公开(公告)号：CN101345209A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810131102.1

申请日：2004-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在光 ,  李在东 ,  洪昌基

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L21/304 ,  C09G1/02 ,  C09G1/16

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明的示例性实施例提供一种新的浆料成分，该新的浆料成分适合用于包括对多晶硅层化学机械抛光(CMP)的工艺。该浆料成分包括一种或多种非离子聚合物表面活性剂，该表面活性剂选择地在多晶硅的暴露表面上形成钝化层，以便于抑制相对于氧化硅和氮化硅的多晶硅除去速率并提高抛光衬底的平坦度。示例性的表面活性剂包括环氧乙烷(EO)和环氧丙烷(PO)嵌段共聚物的烷基或芳基醇，并以高达大约5wt％的量存在于浆料成分中，虽然更小的浓度有效。其它浆料添加剂可以包括粘度调节剂、pH调节剂、分散剂、螯合剂、以及适合用于调节氮化硅和氧化硅的相对除去速率的胺或亚胺表面活性剂。

公开(公告)号：CN101256960A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200710169154.3

申请日：2007-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林钟欣 ,  洪昌基 ,  尹普彦 ,  尹煋圭 ,  崔锡宪 ,  韩相晔

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种包含沟道层的半导体器件的制造方法，其包括在半导体衬底上形成单晶半导体层。该单晶半导体层具有从其表面延伸的突起。对单晶半导体层执行第一抛光工艺以除去部分突起，使得单晶半导体层包括突起的保留部分。执行不同于第一抛光工艺的第二抛光工艺以除去突起的保留部分并定义具有基本均匀厚度的大致平坦的单晶半导体层。在单晶半导体层上形成牺牲层并用作第一抛光工艺的抛光停止以定义牺牲层图案，该牺牲层图案可以在第二抛光工艺之前移除。也论述了堆叠半导体存储器件的相关制造方法。根据本发明，形成具有改善表面粗糙特性和大致均匀厚度的硅沟道层，因而，形成在硅沟道层上的晶体管可以具有改善的特性。

公开(公告)号：CN1855446A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610077306.2

申请日：2006-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩政男 ,  金东灿 ,  姜昌珍 ,  池京求 ,  沈雨宽 ,  李晓山 ,  洪昌基 ,  崔相俊

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11543

Abstract: 提供一种具有U－形浮栅的快闪存储器的制造方法。该方法包括形成被间隙隔开的相邻隔离层以及在该间隙中形成隧道氧化物层。在隧道氧化物层上形成导电层至不填充间隙的厚度之后，在导电层上形成抛光牺牲层。隔离层上的牺牲层和导电层被除去，由此形成在间隙中自对准的U－形浮栅，以及同时在浮栅内部内形成牺牲层图形。然后凹陷选择的隔离层，以露出浮栅的侧壁。然后从浮栅除去牺牲层图形，以露出浮栅的上表面。

公开(公告)号：CN1696349A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510072659.9

申请日：2005-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文彰爕 ,  高炯浩 ,  沈雨宽 ,  洪昌基 ,  崔相俊

IPC: C23F1/16 ,  C09K13/08 ,  C09K13/06 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L28/40

Abstract: 提供了一种用于去除氧化物膜的含阴离子表面活性剂的刻蚀液，及其制备方法以及使用该刻蚀液制造半导体器件的方法。该刻蚀液包括氢氟酸(HF)、去离子水和阴离子表面活性剂。阴离子表面活性剂是其中添加了芳香树脂(anime)盐作为平衡离子的化合物，由R1－OSO3－HA+、R1－CO2－HA+、R1－PO42－(HA+)2、(R1)2－PO4－HA+以及R1－SO3－HA+表示，其中R1是C4至C22的直烃基或支烃基，以及A是氨或胺。刻蚀液提供氧化物膜与氮化物膜或与多晶硅膜的高刻蚀选择率。因此，在半导体器件制造工艺如STI器件隔离工艺或电容器形成工艺中，当氧化物膜与氮化物膜或多晶硅膜一起露出时，在仅仅选择地除去氧化物膜中可以有效地使用该刻蚀液。

