公开(公告)号：CN109638001A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811155241.8

申请日：2018-09-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村宏之

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/62 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H02H3/08 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L25/072 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/5256

Abstract: 本发明在避免装置的大型化的同时，抑制由于过电流而导致的损伤的影响波及到外部的元件。半导体装置具备：第1半导体元件(102)、第2半导体元件(103)以及第2半导体元件之上的金属图案(105、105A)。金属图案具备：第1连接部位(120A)，其与第1半导体元件连接；以及第2连接部位(120B)，其与第1半导体元件的第1端子部(108)连接，且与第1连接部位分离。第1、第2连接部位之间的第1通电路径的电阻比第2连接部位与第1端子部之间的第2通电路径的电阻大。

公开(公告)号：CN117747580A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311191603.X

申请日：2023-09-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村宏之 ,  鱼田紫织

IPC: H01L23/495

Abstract: 在散热面具有柔软绝缘部件的半导体装置中，对在封装部件产生进入柔软绝缘部件之下的树脂毛刺进行抑制。功率模块(10)具有：导电性的芯片键合部(1)；半导体元件(2)，其接合于芯片键合部(1)的上表面；封装部件(4)，其对芯片键合部(1)及半导体元件(2)进行封装；以及柔软绝缘部件(5)，其接合于芯片键合部(1)的下表面。柔软绝缘部件(5)配置于封装部件(4)的下表面的凹陷部(4a)，并且具有从封装部件(4)的下表面凸出的凸部(5a)。

公开(公告)号：CN114334667A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111121476.7

申请日：2021-09-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 横山脩平 ,  中村宏之

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明的目的在于提供能够降低制造成本的半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有以下工序：工序(a)，准备具有开关元件用管芯焊盘、控制元件用管芯焊盘和第3边侧梁部的引线框；工序(b)，在开关元件用管芯焊盘载置开关元件以及二极管元件，在控制元件用管芯焊盘载置对开关元件进行控制的控制元件；工序(c)，以功率侧端子、控制侧端子和第3边侧梁部的一部分凸出至外部的方式，通过模塑树脂对开关元件、二极管元件以及控制元件进行封装；以及工序(d)，从第3边侧梁部切出而形成从第3边侧梁部的一部分延伸出来的第3边侧梁端子。

公开(公告)号：CN109712969A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811223774.5

申请日：2018-10-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村宏之

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明的目的在于实现功率半导体模块的小型化。本发明的功率半导体模块的制造方法具有下述工序：工序(a)，形成内置多个横型功率晶体管(1UP、1UN、1VP、1VN、1WP、1WN)的功率半导体芯片即6合1芯片(1)；工序(b)，按照与6合1芯片(1)不同的工艺规则形成进行6合1芯片(1)的控制的控制用芯片(3U、3V、3W)；以及工序(c)，使用6合1芯片(1)和控制用芯片(3U、3V、3W)而形成一个功率半导体模块。

公开(公告)号：CN109604191A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201811152212.6

申请日：2018-09-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 横山脩平 ,  长谷川真纪 ,  中村宏之 ,  森茂 ,  岩上彻

IPC: B07C5/344 ,  B07C5/34

Abstract: 目的在于提供能够使半导体装置具有表示多个电气特性的信息的技术。半导体装置分拣系统(10)具有：特性测定部(4)，其对半导体装置(1)的电气特性进行测定；等级判别数据库(2)，其用于将电气特性分类成等级；运算部(3)，其将由特性测定部(4)测定出的半导体装置(1)的多个电气特性参照等级判别数据库(2)分别分类成多个等级；写入部(5)，其将由运算部(3)分类出的多个等级变换成图形符号代码，将该图形符号代码形成于半导体装置(1)；读取部(6)，其从形成于半导体装置(1)的图形符号代码读取多个等级；以及分拣部(7)，其基于由读取部(6)读取到的多个等级而对半导体装置(1)进行分拣。

公开(公告)号：CN107078664A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201680003417.0

申请日：2016-01-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 五十岚弘 ,  大川太 ,  中村宏之

