公开(公告)号：CN1329964C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN03141280.7

申请日：2003-06-03

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中里真弓 ,  泉诚 ,  笹田一弘 ,  小田真弘 ,  壇徹

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/76 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/76235 ,  H01L21/823878

Abstract: 本发明提供了可提高栅绝缘膜的可靠性的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法是具有利用热处理在半导体层的主表面上形成栅绝缘膜的工序的方法，该形成栅绝缘膜的工序包括在含氧化性气体的氛围气中，以能使栅绝缘膜产生粘性流动的温度以上的温度进行热处理，在半导体层的主表面上形成栅绝缘膜的工序。

公开(公告)号：CN1469441A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03141280.7

申请日：2003-06-03

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中里真弓 ,  泉诚 ,  笹田一弘 ,  小田真弘 ,  壇徹

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/76 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/76235 ,  H01L21/823878

Abstract: 本发明提供了可提高栅绝缘膜的可靠性的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法是具有利用热处理在半导体层的主表面上形成栅绝缘膜的工序的方法，该形成栅绝缘膜的工序包括在含氧化性气体的氛围气中，以能使栅绝缘膜产生粘性流动的温度以上的温度进行热处理，在半导体层的主表面上形成栅绝缘膜的工序。