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公开(公告)号：CN102193063B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201110040545.1
申请日：2011-02-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R31/316 , H03F3/24
CPC classification number: G01R31/2822 , G01R23/20 , H03F3/24 , H04B1/0475 , H04B17/103
Abstract: 本发明目的在于提供能廉价且容易地抑制失真特性劣化的检测电路与使用该检测电路的半导体装置。检测电路，是使用配置在功率放大器与天线之间的定向耦合器的耦合线路两端的信号来检测该功率放大器的失真特性劣化的电路，包括：使该耦合线路的耦合端子的电力移相及衰减的移相/衰减器；输出该移相/衰减器的输出电力与该耦合线路的隔离端子的电力的差分的单元；将该差分转换为DC信号的检波电路；以及判定该DC信号的电压电平是否比既定值高的比较电路。而且，其：在该功率放大器的失真特性劣化的该天线端处于负载状态下，该移相/衰减器使该耦合端子的电力移相以使该移相/衰减器输出的信号的相位与该隔离端子的信号的相位的相位差为180°。
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公开(公告)号：CN101373953A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810085237.9
申请日：2008-03-10
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/302 , H03F3/19 , H03F2200/18 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03G1/0035
Abstract: 本发明能得到一种无功电流的控制性良好、难以受到元件偏差的影响并具有稳定的温度特性的功率放大器。射极跟随电路(Rb3～Rb6、Trb1～Trb3)将与施加到参考端子(Vref)上的参考电压相对应的电压施加到第2放大元件(Tr2)的输入端子上。在参考端子(Vref)和第1放大元件(Tr1)的输入端子之间串联连接有第1、第2电阻(Ra1、Ra2)。第1晶体管(Tra1)的集电极连接到参考端子(Vref)上，在基极上施加控制电压。在第1晶体管(Tra1)的发射极和接地点之间连接有第3电阻(Ra5)。电流反射镜电路(Tra2、Tra3)将与从第1晶体管(Tra1)的集电极输入的电流成比例的电流，从第1电阻(Ra1)和第2电阻(Ra2)的连接点抽出。
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公开(公告)号：CN112154603B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN201880093657.3
申请日：2018-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/68 , H01L29/78 , H03F3/60 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种放大器，其特征在于，上述放大器具备：输入匹配电路；至少一个放大用晶体管，从该输入匹配电路接收信号；第一虚设晶体管，从该输入匹配电路接收信号；第二虚设晶体管，从该输入匹配电路接收信号；以及输出匹配电路，输出该放大用晶体管的输出，该放大用晶体管夹在该第一虚设晶体管和该第二虚设晶体管之间，该放大用晶体管、该第一虚设晶体管以及该第二虚设晶体管沿着该输入匹配电路设置成一列。
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公开(公告)号：CN112154603A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201880093657.3
申请日：2018-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/68 , H01L29/78 , H03F3/60 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种放大器，其特征在于，上述放大器具备：输入匹配电路；至少一个放大用晶体管，从该输入匹配电路接收信号；第一虚设晶体管，从该输入匹配电路接收信号；第二虚设晶体管，从该输入匹配电路接收信号；以及输出匹配电路，输出该放大用晶体管的输出，该放大用晶体管夹在该第一虚设晶体管和该第二虚设晶体管之间，该放大用晶体管、该第一虚设晶体管以及该第二虚设晶体管沿着该输入匹配电路设置成一列。
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公开(公告)号：CN107039356A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611007713.6
申请日：2016-11-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/043 , H01L23/552
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/481 , H01L23/4924 , H01L23/66 , H01L2223/6616 , H01L2223/6655 , H01L2224/48091 , H01L2924/16195 , H01L2924/00014 , H01L23/043
Abstract: 实现本发明所涉及的微米波段及毫米波段封装体的宽频带化。本发明所涉及的微米波段及毫米波段封装体具有：导体基座板(1)，在上表面固定有半导体元件(5)；侧壁(2)，在导体基座板之上以包围半导体元件的方式设置，具有与导体基座板电连接的导体部分(2e)；电介体帽(3)，设置于侧壁之上，以与导体基座板和侧壁一起形成内部空间；表面金属膜(9)，设置于电介体帽的外侧的面之上；第1背面金属膜(10b)，设置于电介体帽的内侧的面之上，相对于电介体帽的与导体基座板相向的面，中心大致一致；多个通路孔(11)，以贯通电介体帽的方式设置，对表面金属膜和第1背面金属膜间及表面金属膜和侧壁的导体部分(2e)间分别进行电连接。
