半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN120019727A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202280097058.5

    申请日:2022-10-19

    Inventor: 角野翼 铃木敏

    Abstract: 在基板(1)之上形成有外延层(2)。在外延层(2)形成有场效应晶体管(3)。在外延层(2)之上形成有漏极焊盘(8)。漏极焊盘(8)与场效应晶体管(3)的漏电极(5)连接。背面电极(13)形成于基板(1)的背面,并与场效应晶体管(3)的源电极(6)连接。引线(16)与漏极焊盘(8)接合。在漏极焊盘(8)的正下方,在基板(1)形成有空洞(17)。空洞(17)不形成在引线(16)的接合部分的正下方。

    半导体晶体基片的评价方法

    公开(公告)号:CN1229859C

    公开(公告)日:2005-11-30

    申请号:CN03110311.1

    申请日:2003-04-04

    CPC classification number: G01R31/2608

    Abstract: 本发明公开了一种半导体晶体基片的评价方法,旨在提供一种可预测半导体晶体基片的电流放大率的初始变化的半导体晶体基片的评价方法。用于异质结双极型晶体管的含有集电极层、基极层与发射极层的半导体晶体基片的评价方法包括:制作含有和基极层相同组成的晶体层的评价用半导体晶体基片的步骤;在所述评价用半导体晶体基片上照射激励光,测量来自所述晶体层的光致发光的光强度在达到饱和之前随时间的变化的步骤;以及根据所述时间变化预测用所述半导体晶体基片制造异质结双极型晶体管时的电流放大率随时间的变化的步骤。

    功率放大器
    3.
    发明公开
    功率放大器 审中-实审

    公开(公告)号:CN119586000A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202280093306.9

    申请日:2022-08-08

    Abstract: 放大器(Trc、Trp)使用GaN HEMT。二极管线性化器(LNZ)和可变衰减器(VATT)与放大器(Trc、Trp)的输入串联连接。峰值检测器(DET)检测放大器(Trc、Trp)的漏极电压的峰值。控制部(CTL)在峰值超过阈值的情况下,使二极管线性化器(LNZ)作为线性化器发挥功能,减小可变衰减器(VATT)的衰减量。

    功率放大器
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102064776B

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN201110052048.3

    申请日:2008-03-28

    Abstract: 本发明提供一种功率放大器,当切换主功率放大器和辅助功率放大器时,能够改善输出功率的上升延迟。本发明的功率放大器在主功率放大器(10)和空载电流比主功率放大器(10)小的辅助功率放大器(20)之间切换工作。主功率放大器(10)和辅助功率放大器(20)分别具有放大RF信号的前级放大元件(12、22)、放大前级放大元件(12、22)的输出信号的后级放大元件(14、24)、驱动前级放大元件(12、22)的前级偏置电路(16、26)和驱动后级放大元件(14、24)的后级偏置电路(17、27)。主功率放大器的后级放大元件(14)和辅助功率放大器的后级放大元件(24)的间隔S1小于等于100μm。主功率放大器的后级放大元件(14)和辅助功率放大器的后级偏置电路(27)的间隔S2大于等于200μm。

    功率放大器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102158182A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201110052044.5

    申请日:2008-03-28

    Abstract: 本发明提供一种功率放大器,当切换主功率放大器和辅助功率放大器时,能够改善输出功率的上升延迟。本发明的功率放大器在主功率放大器(10)和空载电流比主功率放大器(10)小的辅助功率放大器(20)之间切换工作。主功率放大器(10)和辅助功率放大器(20)分别具有放大RF信号的前级放大元件(12、22)、放大前级放大元件(12、22)的输出信号的后级放大元件(14、24)、驱动前级放大元件(12、22)的前级偏置电路(16、26)和驱动后级放大元件(14、24)的后级偏置电路(17、27)。主功率放大器的后级放大元件(14)和辅助功率放大器的后级放大元件(24)的间隔S1小于等于100μm。主功率放大器的后级放大元件(14)和辅助功率放大器的后级偏置电路(27)的间隔S2大于等于200μm。

