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公开(公告)号：CN1971797A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610149262.X
申请日：2006-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01P1/127 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , Y10T29/49002 , Y10T29/49016 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明公开了一种RF MEMS开关及其制造方法，其中RF MEMS器件利用压电效应在低电压下向下驱动。该RF MEMS开关包括提供有RF信号线和凹腔的衬底、位于凹腔上且一端固定到所述衬底的悬臂、及当所述悬臂向下驱动时接触所述RF信号线而使所述RF信号线与所述悬臂连接的接触焊盘。
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公开(公告)号：CN115482851A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210423496.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 电阻式存储器装置，其包括电阻式存储器图案；和电连接至所述电阻式存储器图案的选择元件图案，所述选择元件图案包括硫属化物开关材料和至少一种金属材料，所述硫属化物开关材料包括锗、砷和硒，且所述至少一种金属材料包括铝、锶或铟，其中所述选择元件图案包括非均匀材料层，在所述非均匀材料层中所述至少一种金属材料在所述选择元件图案中的含量根据在所述选择元件图案内的位置是可变的。
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公开(公告)号：CN114447220A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111268571.X
申请日：2021-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置。提供硫属元素化合物层、包括其的开关器件、半导体器件、和/或半导体装置，所述硫属元素化合物层呈现出双向阈值开关特性。所述开关器件和/或所述半导体器件可包括两个或更多个具有不同能带隙的硫属元素化合物层。替代地，所述开关器件和/或半导体器件可包括在其厚度方向上具有如下的元素的浓度梯度的硫属元素化合物层：硼(B)、铝(Al)、钪(Sc)、锰(Mn)、锶(Sr)、和/或铟(In)。所述开关器件和/或半导体器件可在具有低的关断电流值(泄漏电流值)的同时呈现出稳定的开关特性。
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公开(公告)号：CN106328708B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201610102164.4
申请日：2016-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及包括二维材料结构的装置及形成该二维材料结构的方法。其中一种晶体管包括：基板；包括基本上垂直地排列在基板上的至少一层的二维材料结构，使得所述至少一层的边缘在基板上并且所述至少一层基本上垂直于基板延伸；源电极和漏电极，连接到二维材料结构的相反端；栅绝缘层，在源电极和漏电极之间的二维材料结构上；和在栅绝缘层上的栅电极。所述至少一层的每个包括具有二维晶体结构的半导体。
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公开(公告)号：CN108267814B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201711283653.5
申请日：2017-12-07
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
Abstract: 提供了非互易光传输器件及包括该非互易光传输器件的光学装置。一种非互易光传输器件包括光输入部分、光输出部分、以及插置在光输入部分与光输出部分之间并包括光波导的中间连接部分。光波导中的任何一个或任何组合的复折射率在光输入部分与光输出部分之间变化，并且经过非互易光传输器件的光的传输方向由复折射率的变化控制。
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公开(公告)号：CN110349992A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201811086256.3
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30 , H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器、制造其的方法和包括其的成像装置。图像传感器可以包括：多个光检测元件，布置为与多个像素区域对应；滤色器层，在所述多个光检测元件上并且包括布置为与所述多个光检测元件对应的多个滤色器；以及光电二极管器件部分，在滤色器层上。光电二极管器件部分可以具有弯曲结构。光电二极管器件部分可以包括基于有机材料的光电二极管层、在光电二极管层与滤色器层之间的第一电极、以及在光电二极管层上的第二电极。光电二极管器件部分可以具有分别对应于所述多个滤色器的弯曲凸起结构。
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公开(公告)号：CN108267814A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711283653.5
申请日：2017-12-07
CPC classification number: G02F1/093 , G02B6/12007 , G02B6/2746 , G02B6/2935 , G02B6/4209 , G02B2006/12157 , G02F1/0955 , G02F1/31 , G02F2203/04 , G02F2203/06 , G02B6/12 , G02B6/122
Abstract: 提供了非互易光传输器件及包括该非互易光传输器件的光学装置。一种非互易光传输器件包括光输入部分、光输出部分、以及插置在光输入部分与光输出部分之间并包括光波导的中间连接部分。光波导中的任何一个或任何组合的复折射率在光输入部分与光输出部分之间变化，并且经过非互易光传输器件的光的传输方向由复折射率的变化控制。
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公开(公告)号：CN103227201B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201310007163.8
申请日：2013-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L21/6835 , H01L29/41758 , H01L29/41775 , H01L29/42384 , H01L29/66787 , H01L29/778 , H01L29/7831 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381
Abstract: 本公开提供了晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：在基板上的栅极；沟道层，具有覆盖栅极的至少一部分的三维（3D）沟道区域；源极电极，接触沟道层的第一区域；以及漏极电极，接触沟道层的第二区域。
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公开(公告)号：CN119947569A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411510999.4
申请日：2024-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种用于实现多级存储器的存储器设备和通过使用该存储器设备实现多级存储器的方法。该存储器设备包括：彼此分开的第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的自选择存储器层，具有双向阈值切换特性，包括基于硫属化物的材料，并且被配置为具有取决于施加到其上的电压的极性和强度而变化的阈值电压；以及电阻式存储器层，所述电阻式存储器层在所述第二电极与所述自选择存储器层之间并且具有取决于施加到其上的电压而变化的电阻特性。所述存储器设备被配置为通过改变施加在所述第一电极与所述第二电极之间的电压的脉冲极性、脉冲数量、脉冲高度和脉冲宽度中的至少一个来实现多级电阻状态。
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