公开(公告)号：CN120048733A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202410825826.5

申请日：2024-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗栋铉 ,  许敏宁 ,  金京善 ,  金南均 ,  金成烈 ,  金铉培 ,  石和洙 ,  沈承辅 ,  林成龙

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/223 ,  H01J37/32

Abstract: 提供一种处理基底的方法。所述方法包括：在基底处理设备的台上提供基底；以及对台上的基底进行处理。对基底进行处理包括：将源功率提供到基底处理设备；以及将偏置功率提供到基底处理设备。将偏置功率提供到基底处理设备包括：将第一非正弦波提供到台的等离子体电极；以及将第二非正弦波提供到台的边缘电极。第二非正弦波的占空比不同于第一非正弦波的占空比。