IPC: H02M7/493

CPC classification number: H02M7/003 ,  H02M1/32 ,  H02M7/493 ,  H02M7/537 ,  H02M7/53875 ,  H03K5/24 ,  H05K7/209

Abstract: 具备：第1电力变换电路，包括多个第1电力用半导体元件；第2电力变换电路，与第1电力变换电路并联连接，包括多个第2电力用半导体元件；控制电路，产生用于控制第1电力变换电路及第2电力变换电路的各电力用半导体元件的控制信号；定时控制信号产生电路，对流过第1电力用半导体元件的第1电流量与流过第2电力用半导体元件的第2电流量进行比较，根据比较结果，产生对输入到第1电力变换电路及第2电力变换电路的控制信号的上升或者下降的定时进行控制的定时控制信号；以及定时校正电路，进行控制以根据定时控制信号，校正输入到第1电力变换电路及第2电力变换电路的控制信号的上升或者下降的定时。

公开(公告)号：CN104347611A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410389342.7

申请日：2014-08-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村宏之

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31

CPC classification number: G01R31/041 ,  G01R1/0491 ,  G01R19/0092 ,  G01R21/06 ,  G01R31/261 ,  G01R31/2623 ,  G01R31/265 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够简化配线作业的半导体装置。半导体装置PM1具有：半导体元件(绝缘栅型双极晶体管IGBT)(10a)，其具有发射极主电极(N)以及发射极感应电极(ES)；集成电路(IC1)，其具有检测用端子(CIN)；塑膜树脂体(PKG)，其对半导体元件(10a)以及集成电路(IC1)进行封装；以及引线(RD1)。引线(RD1)具有：内部引线部分(31)，其被塑膜树脂体(PKG)封装，并与发射极感应电极(ES)电气连接；内部引线部分(30)，其被塑膜树脂体(PKG)封装，并与发射极主电极(N)电气连接；以及外部引线部分(40)，其在塑膜树脂体(PKG)的外侧露出，一侧与内部引线部分(31)连接，另一侧与内部引线部分(30)连接。

公开(公告)号：CN109638001B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201811155241.8

申请日：2018-09-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村宏之

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/525

Abstract: 本发明在避免装置的大型化的同时，抑制由于过电流而导致的损伤的影响波及到外部的元件。半导体装置具备：第1半导体元件(102)、第2半导体元件(103)以及第2半导体元件之上的金属图案(105、105A)。金属图案具备：第1连接部位(120A)，其与第1半导体元件连接；以及第2连接部位(120B)，其与第1半导体元件的第1端子部(108)连接，且与第1连接部位分离。第1、第2连接部位之间的第1通电路径的电阻比第2连接部位与第1端子部之间的第2通电路径的电阻大。

公开(公告)号：CN113764287A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110590681.1

申请日：2021-05-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 横山脩平 ,  柴田祥吾 ,  中村宏之

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。本说明书所公开的技术是用于确保端子间的空间距离以及沿面距离，并且抑制半导体装置大型化的技术。与本说明书所公开的技术相关的半导体装置的制造方法是，设置至少1个半导体元件，向半导体元件连接多个第1端子和至少1个第2端子，该第2端子是被施加比第1端子低的电压的控制用端子，在第1端子形成第1弯折部，就相邻的多个第1端子而言，在彼此相对的面，第1弯折部不凸出。

公开(公告)号：CN111987091A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010412371.6

申请日：2020-05-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村宏之

IPC: H01L27/02

Abstract: 提供能够抑制封装件的大型化，并且能够调整负反馈量的半导体装置。作为半导体装置的功率模块具有开关元件即IGBT(10)和续流二极管(FWD)(20)，该续流二极管与开关元件并联连接。IGBT(10)在其表面之上具有该IGBT(10)的发射极电极(11)及栅极电极(12)、与它们绝缘的导电性图案(13)。FWD(20)在其表面之上具有该FWD(20)的阳极电极(21)和与其绝缘的导电性图案(22)。