公开(公告)号：CN101488484A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200810189553.0

申请日：2008-10-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 斋藤浩一 ,  中里真弓 ,  臼井良辅

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/50 ,  H05K1/18

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/01078

Abstract: 本发明涉及元件搭载用基板、半导体模块及便携装置，其中，元件搭载用基板包括：由绝缘性树脂形成的绝缘层、覆盖绝缘层表面的玻璃纤维布以及设置在贯穿玻璃纤维布的贯穿部的电极。所述玻璃纤维布与焊料的接触角比树脂与焊料的接触角大，因此，在元件搭载用基板的电极上容易精度良好地形成焊料凸起。

公开(公告)号：CN100481373C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN03107903.2

申请日：2003-03-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中里真弓 ,  笹田一弘 ,  小田真弘

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76235

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底(1)上形成缓冲膜(10)，形成元件隔离沟槽(2)，在元件隔离沟槽的表面上形成氧化膜(3)，以及用氢氟酸清洗半导体衬底。清洗去除了部分缓冲膜，缓冲膜的端部从元件隔离沟槽的顶边向内去除预定的距离(x)。距离和氧化膜的厚度(d)由表达式0≤x≤(d/2sinθ)表示，其中x表示距离，θ表示平行于半导体衬底的平面和元件隔离沟槽的侧面之间的角度。

公开(公告)号：CN102027591B

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN200980117207.4

申请日：2009-03-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  井上恭典 ,  中里真弓 ,  伊藤克实

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03436 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体模块、半导体模块的制造方法及便携式设备，在CSP型半导体模块的制造方法中，提高半导体模块的生产效率。该半导体模块的制造方法包含如下工序：将形成有多个半导体元件(10)的半导体晶片(1)粘接在具有伸展性的第一绝缘树脂层(20)上的工序，其中所述半导体元件(10)具有元件电极(12)；切割半导体晶片(1)的工序；拉伸第一绝缘树脂层(20)以扩大半导体元件(10)的间隔的工序；隔着第二绝缘树脂层将设置有电极的金属板和扩大了间隔的状态的多个半导体元件(10)压接，使电极与元件电极(12)电连接的压接工序；选择性地除去金属板以形成与各半导体元件(10)对应的配线层，并形成通过第一绝缘树脂层(20)和第二绝缘树脂层连结的多个半导体模块的工序；切断第一绝缘树脂层(20)及第二绝缘树脂层以实现半导体模块的单个化的工序。

公开(公告)号：CN102714188A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180006151.2

申请日：2011-01-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中里真弓 ,  齐藤浩一

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/301 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/2201 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种CSP型的半导体模块的制造方法，提高了半导体模块的生产效率。半导体模块的制造方法包含：将形成有多个具有元件电极（12）的半导体元件（10）的半导体晶片（1）粘接在第一绝缘树脂层（20）上的工序；切断半导体晶片（1）使其单个化成多个半导体元件（10）的工序；纵横延伸拉伸第一绝缘树脂层（20），扩展邻接的半导体元件（10）的间隔的工序；将多个半导体元件（10）经由第二绝缘树脂层固定于平板上，除去第一绝缘树脂层（20）的工序；将多个半导体元件（10）、第三绝缘树脂层、铜板按顺序进行层叠，形成具有用于将元件电极（12）和铜板电连接的电极的层叠体的工序；选择性除去铜板形成配线层，从而形成多个半导体模块的工序；使半导体模块单个化的工序。

公开(公告)号：CN101640193A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200910160267.6

申请日：2009-07-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山本哲也 ,  中里真弓 ,  冈山芳央

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/522 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体组件及便携式设备。在该半导体组件中，配线层和突起电极构成一体化，可提高与安装基板连接的焊料部的连接可靠性。该半导体组件(30)具有：绝缘树脂层(32)、设于绝缘树脂层(32)的一主表面(S1)的配线层(34)、与配线层(34)电连接且自配线层(34)向绝缘树脂层(32)侧突出的突起电极(36)。设于半导体元件(40)的元件电极(52)与该突起电极(36)电连接。另外，在配线层(34)的规定位置设有焊料部(50)。突起电极(36)的高度(H2)相对于焊料部(50)的高度(H1)的比例(H2/H1)为50％以下。

公开(公告)号：CN101262739A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200710307780.4

申请日：2007-07-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中里真弓 ,  水原秀树 ,  草部隆也 ,  高草木贞道

IPC: H05K1/11 ,  H05K3/40 ,  H05K3/44 ,  H05K3/46 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/16225

Abstract: 本发明提供一种元件搭载用基板、元件搭载用基板的制造方法以及半导体模块，能够减少核心基板上设置的电路基板与其上搭载的电路之间的接触不良，提高作为多层元件搭载用基板的可靠性。元件搭载用基板具有：电路基板(6)，其由基板(1)、在基板(1)上设置的保护(层)2、在保护层(2)上设置的绝缘层(3)以及在绝缘层(3)形成的导电层(5)(导电部5a～5c)构成；电路基板(10)，其搭载在电路基板(6)上，由基材(7)、在基材(7)的下面设置的导电层(8)(导电部8a，8b)、在基材(7)的上面设置的导电层(9)(导电部9a)构成。在此，通过将电路基板(10)压附在电路基板(6)上，导电部(8a)与导电部(5a)一同被埋设在绝缘层(3)中，在绝缘层(3)中形成导电部(8a)和导电部(5a)的连接部(11)，将电路基板(10)与电路基板(6)电连接。

公开(公告)号：CN101155469A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710170139.0

申请日：2007-06-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中里真弓 ,  水原秀树

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/14 ,  H05K3/42 ,  H05K3/44

CPC classification number: H01L23/142 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/16225 ,  H05K3/427 ,  H05K3/445 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/0382 ,  H05K2201/09827 ,  H05K2203/0143 ,  H05K2203/068 ,  Y10T29/49155

Abstract: 一种电路基板，抑制由金属板开口部引起的绝缘强度劣化，提高电路基板的可靠性。在电路基板中，作为核心材料设置具有开口部(2)的金属板(1)、开口部(2)设置为从下侧面到上侧面其尺寸渐渐扩大。在该金属板(1)的两侧面通过绝缘层(4、6)分别设置布线图案(5、7)。在此，在开口部(2)的上方区域的绝缘层(4)和布线图案(5)的上面设置凹部。另外，为了使各布线图案电连接，通过开口部(2)贯通金属板(1)、设置连接布线图案(5)和布线图案(7)的导体部(10)。并且，在金属板(1)的上侧面通过焊锡球(12)与LSI芯片(11)直接相连。

公开(公告)号：CN1329964C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN03141280.7

申请日：2003-06-03

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中里真弓 ,  泉诚 ,  笹田一弘 ,  小田真弘 ,  壇徹

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/76 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/76235 ,  H01L21/823878

Abstract: 本发明提供了可提高栅绝缘膜的可靠性的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法是具有利用热处理在半导体层的主表面上形成栅绝缘膜的工序的方法，该形成栅绝缘膜的工序包括在含氧化性气体的氛围气中，以能使栅绝缘膜产生粘性流动的温度以上的温度进行热处理，在半导体层的主表面上形成栅绝缘膜的工序。