉导电焊盘封装结构的特点有：突破了传统QFN封装的低I/O数量的限制，为多层芯片的封装提供了一种可能，增强了焊接的可靠性，提高了封装结构的散热性能力及抗干扰能力。
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