    功率放大器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102064776A

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN201110052048.3

    申请日:2008-03-28

    Abstract: 本发明提供一种功率放大器,当切换主功率放大器和辅助功率放大器时,能够改善输出功率的上升延迟。本发明的功率放大器在主功率放大器(10)和空载电流比主功率放大器(10)小的辅助功率放大器(20)之间切换工作。主功率放大器(10)和辅助功率放大器(20)分别具有放大RF信号的前级放大元件(12、22)、放大前级放大元件(12、22)的输出信号的后级放大元件(14、24)、驱动前级放大元件(12、22)的前级偏置电路(16、26)和驱动后级放大元件(14、24)的后级偏置电路(17、27)。主功率放大器的后级放大元件(14)和辅助功率放大器的后级放大元件(24)的间隔S1小于等于100μm。主功率放大器的后级放大元件(14)和辅助功率放大器的后级偏置电路(27)的间隔S2大于等于200μm。

    功率放大器
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101355345B

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN200810088567.3

    申请日:2008-03-28

    Abstract: 本发明提供一种功率放大器,当切换主功率放大器和辅助功率放大器时,能够改善输出功率的上升延迟。本发明的功率放大器在主功率放大器(10)和空载电流比主功率放大器(10)小的辅助功率放大器(20)之间切换工作。主功率放大器(10)和辅助功率放大器(20)分别具有放大RF信号的前级放大元件(12、22)、放大前级放大元件(12、22)的输出信号的后级放大元件(14、24)、驱动前级放大元件(12、22)的前级偏置电路(16、26)和驱动后级放大元件(14、24)的后级偏置电路(17、27)。主功率放大器的后级放大元件(14)和辅助功率放大器的后级放大元件(24)的间隔S1小于等于100μm。主功率放大器的后级放大元件(14)和辅助功率放大器的后级偏置电路(27)的间隔S2大于等于200μm。

    功率放大器
    9.
    发明公开
    功率放大器 审中-实审

    公开(公告)号:CN116918249A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202180094784.7

    申请日:2021-03-03

    Abstract: 本公开所涉及的功率放大器具备:主晶体管,其将从栅极端子输入的输入信号放大并从漏极端子输出,且具有漏极电流延迟的特性,其中,漏极电流延迟的特性为:当输入信号从导通状态切换到截止状态时,漏极电流在低于输入信号成为导通状态之前的基准值之后,返回至基准值;复制晶体管,其具有与主晶体管相同的漏极电流延迟的特性,并且温度追随于主晶体管的温度而变化,输入信号的包络线信号被输入到复制晶体管的栅极端子;提取电路,其从复制晶体管的输出电压提取由漏极电流延迟所引起的延迟成分;以及加法器,其将延迟成分与施加到主晶体管的栅极偏置电压相加,以消除主晶体管的漏极电流延迟。

    功率放大器
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102158182B

    公开(公告)日:2013-06-19

    申请号:CN201110052044.5

    申请日:2008-03-28

    Abstract: 本发明提供一种功率放大器,当切换主功率放大器和辅助功率放大器时,能够改善输出功率的上升延迟。本发明的功率放大器在主功率放大器(10)和空载电流比主功率放大器(10)小的辅助功率放大器(20)之间切换工作。主功率放大器(10)和辅助功率放大器(20)分别具有放大RF信号的前级放大元件(12、22)、放大前级放大元件(12、22)的输出信号的后级放大元件(14、24)、驱动前级放大元件(12、22)的前级偏置电路(16、26)和驱动后级放大元件(14、24)的后级偏置电路(17、27)。主功率放大器的后级放大元件(14)和辅助功率放大器的后级放大元件(24)的间隔S1小于等于100μm。主功率放大器的后级放大元件(14)和辅助功率放大器的后级偏置电路(27)的间隔S2大于等于200μm。

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