公开(公告)号：CN102467965B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201110363170.2

申请日：2011-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈善一 ,  张在薰 ,  崔正达 ,  李云京 ,  金基玄

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C16/14 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/16 ,  G11C16/30 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储装置、擦除方法及包括该非易失性存储装置的存储系统。所述非易失性存储装置包括衬底和设置在所述衬底上的多个单元串，所述多个单元串中的每个单元串包括在垂直于所述衬底的方向上堆叠的多个单元晶体管，所述擦除方法包括步骤：将接地电压施加到与所述多个单元串的多个接地选择晶体管相连接的接地选择线；将接地电压施加到与所述多个单元串的多个串选择晶体管相连接的多个串选择线；将字线擦除电压施加到与所述多个单元串的多个存储单元相连接的多个字线；将擦除电压施加到所述衬底；响应所述擦除电压的施加来控制所述接地选择线的电压；和响应所述擦除电压的施加来控制所述多个串选择线的电压。

公开(公告)号：CN104008778A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410069203.6

申请日：2014-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李吉成 ,  张在薰 ,  金基玄 ,  沈善一

IPC: G11C16/14

Abstract: 提供一种非易失性存储器的操作方法，所述操作方法包括：将每个单元串中邻近基底的至少一个第一存储单元的阈值电压调整为高于擦除状态的阈值电压分布；以及读取每个单元串中位于所述至少一个第一存储单元上方的第二存储单元，其中，每个单元串中的所述至少一个第一存储单元是伪存储单元。

公开(公告)号：CN101626021B

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN200910140192.5

申请日：2009-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李世薰 ,  李忠浩 ,  崔晶东 ,  金泰瑢 ,  金宇中 ,  张桐熏 ,  尹永培 ,  金基玄 ,  刘民胎

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/11573 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种包括驱动晶体管的半导体装置。一种半导体装置包括在衬底中限定的驱动有源区和在该驱动有源区处设置的至少三个驱动晶体管。所述驱动晶体管共享一个公共源极/漏极，并且每个驱动晶体管包括相互独立的单独源极/漏极。所述公共源极/漏极和单独源极/漏极被设置在驱动有源区中。