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公开(公告)号：CN1069821A
公开(公告)日：1993-03-10
申请号：CN92100721.3
申请日：1992-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01R31/31701 , G01R31/30 , G06F2201/81 , G11C29/46 , G11C29/50
Abstract: 一种高集成度的半导体存储器件，配备有一个无需从外部加应力电压就可设定应力测试状态的设备。当外电源电压提高得超过应力电压时，大幅度提高内电源电压就可设定应力状态的触发时刻Ts。
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公开(公告)号：CN103151069B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201210520121.X
申请日：2012-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C29/42
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1008 , G06F11/1072 , G11C29/52
Abstract: 操作存储器系统和非易失性存储器设备的方法包括：对从非易失性存储器设备内的第一（“源”）部分M比特非易失性存储单元中读取的M页数据执行错误检查和纠正（ECC）操作，由此生成M页ECC处理数据，其中M是大于2的正整数。然后，使用例如地址加扰重编程技术，利用M页ECC处理数据来编程非易失性存储器设备内的第二（“目标”）部分M比特非易失性存储单元。
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公开(公告)号：CN103093818B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201210436459.7
申请日：2012-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/1016 , G06F11/08 , G06F11/10 , G06F11/1008 , G06F11/1048 , G06F11/1068 , G06F11/1076 , G06F11/108 , G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3418 , H03M13/151 , H03M13/1525 , H03M13/1545
Abstract: 一种存储系统及其操作方法，存储系统包括：非易失性存储装置和存储器控制器，存储器控制器配置为控制非易失性存储装置，并配置为向非易失性存储装置提供包括从该非易失性存储装置读取的数据的错误的错误位置信息的错误标志信息。
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公开(公告)号：CN102290105A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110056113.X
申请日：2011-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/56 , G11C11/5628 , G11C14/0018 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642 , G11C2211/5643
Abstract: 一种数据存储设备包括：包括存储单元阵列的非易失性存储器件；和包括缓冲存储器并控制该非易失性存储器件的存储器控制器。该数据存储设备的操作方法包括：根据外部请求将数据存储在缓冲存储器中，并确定存储在该缓冲存储器中的数据是否是伴随该存储单元阵列的缓冲器编程操作的数据。当存储在该缓冲存储器中的数据是伴随该缓冲器编程操作的数据时，该方法还包括确定是否需要对该存储单元阵列的主编程操作，以及当需要对存储单元阵列的主编程操作时，确定对该存储单元阵列的主编程操作的编程模式。该方法还包括基于确定的编程模式向该多位存储器件发出用于对该存储单元阵列的主编程操作的命令的集合。
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公开(公告)号：CN102163457A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110040220.3
申请日：2011-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/107 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C2213/71 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/7926
Abstract: 提供了非易失性存储器件、其编程方法以及包括其的存储系统。所述非易失性存储器件包括衬底以及在与衬底相交的方向上堆叠的多个存储单元。所述编程方法向被选位线施加第一电压，向未选位线施加第二电压，向被选串选择线施加第三电压，向未选串选择线施加第四电压，并且向多个字线施加编程操作电压，其中，所述第一到第三电压是正电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102148058A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010616568.8
申请日：2010-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418
Abstract: 集成电路存储器件包括非易失性N位存储单元阵列，其中N为大于1的整数。还提供控制电路以从N位存储单元中可靠地读取数据。此外，该控制电路电耦接到所述阵列，它被配置为用于确定在阵列的所选择的N位存储单元中所存储数据的至少一位的数值。这可以通过利用在读操作期间被应用于所选择的N位存储单元的相应多个不相等的读电压对从所选择的N位存储单元中读取的至少一个硬数据和多个软数据(例如，6个数据值)进行解码来实现。
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公开(公告)号：CN106169304B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201610603127.1
申请日：2011-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种擦除非易失性存储器件的至少一个被选子块的方法，该方法包括：允许至少一个串选择线中的每一个浮置，所述非易失性存储器件包括所述至少一个串选择线，所述非易失性存储器件包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括衬底和多个存储块，所述多个存储块中的每一个包括沿着与所述衬底垂直的方向堆叠的多个存储单元，所述多个存储单元中的每一个连接至至少一个字线，所述多个存储块中的每一个还包括连接至所述至少一个串选择线的至少一个串选择晶体管、连接至至少一个地选择线的至少一个地选择晶体管、以及连接至至少一个伪字线并将所述存储单元分隔成多个子块的至少一个分隔物；将第一电压施加到所述至少一个被选子块的至少一个字线。
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公开(公告)号：CN109509490A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201910018564.0
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于控制非易失性存储器件的方法包括：从该非易失性存储器件中请求多个第一采样值，该第一采样值中的每个采样值表示具有在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。通过非线性滤波操作处理该第一采样值来估计在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。
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公开(公告)号：CN102163456B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201110039569.5
申请日：2011-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/04 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/3418 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/7926
Abstract: 本发明是一种非易失性存储器件、其操作方法以及包括其的存储系统。提供一种操作非易失性存储器件的方法，该非易失性存储器件包括衬底和存储块，所述存储块具有沿着与衬底相交的方向堆叠的多个存储单元。所述方法包括：从被选存储块的子块当中的被选子块读取数据；以及响应于对被选子块的读取，选择性地刷新被选存储块的每个子块，其中，所述被选存储块的每个子块被单独擦除。
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公开(公告)号：CN102290105B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110056113.X
申请日：2011-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/56 , G11C11/5628 , G11C14/0018 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642 , G11C2211/5643
Abstract: 一种数据存储设备包括：包括存储单元阵列的非易失性存储器件；和包括缓冲存储器并控制该非易失性存储器件的存储器控制器。该数据存储设备的操作方法包括：根据外部请求将数据存储在缓冲存储器中，并确定存储在该缓冲存储器中的数据是否是伴随该存储单元阵列的缓冲器编程操作的数据。当存储在该缓冲存储器中的数据是伴随该缓冲器编程操作的数据时，该方法还包括确定是否需要对该存储单元阵列的主编程操作，以及当需要对存储单元阵列的主编程操作时，确定对该存储单元阵列的主编程操作的编程模式。该方法还包括基于确定的编程模式向该多位存储器件发出用于对该存储单元阵列的主编程操作的命令的集合。
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