公开(公告)号：CN1581493A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410057456.8

申请日：2004-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈雨宽 ,  洪昌基 ,  崔相俊 ,  韩政男

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10852 ,  Y10S438/978

Abstract: 在一个实施例中，半导体器件包括基底和在该基底上形成的倾斜壁。该壁具有中线以及内侧壁和外侧壁。内侧壁和外侧壁相对于该中线互相基本对称。因此，可以提高半导体电容器结构的可靠性，而且可以提高生产能力。此外，利用本发明原理，有助于进一步缩小半导体器件。

公开(公告)号：CN1302088A

公开(公告)日：2001-07-04

申请号：CN00135548.1

申请日：2000-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金坰显 ,  洪昌基 ,  郑佑仁 ,  金凡洙 ,  申有哲 ,  朴奎灿

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11541

Abstract: 一种具有多栅绝缘层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括设置于半导体衬底预定区域的隔离区。隔离区限定至少一个第一有源区和至少一个第二有源区。用第一栅绝缘层覆盖第一有源区,用薄于第一栅绝缘层的第二栅绝缘层覆盖第二有源区。用最好覆盖第一和第二栅绝缘层的整个侧壁的隔离层填充隔离区。

公开(公告)号：CN1733856B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200510084580.8

申请日：2005-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成俊 ,  朴正宪 ,  洪昌基 ,  李在东

IPC: C09G1/00 ,  H01L21/321

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种浆料、使用该浆料的化学机械抛光(CMP)方法以及使用该浆料形成金属布线的方法。该浆料可以包括抛光剂、氧化剂和保护金属膜的至少一种缺陷抑制剂。CMP方法和形成金属布线的方法可以采用具有包括至少一种缺陷抑制剂的至少一种浆料的一种或两种浆料。

公开(公告)号：CN1949482B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200610132163.0

申请日：2006-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  吴政玟 ,  洪昌基 ,  崔相俊 ,  沈雨宽

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/90 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/10852

Abstract: 一方面，提出了一种制造半导体存储器器件的方法，包括：在半导体衬底的第一部分和第二部分上面形成模具绝缘膜，其中模具绝缘膜包括在半导体衬底的第一部分上面彼此间隔的多个存储节点电极孔。该方法还包括：在存储节点电极孔的内表面上分别形成多个存储节点电极，以及形成覆盖膜，所述覆盖膜覆盖位于半导体衬底的第一部分上面的存储节点电极和模具绝缘膜的第一部分，但暴露出位于半导体衬底的第二部分上面的模具绝缘膜的第二部分。该方法还包括：至少利用湿法刻蚀，选择性地除去模具绝缘膜以暴露出由覆盖膜所覆盖的存储节点电极中的至少一个存储节点电极的侧壁，以及通过干法刻蚀除去覆盖膜以暴露出存储节点电极的上部。

公开(公告)号：CN1740396B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200510088504.4

申请日：2005-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金有京 ,  洪昌基 ,  崔相俊 ,  韩政男

IPC: C23F1/16

CPC classification number: C23F1/28 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  C23F1/16 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01F41/308 ,  H01F41/34 ,  H01L21/32134 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了一种包括去离子水和有机酸的蚀刻剂溶液，该有机酸具有羧基和氢氧基。还公开了用于形成磁存储器件的方法。

公开(公告)号：CN101740545A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910225939.7

申请日：2009-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  洪昌基 ,  李在东

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/76885 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置的配线结构及形成配线结构的方法。在半导体装置的配线结构及其制造方法中，配线结构包括接触焊盘、接触插塞、间隔物和绝缘中间层图案。接触焊盘电连接到基板的接触区域。接触插塞设置在接触焊盘上并电连接到接触焊盘。间隔物面对接触焊盘的上部侧表面和接触插塞的侧壁。绝缘中间层图案具有开口、接触插塞以及设置在开口中的间隔物。配线结构的间隔物可以在形成连接到电容器的接触插塞时防止接触焊盘被清洗液损坏。