公开(公告)号：CN108288625B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201711443369.X

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李基荣 ,  李殷奎 ,  赵常玹 ,  许镇盛

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352

Abstract: 提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。

公开(公告)号：CN115939195A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210916857.2

申请日：2022-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李润姓 ,  李香淑 ,  赵常玹 ,  南胜杰 ,  文泰欢 ,  裵鹤烈 ,  李银河 ,  李准浩

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种电子器件，该电子器件包括：衬底，包括源极、漏极以及在源极和漏极之间的沟道；栅电极，布置在衬底上方并面向沟道，栅电极在第一方向上与沟道隔开；以及在沟道和栅电极之间的铁电薄膜结构，该铁电薄膜结构包括在第一方向上从沟道起顺序布置的第一铁电层、包括电介质材料的结晶阻挡层、和第二铁电层。第一铁电层的晶粒的尺寸的平均值可以小于或等于第二铁电层的晶粒的尺寸的平均值，并且由于小的晶粒，可以改善性能的离散。

公开(公告)号：CN114447223A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111298883.5

申请日：2021-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李润姓 ,  南胜杰 ,  裵鹤烈 ,  文泰欢 ,  赵常玹

IPC: H01L49/02 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1159

Abstract: 提供了一种包括铁电层和两个或更多个电极层的铁电半导体器件和包括其的半导体装置。该半导体器件可以包括第一电极层和第二电极层，第一电极层和第二电极层具有比铁电层的热膨胀系数小的热膨胀系数。第二电极层的热膨胀系数和铁电层的热膨胀系数之间的差异可以大于第一电极层的热膨胀系数和铁电层的热膨胀系数之间的差异。第二电极层可以具有比第一电极层的厚度大的厚度。

公开(公告)号：CN112563323A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202010673033.8

申请日：2020-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李润姓 ,  金尚昱 ,  赵常玹 ,  许镇盛 ,  李香淑

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01G7/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56

Abstract: 公开了铁电薄膜结构、形成其的方法和系统及包括其的电子器件。该铁电薄膜结构包括至少一个第一原子层和至少一个第二原子层。第一原子层包括基于氧化物的第一电介质材料，第二原子层包括第一电介质材料和具有比第一电介质材料的带隙大的带隙的掺杂剂两者。

公开(公告)号：CN110911492A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910226482.5

申请日：2019-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李润姓 ,  赵常玹 ,  申建旭 ,  申铉振

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种电子器件和制造该电子器件的方法。一种电子器件可以包括：衬底；在衬底上的栅电极；在衬底和栅电极之间的铁电层；以及在衬底和铁电层之间的碳层。该碳层可以具有sp2键合结构。

公开(公告)号：CN109037222A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810558824.9

申请日：2018-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  金海龙 ,  赵常玹 ,  申铉振

IPC: H01L27/11551

CPC classification number: H01L29/7887 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/54 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C13/025 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C2211/5612 ,  G11C2213/35 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687 ,  H01L27/11551

Abstract: 提供包括2维(2D)材料的非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的装置。非易失性存储器件可以包括在沟道元件与面对沟道元件的栅极电极之间的包括多个电荷存储层的存储堆叠。多个电荷存储层可以包括2D材料。层间势垒层可以进一步设置在多个电荷存储层之间。该非易失性存储器件可以由于所述多个电荷存储层而具有多位或多电平存储特性。

公开(公告)号：CN110911492B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201910226482.5

申请日：2019-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李润姓 ,  赵常玹 ,  申建旭 ,  申铉振

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种电子器件和制造该电子器件的方法。一种电子器件可以包括：衬底；在衬底上的栅电极；在衬底和栅电极之间的铁电层；以及在衬底和铁电层之间的碳层。该碳层可以具有sp2键合结构。

公开(公告)号：CN109285847B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN201810154273.X

申请日：2018-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金海龙 ,  李载昊 ,  赵常玹 ,  申铉振

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种光电转换元件以及包括该光电转换元件的光学传感器。光电转换元件可以包括多个晶格堆叠，该多个晶格堆叠在基板上一个在另一个的顶部上重复地堆叠并配置为具有有效带隙。所述多个晶格堆叠可以每个包括第一有源层和在第一有源层上的第二有源层。第一有源层可以包括具有第一带隙的第一二维材料。第二有源层可以包括具有不与第一带隙重叠的第二带隙的第二二维材料。有效带隙可以基于第一二维材料和第二二维材料的类型、第一有源层和第二有源层的厚度、以及所述多个晶格堆叠的一个在另一个的顶部上重复堆叠的次数来调整。

公开(公告)号：CN113745327A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110022063.7

申请日：2021-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  文泰欢 ,  南胜杰 ,  赵常玹

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L29/78 ,  H01L49/02 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L27/108

Abstract: 提供叠层结构体以及包括其的半导体器件、半导体设备和电子设备、和制造叠层结构体的方法。所述叠层结构体包括：基底；和在所述基底上的薄膜结构体，所述薄膜结构体包括：平行于所述基底的第一反铁电层，平行于所述基底的第二反铁电层，以及平行于所述基底的铁电层，其中所述铁电层在所述第一反铁电层和所述第二反铁电层之间。

公开(公告)号：CN112531029A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010200986.2

申请日：2020-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  金尚昱 ,  李润姓 ,  赵常玹 ,  李香淑

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/34 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 提供了一种电子器件和制造该电子器件的方法。该电子器件包括在衬底和栅电极之间的铁电晶化层以及在衬底和铁电晶化层之间的防晶化层。铁电晶化层至少部分地晶化并包括具有铁电性或反铁电性的电介质材料。此外，防晶化层防止铁电晶化层中的晶化朝向衬底扩散。