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公开(公告)号：CN110574159A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880026475.4
申请日：2018-04-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于获得密封树脂的密合性充分且可靠性高的功率模块。具备：在陶瓷板上形成有导体层(13)的图案的绝缘基板(11)；配置于绝缘基板(11)上的功率半导体元件(21、22)；从功率半导体元件(21、22)的电极连接到螺纹紧固端子部(611b、612b)的板状的引线框(611a、612a)；以及密封功率半导体元件(21、22)与引线框(611a、612a)的连接部以及周边的密封树脂部(7)，在引线框(611a、612a)中，在俯视时至少一部分与绝缘基板11的未形成有导体层13的部分重叠的位置设置有开口部(611b、612b)。
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公开(公告)号：CN107210241A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680009370.9
申请日：2016-02-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在功率半导体装置(100)中，关于功率半导体元件(4)的表面电极(41a)，在维氏硬度为200～350Hv的以Cu为主成分的通过非电解镀敷形成的Cu层(81)上层叠设置有比Cu层(81)柔软的维氏硬度为70～150Hv的以Cu为主成分的通过非电解镀敷形成的Cu层(82)，对Cu层(82)与Cu制的导线(6)进行导线键合。
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公开(公告)号：CN106575628A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043705.4
申请日：2015-10-09
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/45 , H01L23/373 , H01L23/48 , H01L24/09 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2224/05552 , H01L2224/05647 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29123 , H01L2224/29124 , H01L2224/32225 , H01L2224/34 , H01L2224/37124 , H01L2224/37599 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45032 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/48491 , H01L2224/48647 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2224/85075 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/2076 , H01L2224/05599 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
Abstract: 关于使铝与铜重叠而进行压焊而成的包层材料，通过利用超声波接合等将包层材料的铝侧接合于功率半导体元件的电极表面并在包层材料的铜侧进行线接合，而形成电路。进而预先在比功率半导体元件的动作温度高的温度下对包层材料进行热处理，从而在接合处理后在铝以及铜的各个界面充分地形成金属间化合物，以避免膜厚生长。
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公开(公告)号：CN114914217B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210111226.3
申请日：2022-01-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供能够抑制由金属图案与电极端子之间的接合时的温度上升不足引起的金属图案与电极端子之间的接合不良的半导体装置。电极端子在延伸方向的一端侧在宽度方向上分支为多个分支部，多个分支部中的第1分支部和第2分支部分别经由接合材料而接合于金属图案之上，第1分支部与第2分支部相比宽度宽，第2分支部与金属图案之间的接合材料比第1分支部与金属图案之间的接合材料薄。
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公开(公告)号：CN110447094B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201880017458.4
申请日：2018-03-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在半导体装置(101)的制造方法中，在基板个第1临时固定部(3)。在多个第1临时固定部(3)之上以相接的方式载置应成为第1焊接部的被加工成板状的第1焊料层(4)。在第1焊料层(4)之上载置半导体芯片(5)。在其之上还隔着第2临时固定部(7)以及第2焊料层(8)而载置平板状的布线部件(9)。通过回流工序将基板(1)、半导体芯片(5)以及布线部件(9)被焊接。(1)的表面上以相互隔开间隔散布的方式提供多
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115148691A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210293417.6
申请日：2022-03-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供能够抑制大电流通电时的引线电极的发热并且能够容易地对引线电极与半导体元件之间的接合品质进行检查的半导体装置。半导体装置具有：基座部(1)；半导体元件(3)，其搭载于基座部(1)之上；金属部件(5)，其一端通过接合材料(4b)而接合于半导体元件(3)的与搭载于基座部(1)的一侧相反侧的主面(3a)，并且相对于半导体元件(3)而设置为直立设置状；以及引线电极(2)，其经由金属部件(5)而与半导体元件(3)连接。引线电极(2)具有在厚度方向上延伸的贯通孔(6)。金属部件(5)在与接合材料(4b)的一部分一起插入至引线电极(2)的贯通孔(6)的状态下将半导体元件(3)与引线电极(2)连接。
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公开(公告)号：CN107210241B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201680009370.9
申请日：2016-02-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在功率半导体装置(100)中，关于功率半导体元件(4)的表面电极(41a)，在维氏硬度为200～350Hv的以Cu为主成分的通过非电解镀敷形成的Cu层(81)上层叠设置有比Cu层(81)柔软的维氏硬度为70～150Hv的以Cu为主成分的通过非电解镀敷形成的Cu层(82)，对Cu层(82)与Cu制的导线(6)进行导线键合。
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公开(公告)号：CN112997297A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201980067408.1
申请日：2019-11-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 不需要去除附着到2个散热面的树脂而使2个散热面露出的研磨工序，提高半导体装置的生产性以及可靠性。另外，抑制液体密封材料的漏出。半导体装置具备第1散热部件、框部件、第2散热部件、半导体元件以及密封树脂部。第1散热部件埋设于框部件。框部件具备框状部以及定位部。定位部处于框状部的内侧。第2散热部件抵接到定位部，通过定位部被定位。第1散热部件的第1散热面以及第2散热部件的第2散热面朝向相互相反的方向，露出于外部。半导体元件被第1散热部件和第2散热部件夹着。密封树脂部填充框部件与第2散热部件的间隙。
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公开(公告)号：CN111433910A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201880076538.7
申请日：2018-11-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 具备：绝缘基板(1)，陶瓷基材(1b)和冷却用翼片(1a)成为一体；板状的布线部件(5)；以及半导体元件(3a)，一面经由芯片下焊料(4)接合到绝缘基板(1)的陶瓷基材(1b)侧，另一面以使多个板状的布线部件(5)分别对应的方式经由芯片上焊料(6)接合到多个板状的布线部件(5)，芯片下焊料(4)以及芯片上焊料(6)都包含0.3wt％以上且3wt％以下Ag、包含0.5wt％以上且1wt％以下Cu、以Sn为主成分，不会损害散热性而实现小型化。
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公开(公告)号：CN107210238B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201680006146.4
申请日：2016-02-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，得到即使与外部端子构件连接的连接件是铝制的也能够进行高温动作、并且可靠性提高的功率模块。本发明的功率模块(100)具备搭载于电路基板(基板(2))的功率半导体元件(1)以及连接到元件(1)的表面主电极(电极(14e))的适配器(10)，适配器(10)具备连接到元件(1)的表面主电极(电极(14e))的主电极布线部件(31)，主电极布线部件(31)具备连接到元件(1)的表面主电极(电极(14e))的元件连接部(311)、配置于元件连接部(311)的外侧并且连接到电路基板(基板(2))的基板连接部(312)以及配置于元件连接部(311)的外侧并且经由连接件(导线(7))连接到外部电极的连接件连接部(导线连接部(313))。
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