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公开(公告)号：CN108257988B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201711306044.7
申请日：2017-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了图像传感器。一种用于确保光电二极管的面积的图像传感器包括像素区域和邻近像素区域的晶体管区域。像素区域可以包括光电二极管和浮置扩散区。晶体管区域可以包括沿像素区域的边缘延伸的晶体管。晶体管区域中的晶体管可以包括重置晶体管、一个或更多个源极跟随器晶体管以及一个或更多个选择晶体管，重置晶体管和与该重置晶体管相邻的一个源极跟随器晶体管可以共用公共漏极区。源极跟随器晶体管和选择晶体管中的两个相邻的晶体管可以每个共用该两个相邻的晶体管之间的公共源极区或公共漏极区。
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公开(公告)号：CN108133936B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201711234913.X
申请日：2017-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H10B61/00 , G11C11/406 , G11C11/408
Abstract: 本发明提供一种集成电路(IC)器件和制造该IC器件的方法，其中该IC器件可以包括包含单个芯片的单个基板以及在基板上互相间隔开并且具有不同结构的多个存储单元。制造IC器件可以包括在基板的第一区域中形成多条第一字线以及在基板的第二区域中或者第二区域上形成多条第二字线。多个电容器可以形成在第一字线上。多条源极线可以形成在第二字线上。覆盖所述多个电容器和所述多条源极线的绝缘层可以形成在第一区域和第二区域中。可变电阻结构可以形成在第二区域中的与基板的上表面间隔开第一垂直距离的位置处。
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公开(公告)号：CN111029365A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201910959825.9
申请日：2019-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 图像传感器包括：第一有机光电转换层，其位于基底层上；浮置扩散区域，其位于基底层中；第一存储节点，其包括被构造为接收偏置信号的第一电极层、包括半导体材料的第一半导体层的第一部分和第一电介质层的第一部分。第一电介质层在第一电极层与第一半导体层之间延伸。第一存储节点电连接至第一有机光电转换层。图像传感器包括：第一转移晶体管，其包括第一电介质层、第一半导体层和被构造为接收第一转移控制信号的第一转移栅电极。第一转移晶体管具有电连接至第一存储节点的第一端和电连接至浮置扩散区域的第二端。
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公开(公告)号：CN110896456A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910806744.5
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了图像传感器以及包括其的电子装置。一种图像传感器，像素阵列和存储器单元阵列被合并在所述图像传感器中，所述图像传感器包括：第一半导体芯片，在同一半导体芯片中包括像素阵列和存储器单元阵列；以及第二半导体芯片，在竖直方向上与第一半导体芯片重叠。第二半导体芯片包括：第一逻辑电路，控制像素阵列，模数转换器(ADC)电路，将从在第一逻辑电路的控制下的像素阵列输出的模拟信号转换为数字信号，以及第二逻辑电路，将从ADC电路输出的基于数字信号的数据存储到第一半导体芯片的存储器单元阵列。
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公开(公告)号：CN102820299A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210186853.X
申请日：2012-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/102 , H01L27/24
CPC classification number: H01L45/1691 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1641
Abstract: 本发明提供一种存储器件。所述存储器件包括：在半导体基板中的下互连，所述下互连由不同于半导体基板的材料制成；在下互连上的选择元件；以及在选择元件上的存储元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106992173B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201710006916.1
申请日：2017-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李宰圭
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本公开涉及半导体器件。该半导体器件包括：器件隔离层，其在衬底上以限定有源区；在有源区上的第一栅电极，其在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸；第二栅电极，其在器件隔离层上并且在第一方向上与第一栅电极间隔开；栅间隔物，其在第一栅电极和第二栅电极之间；以及源/漏区域，其在第一栅电极的相对侧的有源区中。源/漏区域在第二方向上彼此间隔开，该第二方向平行于衬底的顶表面并且交叉第一方向，以及，当在俯视图中被观察时，第一栅电极与有源区和器件隔离层之间的边界间隔开。
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公开(公告)号：CN110211976A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910125827.8
申请日：2019-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器芯片可以包括第一子芯片、在第一子芯片上的第二子芯片、以及在第一子芯片与第二子芯片之间的互连。第一子芯片可以包括第一基板、在第一基板的第一区域上的底电极和在底电极上的第一电容器。第一电容器可以包括从底电极的顶表面垂直延伸的多个第一电极、在第一电极上的第二电极、以及在第二电极与第一电极之间的第一电介质层。第二子芯片可以包括配置为将入射光转换成电信号的像素阵列。像素阵列可以通过互连电连接到第一电容器。
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公开(公告)号：CN109728015A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811243122.8
申请日：2018-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H04N5/369 , H04N5/3745
Abstract: 提供了包括能够在非常短的时间内建立输出电压以实现高速图像传感器的结构的图像传感器。该图像传感器包括：像素区域，其中设置光电二极管(PD)和传输晶体管(Tr)，传输晶体管(Tr)被配置为将PD中累积的电荷传输到浮置扩散(FD)区域；以及Tr区域，其与像素区域相邻设置，并包括第一Tr、第二Tr和第三Tr，其中设置在第一Tr的第一栅电极下方的第一栅极氧化物膜和设置在第二Tr的第二栅电极下方的第二栅极氧化物膜包括比传输Tr的栅极氧化物膜薄的沟道氧化物膜。
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公开(公告)号：CN108257993A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711458782.3
申请日：2017-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/14689 , H01L29/0847 , H01L29/4236 , H01L29/78 , H01L29/7827 , H04N5/374 , H04N5/378 , H01L27/14612 , H01L27/14636
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、在衬底内在第一方向上彼此间隔开的第一凹陷和第二凹陷、填充第一凹陷并突出超过衬底的第一栅电极、填充第二凹陷并突出超过衬底的第二栅电极、形成在第一凹陷与第二凹陷之间的第一源极/漏极、相对于第一凹陷形成在与第一源极/漏极相反的方向上的第二源极/漏极、以及相对于第二凹陷形成在与第一源极/漏极相反的方向上并且电连接到第二源极/漏极的第三源极/漏极。
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公开(公告)号：CN106992173A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710006916.1
申请日：2017-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李宰圭
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/0649 , H01L21/28123 , H01L21/82345 , H01L27/088 , H01L27/0883 , H01L27/092 , H01L29/42364 , H01L29/66575 , H01L29/4232 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及半导体器件。该半导体器件包括：器件隔离层，其在衬底上以限定有源区；在有源区上的第一栅电极，其在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸；第二栅电极，其在器件隔离层上并且在第一方向上与第一栅电极间隔开；栅间隔物，其在第一栅电极和第二栅电极之间；以及源/漏区域，其在第一栅电极的相对侧的有源区中。源/漏区域在第二方向上彼此间隔开，该第二方向平行于衬底的顶表面并且交叉第一方向，以及，当在俯视图中被观察时，第一栅电极与有源区和器件隔离层之间的边界间隔开。
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