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公开(公告)号：CN102403963A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110155562.X
申请日：2011-06-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/20
CPC classification number: H03F3/195 , H03F1/0277 , H03F3/189 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/27 , H03F2200/411 , H03F2203/7206 , H03F2203/7236 , H03G1/0088
Abstract: 本发明涉及能够在不增加芯片面积和成本的情况下抑制漏电流的功率放大器。偏置电路（B1、B2）基于从参考电压产生电路（VG）供给的参考电压生成偏置电压，对放大晶体管（A1、A2）供给偏置电压。变换器（INV）对使能电压进行升压并输出。参考电压产生电路（VG）根据变换器（INV）的输出电压进行接通（ON）或断开（OFF）。变换器（INV）具有使能端子（Ven）、电源端子（Vcb）、晶体管（Tri1）、FET电阻（Fdi2）。晶体管（Tri1）的基极与使能端子（Ven）连接，集电极与电源端子（Vcb）连接，发射极接地。FET电阻（Fdi2）连接在晶体管（Tri1）的集电极和电源端子（Vcb）之间，FET电阻（Fdi2）的栅极电极开路。
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公开(公告)号：CN1467914A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03104179.5
申请日：2003-02-13
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03K17/08142 , H03K17/693
Abstract: 提供即使使用比各元件的击穿电压大的电源电压，也可保证各元件的施加电压在击穿电压以下的电流开关电路。电流开关电路包括：互补型电路，连接于第1电源和比第1电源低电位的第2电源之间；一对电流镜像电路，与互补型电路连接；电平移动电路，连接于第1电源和第2电源的其中之一和互补型电路之间，通过流通的电平移动电流向互补型电路施加规定的电压降，另外，响应输入信号，互补型电路将电流镜像电路切换成一方有效另一方无效的状态，而且，第1和第2电流镜像电流中至少一个作为电平移动电流流过电平移动电路。
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公开(公告)号：CN104113287B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410149400.9
申请日：2014-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/3205 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F2200/105 , H03F2200/108 , H03F2200/192 , H03F2200/195 , H03F2200/204 , H03F2200/207 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/405 , H03F2200/408 , H03F2200/411 , H03F2200/465
Abstract: 本发明目的在于得到一种在不使无效电流等其他特性变化的情况下就能够调整AM‑AM特性的功率放大器。分别向偏压端子(T1、T2）供给偏压。晶体管（M1）的栅极与偏压端子（T1）连接，源极接地。晶体管（M2）的栅极与偏压端子（T2）连接，源极与晶体管（M1）的漏极连接。固定电容器（C1）和可变电阻（Rv1）串联连接在晶体管（M2）的栅极和接地点之间。
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公开(公告)号：CN103812455B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310550356.8
申请日：2013-11-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/223
Abstract: 本发明涉及共阴共栅放大器，获得能够抑制起因于布线电阻的输出功率的降低的共阴共栅放大器。晶体管Tr1a~Tr1f分别共阴共栅连接于晶体管Tr2a~Tr2f。布线（Wg1）依次连接于晶体管Tr1a~Tr1f）的栅极。并联连接的布线（Wg2、Wg3）依次连接于晶体管（Tr2a~Tr2f）的栅极。电容C1）连接在布线（Wg2）的一端与接地点之间。
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公开(公告)号：CN102193063A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110040545.1
申请日：2011-02-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R31/316 , H03F3/24
CPC classification number: G01R31/2822 , G01R23/20 , H03F3/24 , H04B1/0475 , H04B17/103
Abstract: 本发明目的在于提供能廉价且容易地抑制失真特性劣化的检测电路与使用该检测电路的半导体装置。检测电路，是使用配置在功率放大器与天线之间的定向耦合器的耦合线路两端的信号来检测该功率放大器的失真特性劣化的电路，包括：使该耦合线路的耦合端子的电力移相及衰减的移相/衰减器；输出该移相/衰减器的输出电力与该耦合线路的隔离端子的电力的差分的单元；将该差分转换为DC信号的检波电路；以及判定该DC信号的电压电平是否比既定值高的比较电路。而且，其：在该功率放大器的失真特性劣化的该天线端处于负载状态下，该移相/衰减器使该耦合端子的电力移相以使该移相/衰减器输出的信号的相位与该隔离端子的信号的相位的相位差为180°。
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