公开(公告)号：CN108121153B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN201711202775.7

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  申建旭 ,  李昌锡 ,  李东郁 ,  薛珉洙 ,  金尙元 ,  郑盛骏

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

Abstract: 提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片，并且所述表膜膜片可包括纳米晶体石墨烯。所述纳米晶体石墨烯可具有缺陷。所述纳米晶体石墨烯可包括多个纳米级晶粒，并且所述纳米级晶粒可包括具有芳族环结构的二维(2D)碳结构。所述纳米晶体石墨烯的缺陷可包括如下的至少一种：sp3碳原子、氧原子、氮原子、或者碳空位。

公开(公告)号：CN116960163A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310453556.5

申请日：2023-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  李殷奎 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  卞卿溵

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件可以包括：第一半导体层，包括第一半导体材料；金属层，面对第一半导体层并具有导电性；2D材料层，在第一半导体层和金属层之间；以及第二半导体层，在第一半导体层和2D材料层之间。第二半导体层可以包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。第二半导体层和2D材料层可以彼此直接接触。第二半导体材料可以包括锗。

公开(公告)号：CN116137782A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211434058.8

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  金昌炫 ,  朴世勋 ,  金炫佑 ,  卞卿溵 ,  尹桐振 ,  李昌锡

IPC: H10B43/30 ,  H10B43/35 ,  H10B43/20 ,  G06N3/063

Abstract: 本公开涉及一种非易失性存储装置及神经形态设备。该垂直非易失性存储装置可以包括：在第一方向上延伸的沟道层；多个栅电极和多个间隔物，其中每个在与第一方向交叉的第二方向上延伸，多个栅电极和多个间隔物在第一方向上彼此交替排列；以及在沟道层和多个栅电极之间在第一方向上延伸的栅极绝缘层。多个栅电极中的每个可以包括金属掺杂的石墨烯。

公开(公告)号：CN110970289A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910892838.9

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  金昌炫 ,  山本薰 ,  李昌锡 ,  宋伣在 ,  李殷奎 ,  卞卿溵 ,  申铉振 ,  安星柱

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供一种形成石墨烯的方法。形成石墨烯的方法包括：当对放置在反应室中的基板施加偏压时用等离子体处理基板的表面；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在基板的表面上生长石墨烯。

公开(公告)号：CN109837524A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811431633.2

申请日：2018-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  李升元 ,  李殷奎

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  C01B32/186 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供纳米晶体石墨烯、形成纳米晶体石墨烯的方法、和设备。所述纳米晶体石墨烯可具有在约50％至99％的范围内的具有sp2键合结构的碳与总碳的比率。另外，所述纳米晶体石墨烯可包括具有约0.5nm至约100nm的尺寸的晶体。

公开(公告)号：CN110752204B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201910012228.5

申请日：2019-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卞卿溵 ,  申建旭 ,  金勇勋 ,  申铉振 ,  宋伣在 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  赵连柱

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种互连结构和包括该互连结构的电子器件。该互连结构包括包含至少一个沟槽的电介质层、填充所述至少一个沟槽的内部的导电布线、以及在导电布线的至少一个表面上的盖层。盖层包括纳米晶石墨烯。纳米晶石墨烯包括纳米尺寸的晶体。

公开(公告)号：CN116504843A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310100911.0

申请日：2023-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚昱 ,  卞卿溵 ,  申建旭 ,  郑文一 ,  金恩太 ,  杨智恩 ,  李光熙

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H10K59/121

Abstract: 一种晶体管包括氧化物半导体层、在氧化物半导体层上彼此间隔开设置的源电极和漏电极、与氧化物半导体层间隔开的栅电极、设置在氧化物半导体层和栅电极之间的栅极绝缘层以及设置在栅电极和栅极绝缘层之间并掺杂有金属的石墨烯层。

公开(公告)号：CN109837524B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201811431633.2

申请日：2018-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  李升元 ,  李殷奎

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  C01B32/186 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供纳米晶体石墨烯、形成纳米晶体石墨烯的方法、和设备。所述纳米晶体石墨烯可具有在约50％至99％的范围内的具有sp2键合结构的碳与总碳的比率。另外，所述纳米晶体石墨烯可包括具有约0.5nm至约100nm的尺寸的晶体。

公开(公告)号：CN115799325A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211039284.6

申请日：2022-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌炫 ,  南胜杰 ,  申建旭 ,  李到玹

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件和包括该半导体器件的电子装置，该半导体器件包括：第一源极/漏极结构，包括第一半导体区域和与第一半导体区域电接触的第一电极；第二源极/漏极结构，包括第二半导体区域和与第二半导体区域电接触的第二电极；在第一半导体区域和第二半导体区域之间的沟道；以及栅极结构，包括覆盖沟道的栅极绝缘膜和覆盖栅极绝缘膜的栅电极。第一源极/漏极结构进一步包括在第一半导体区域和第一电极之间的硅化物膜以及在硅化物膜和第一电极之间的导电阻挡物。导电阻挡物包括导电的二维材料。

公开(公告)号：CN113497130A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202011277444.1

申请日：2020-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文泰欢 ,  申建旭 ,  许镇盛

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及电子器件、其制造方法、和存储设备。公开了具有相对较小的漏电流的半导体器件和电容器。所述半导体器件包括半导体层、设置在半导体层上的氧化物层、和设置在氧化物层上的金属层，并且氧化物层中的氢浓度为约0.7原子％或更高。