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公开(公告)号：CN117673005A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311140978.3
申请日：2023-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括：下绝缘结构；在下绝缘结构上的晶体管，该晶体管包括源极/漏极区；在下绝缘结构中的电源轨结构；以及电源接触结构，在电源轨结构上并将源极/漏极区电连接到电源轨结构。电源接触结构可以包括在电源轨结构中的下部。
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公开(公告)号：CN105990445A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610147006.0
申请日：2016-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：栅极间隔件，其在衬底上限定沟槽，并且包括上部和下部；栅极绝缘膜，其沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部接触；下导电膜，其在栅极绝缘膜上沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部重叠；以及上导电膜，其位于下导电膜上且位于栅极绝缘膜的最上面的部分上。
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公开(公告)号：CN117012758A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310474207.1
申请日：2023-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L23/498 , H01L21/768 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括电介质层、形成在电介质层中的多个通路、沉积在电介质层的顶表面上的粘合层、以及多条金属线。所述多条金属线中的第一金属线包括形成在第一金属线的底表面处的第一凹陷，使得第一金属线的第一部分直接接触第一通路，并且第一金属线的由第一凹陷限定的第二部分不直接接触第一通路或其中形成第一通路的电介质层。
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公开(公告)号：CN116960164A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310449600.5
申请日：2023-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/49 , H01L27/092
Abstract: 提供了一种多堆叠半导体器件，其包括：衬底；下场效应晶体管，其中下沟道结构被包括下功函数金属层和下栅电极的下栅极结构围绕；以及上场效应晶体管，其中上沟道结构被包括上功函数金属层和上栅电极的上栅极结构围绕，其中下栅电极和上栅电极中的每个包括金属或金属化合物，以及其中下栅电极包括多晶硅(poly‑Si)或包含掺杂剂的多晶硅，上栅电极包括金属或金属化合物。
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公开(公告)号：CN108538810B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201710888495.X
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/088
Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105990445B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201610147006.0
申请日：2016-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：栅极间隔件，其在衬底上限定沟槽，并且包括上部和下部；栅极绝缘膜，其沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部接触；下导电膜，其在栅极绝缘膜上沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部重叠；以及上导电膜，其位于下导电膜上且位于栅极绝缘膜的最上面的部分上。
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公开(公告)号：CN108538810A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201710888495.X
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/088
CPC classification number: H01L23/53204 , H01L21/28518 , H01L21/76847 , H01L21/76849 , H01L21/76855 , H01L21/76879 , H01L21/76889 , H01L23/5226 , H01L29/785
Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。
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公开(公告)号：CN106206595A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610365474.5
申请日：2016-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/0924 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/76805 , H01L21/76831 , H01L21/76897 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L23/485 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/41791 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/7848 , H01L27/11524
Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。第一导电类型的鳍式场效应晶体管器件可以包括具有第一蚀刻速率的第一材料的第一嵌入的源极/漏极。第一嵌入的源极/漏极可以每个包括具有凹陷部分和相对于凹陷部分的外凸起部分的上表面。第二导电类型的鳍式场效应晶体管器件可以包括具有第二蚀刻速率的第二材料的第二嵌入的源极/漏极，该第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率。第二嵌入的源极/漏极可以每个包括处于与第一导电类型的鳍式场效应晶体管器件的外凸起部分不同的水平的上表面。
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公开(公告)号：CN103972099A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410025155.0
申请日：2014-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/66795
Abstract: 本发明描述了一种制造半导体器件的方法。所述制造半导体器件的方法包括提供鳍状物和多个栅极，该鳍状物形成为从衬底突出，该栅极形成在鳍状物上以与所述鳍状物相交；在所述鳍状物内在相应栅极的至少一侧上形成第一凹陷；在所述第一凹陷的表面上形成氧化物层；以及通过去除所述氧化物层将第一凹陷扩展到第二凹陷中。还公开了相关的器件。
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公开(公告)号：CN118538732A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410189345.X
申请日：2024-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：至少一个晶体管，包括源极/漏极区和第一栅极结构；在第一栅极结构下方的接触隔离层；以及连接到第一源极/漏极区中的至少一个的背面接触插塞，其中背面接触插塞形成在第一源极/漏极区下方并延伸到第一栅极结构下方的区域，并且通过接触隔离层与第一栅极结构隔离。
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