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公开(公告)号:CN116325196A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202180070769.9
申请日:2021-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50
Abstract: 公开了一种显示装置和光源设备,该显示装置和光源设备包括具有特定限定的形状以能够保持光源的光学轮廓的光学圆顶。一种显示装置,包括:印刷电路板(PCB);发光二极管(LED)芯片,安装在PCB上并发光;光学圆顶,形成为通过设置在LED芯片上来包围LED芯片;液晶面板,阻挡或通过从LED芯片输出的光;以及光学膜,布置在LED芯片和液晶面板之间,其中,光学圆顶的高度与光学圆顶的底表面的直径的比值可以为0.25至0.31。
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公开(公告)号:CN116325184A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202180063586.4
申请日:2021-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供了一种显示装置及其光源设备。光源设备包括能够通过限定光学圆顶的特定形状来保持光源的光学轮廓的光学圆顶。该显示装置包括:印刷电路板;LED芯片,该LED芯片安装在印刷电路板上并输出光;光学圆顶,通过被分配在LED芯片上形成以包围LED芯片;以及液晶面板,允许阻挡或透射从LED芯片输出的光,其中,当r0表示从LED芯片竖直发射的光到达光学圆顶的表面之前的直线距离,并且rl表示从LED芯片发射的最大功率光到达光学圆顶的表面之前的直线距离时,光学圆顶可以形成为满足1.70<rl/r0<1.83。
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公开(公告)号:CN115565911A
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202210777663.9
申请日:2022-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 提供了一种半导体处理系统及其控制方法。该半导体处理系统包括:半导体处理室,其包括设置在室外壳中的静电卡盘和用于将第一射频(RF)电力供应至设置在静电卡盘中的内部电极的第一电力供应器;电压测量装置,其测量对应于第一RF电力的电压,以输出数字信号;以及控制装置,当基于数字信号确定电压增大至预定参考范围内时,其将互锁控制信号输出至半导体处理室。静电卡盘被配置为使得晶圆能够安装于静电卡盘的表面上。
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公开(公告)号:CN105282430B
公开(公告)日:2020-09-04
申请号:CN201510315985.1
申请日:2015-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种使用照片的构图信息的电子装置及使用该装置的拍摄方法。所述电子装置包括:相机模块;存储器,被配置为存储参考构图信息;相机控制模块,被配置为通过相机模块来收集实时构图信息。相机控制模块将存储的参考构图信息与实时构图信息进行比较,以向用户指示存储的参考构图信息与实时构图信息是否彼此一致。
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公开(公告)号:CN105376558B
公开(公告)日:2018-11-06
申请号:CN201510484071.8
申请日:2015-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N13/30
Abstract: 提供一种多视图图像显示设备及其控制方法。提供一种多视图图像显示设备。所述多视图图像显示设备包括:深度调整器,被配置为调整输入图像的深度;渲染器,被配置为基于深度调整后的图像来对多视图图像进行渲染;串扰补偿器,被配置为对渲染后的多视图图像执行串扰逆补偿;显示器,被配置为以预设排列模式来对串扰逆补偿后的多视图图像进行排列,并显示以所述预设排列模式排列的串扰逆补偿后的多视图图像;控制器,被配置为估计串扰,并控制深度调整器基于估计的串扰将满足预设条件的区域的深度值调整为预设深度值。
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公开(公告)号:CN106604018A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201610577107.1
申请日:2016-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N13/04
Abstract: 提供一种3D显示设备及其控制方法。所述3D显示设备包括:显示面板;视区分离器,布置在显示面板的前面并且被配置为向观看区域提供具有不同视点的多个光学视图;处理器,被配置为基于输入图像的深度来渲染具有不同视点的多个图像视图,并通过按照排列图案在显示面板上排列所述多个图像视图来提供多视点图像。处理器还被配置为基于排列图案确定在具有不同视点的所述多个图像视图之间发生的估计串扰,通过根据估计串扰执行串扰逆补偿来校正所述多个图像视图,并基于串扰逆补偿来提供多视点图像。
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公开(公告)号:CN101487961A
公开(公告)日:2009-07-22
申请号:CN200910002122.3
申请日:2009-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/017 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F2202/108 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种显示基板以及包括该显示基板的显示装置。所述显示基板包括:栅极布线;第一半导体图案,所述第一半导体图案形成在所述栅极布线上并且具有第一能带隙;第二半导体图案,所述第二半导体图案形成在所述第一半导体图案上并且具有第二能带隙,所述第二能带隙大于所述第一能带隙;数据布线,所述数据布线形成在所述第一半导体图案上;以及像素电极,所述像素电极与所述数据布线电连接。由于所述第二能带隙大于所述第一能带隙,因此在所述第一半导体图案中形成量子阱,从而提高其中的电子迁移率。
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公开(公告)号:CN120048733A
公开(公告)日:2025-05-27
申请号:CN202410825826.5
申请日:2024-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/223 , H01J37/32
Abstract: 提供一种处理基底的方法。所述方法包括:在基底处理设备的台上提供基底;以及对台上的基底进行处理。对基底进行处理包括:将源功率提供到基底处理设备;以及将偏置功率提供到基底处理设备。将偏置功率提供到基底处理设备包括:将第一非正弦波提供到台的等离子体电极;以及将第二非正弦波提供到台的边缘电极。第二非正弦波的占空比不同于第一非正弦波的占空比。
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公开(公告)号:CN118471778A
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202410028100.9
申请日:2024-01-09
Abstract: 一种介电结构可以包括:绝缘层,其在第一方向上延伸;多个导体层,其设置在绝缘层的第一表面上,并且在第一方向上彼此间隔开;至少一个半导体层,其设置在绝缘层的与第一表面相对的第二表面上,并且在与第一方向交叉的第二方向上与多个导体层中的彼此相邻的至少两个导体层中的每一个重叠;第一保护层,其在绝缘层的第一表面上覆盖多个导体层;以及第二保护层,其在绝缘层的第二表面上覆盖至少一个半导体层。
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