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公开(公告)号：CN116453966A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310039559.4
申请日：2023-01-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的试验方法具有如下工序：将散热脂(20)配置于保持板(10)之上；使压板(30)以将散热脂夹入的方式与保持板相对配置；使保持板与压板之间的间隔变化；以及观察在使保持板与压板之间的间隔变化之后的散热脂的形状。泵出性能是基于散热脂的形状来判定的。
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公开(公告)号：CN111293087A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201911214209.7
申请日：2019-12-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/057 , H01L25/18 , H01L23/40
Abstract: 目的在于提供可兼顾轻量化和所需强度的确保的半导体装置。还涉及电力变换装置。半导体装置(202)具有：绝缘基板，具有绝缘层(5)、上部导体部(3)和下部导体部(6)；半导体芯片(1、2)；壳体，围绕绝缘基板及半导体芯片；以及封装材料，将壳体的内部进行封装。上部导体部的厚度形成得比下部导体部的厚度厚，上部导体部具有：电路图案，在电路图案配置半导体芯片；以及外周图案，在电路图案的外周侧隔开间隔而设置，上部导体部的外周图案、绝缘层的外周部及下部导体部的外周部固定于在壳体的周壁部(10a)的内周部形成的凹部(10b)，形成从壳体的周壁部的外周部向外侧凸出的凸缘部(10c)，在凸缘部形成能够安装散热鳍片的安装孔(10d)。
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公开(公告)号：CN107546180B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201710490908.9
申请日：2017-06-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的是提供可防止由于将外部电极焊接于半导体芯片而产生的问题并减小电流路径的电阻的半导体装置。具备：固定于基板的多个半导体芯片；形成有贯通孔的绝缘板；第1下部导体，其是1个导体，具有形成在该绝缘板下表面的与该多个半导体芯片的任意者电连接的下部主体、俯视观察时延伸至该绝缘板外的下部凸出部；第2下部导体，其形成在该绝缘板下表面，与该多个半导体芯片的任意者电连接；上部导体，其是1个导体，具有在该绝缘板上表面形成的上部主体、俯视观察时延伸至该绝缘板外的上部凸出部；连接部，其设置于该贯通孔，连接该上部主体和该第2下部导体；以及树脂，其覆盖该半导体芯片和该绝缘板，该下部凸出部和该上部凸出部延伸至该树脂之外。
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公开(公告)号：CN109599372A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811139732.3
申请日：2018-09-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/498
Abstract: 抑制半导体装置整体的高度尺寸扩大，且兼顾半导体装置的电绝缘性和压接端子的变形容许度。半导体装置具备绝缘基板、设于绝缘基板上的半导体元件、壳体框、压接端子、设于绝缘基板上的内壁部内侧而封装半导体元件的封装材料。壳体框在绝缘基板的俯视观察时以包围半导体元件的方式设于绝缘基板周缘。壳体框由绝缘物构成，具备外壁部、与外壁部相比设于绝缘基板中央侧的内壁部、夹在外壁部和内壁部间而与外壁部及内壁部一起构成凹部的凹部底面。压接端子具备经由配线与半导体元件连接的根部、从根部立起的主体部、设于主体部上端的压入部，根部埋入至凹部底面，主体部从凹部底面立起，从而主体部在内壁部和外壁部之间延伸，压入部凸出至凹部的上方。
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公开(公告)号：CN103972276B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201410045198.5
申请日：2014-02-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/41 , H01L23/31 , H01L21/607 , H01L21/56
Abstract: 本发明的目的在于提供一种接合部的可靠性高的直接引线接合构造的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具有：多个半导体芯片（5）；板电极（7），其配置在多个半导体芯片（5）上，对多个半导体芯片（5）进行连接；以及电极（17），其配置在板电极（7）上。电极（17）具有凸出部和间断的多个接合部（17a），其中，该多个接合部（17a）与板电极（7）接合，该凸出部以立起状从多个接合部（17a）凸出。凸出部具有与接合部（17a）平行且与外部电极超声波接合的超声波接合部（17b）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106158761A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610320016.X
申请日：2016-05-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/10
CPC classification number: H01R12/585 , H01L23/053 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/19107 , H01L23/10
Abstract: 本技术涉及一种电力用半导体装置，该电力用半导体装置能够对将压接端子向外部基板的孔等插入时的、由外部基板导致的机械应力进行抑制。电力用半导体装置具有：外形壳体(11)；至少1个压接端子(31)，其埋入于外形壳体(11)的上表面；以及多个支撑部(51)，它们从外形壳体(11)的上表面凸出而形成，压接端子(31)的上端与支撑部(51)的上表面相比更加从外形壳体(11)的上表面凸出。
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公开(公告)号：CN112750801B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202011146157.7
申请日：2020-10-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 功率半导体装置(100)具有：功率半导体元件(10)；控制电路(50)，其对功率半导体元件(10)进行控制；控制基板(51)，其安装有控制电路(50)；盖(60)，其以在第1方向(A)上与控制基板(51)的至少一部分重叠的方式配置；以及至少一个外部连接端子(70)，其具有与控制基板(51)连接的第1部分(71)、与外部设备连接的第2部分(72)、以及位于第1部分(71)与第2部分(72)之间且与盖(60)固定的第3部分(73)，第1部分(71)构成为压配合部。
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公开(公告)号：CN111211060B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201911112072.4
申请日：2019-11-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/52 , H01L23/043 , H01L23/14 , H02M1/00 , H02M7/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法，其目的在于得到能够高效地散热的半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具备：绝缘基板，其具有有机绝缘层以及设置于该有机绝缘层之上的电路图案；以及半导体芯片，其设置于该电路图案的上表面，该电路图案的厚度大于或等于1mm且小于或等于3mm。本发明涉及的半导体装置的制造方法在有机绝缘层之上形成厚度大于或等于1mm且小于或等于3mm的金属层，通过机械加工将该金属层进行图案化而形成电路图案，在该电路图案的上表面设置半导体芯片。
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公开(公告)号：CN110235243B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201780084722.1
申请日：2017-01-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 向铜基座板(3)配置金属掩模(51)。在金属掩模(51)的多个开口部(53)填充焊膏(15)，由此，在铜基座板(3)的铜板(5b、5c、5d)的每一者形成焊膏(15)的图案。在焊膏(15)的图案载置半导体元件(9、11)以及导电部件(13)。向铜基座板(3)配置金属掩模(55)。接下来，在金属掩模(55)的多个开口部(57)填充焊膏(17)，由此，形成覆盖半导体元件(9、11)以及导电部件(13)这两者的焊膏(17)的图案。以与对应的焊膏(17)的图案接触的方式配置大容量中继基板(21)。通过在大于或等于200℃的温度条件下进行热处理，功率半导体装置(1)完成。
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公开(公告)号：CN111446230B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010027903.4
申请日：2020-01-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/62
Abstract: 提供用于在半导体装置中以较短时间发挥熔断器功能的技术。半导体装置具有：绝缘基板(2)的上表面处的第2接合材料(6c)；半导体元件(1)的上表面处的第3接合材料(6b)；通孔(100)，其从第1电路图案(3b)起经由芯材(3c)而到达至第2电路图案(3a)；通孔的内壁处的导电性膜(4)；以及隔热材料(5)，其在通孔的内部，在俯视观察时被导电性膜包围，导电性膜使第1电路图案与第2电路图案导通。
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