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公开(公告)号：CN106336422A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610529169.5
申请日：2016-07-06
Abstract: 公开镧化合物、合成镧化合物的方法、镧前体组合物、形成薄膜的方法和集成电路器件的制法。通过使三[二(三烷基甲硅烷基)氨基]镧络合物与烷基环戊二烯反应而合成含硅中间体。通过使所述含硅中间体与基于二烷基脒的化合物反应而合成镧化合物。
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公开(公告)号：CN117015240A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310486458.1
申请日：2023-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 公开了一种制造电容器的方法以及使用该电容器制造DRAM元件的方法。该制造电容器的方法包括：形成包括第一金属的下电极；形成支撑层图案，支撑层图案将下电极的外侧壁彼此连接；在下电极和支撑层图案上形成第一界面层，第一界面层包括具有导电性的第一金属氧化物；在第一界面层上形成第二界面层，第二界面层包括具有导电性的第二金属氧化物；使第二界面层中包括的第二金属扩散到下电极表面，以在下电极表面上形成至少包括第一金属和第二金属的第一界面结构，其中，第一界面层和第二界面层被转换为第二界面结构；通过蚀刻工艺至少完全去除形成在支撑层图案上的第二界面结构；在第一界面结构和支撑层图案上形成介电层；以及在介电层上形成上电极。
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公开(公告)号：CN107026072B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201610986776.4
申请日：2016-11-09
Applicant: 三星电子株式会社 , 乔治·克劳德方法的研究开发液气股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本文中公开了形成薄膜的方法、制造集成电路器件的方法和形成半导体器件的方法。所述形成薄膜的方法包括通过使用铌前体成分和反应物形成含铌的膜，所述铌前体成分包括由式(1)表示的铌化合物，其中R各自独立地为H、C1‑C6烷基或R13Si，其中R1各自独立地为H或C1‑C6烷基，Cp为环戊二烯基，和L选自甲脒化物(NR,R'‑fmd)、脒化物(NR,R',R″‑amd)、和胍化物(NR,R',NR″,R″′‑gnd)。式(1)Nb(R5Cp)2(L)。
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公开(公告)号：CN1284747A
公开(公告)日：2001-02-21
申请号：CN00108946.3
申请日：2000-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/283 , H01L21/314 , H01L21/3205 , H01L21/82
CPC classification number: H01L21/28194 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 一种半导体器件,包括:由硅族材料构成的第一电极、依次将反应物加到第一电极上形成的绝缘层、和其逸出功大于第一电极的逸出功的第二电极,此第二电极是在绝缘层上形成的。在电容器结构中,第一电极和第二电极可以分别是下层电极和上层电极。在晶体管结构中,第一电极和第二电极可以分别是硅衬底和栅极。绝缘层可以通过原子层析出法来形成。因此,在这种半导体器件中,有可能提高绝缘层的绝缘性能和增大电容器结构中的电容量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117403208A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310856729.8
申请日：2023-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/04 , C23C16/34 , C23C16/30 , C23C16/36 , C23C16/40 , H01L21/268 , H10B12/00
Abstract: 提供一种形成薄膜的方法，该方法包括：向衬底供应前体以将前体选择性地吸附到衬底的表面的部分区域的操作；通过对衬底照射微波来执行区域选择性退火的操作；以及供应反应物以与吸附在衬底上的前体反应以形成薄膜单元层的操作，其中，照射到衬底上的微波在前体的至少一部分中引起振动，使得衬底的表面的吸附有前体的部分区域被局部加热。
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公开(公告)号：CN107619419A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710244138.X
申请日：2017-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/28556 , H01L27/11582 , H01L28/60 , H01L29/66795
Abstract: 提供了一种由通式(I)表示的铝化合物、一种形成薄膜的方法以及一种制造集成电路器件的方法。通式(I)
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公开(公告)号：CN110349854B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201910180129.8
申请日：2019-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/455
Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基底上形成半导体图案，使得半导体图案彼此竖直间隔开；以及形成金属逸出功图案以填充半导体图案之间的空间，其中，形成金属逸出功图案的步骤包括执行原子层沉积(ALD)工艺以形成合金层，并且ALD工艺包括在基底上提供包含有机铝化合物的第一前驱体以及在基底上提供包含钒‑卤素化合物的第二前驱体。
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